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一种基于通硅电容可配置的三维均衡器及其参数设计方法

摘要

本发明公开了一种基于通硅电容可配置的三维均衡器,包括:开关控制模块SC1、开关模块S1、注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、开关控制模块SC2、开关模块S2、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2,其中,所述开关模块S1和开关模块S2部署有控制端和双向端口,开关控制模块SC1、开关控制模块SC2、所述注入电阻阵列R1、注入电阻阵列R2、通硅电容阵列C1和通硅电容阵列C2部署有双向端口;所述注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2部署于硅基板中。本发明能够提高三维集成的RC无源均衡器的集成度和可靠性,并且易配置、实用性高。

著录项

  • 公开/公告号CN113315483A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202110396726.1

  • 申请日2021-04-13

  • 分类号H03H7/06(20060101);G06F30/367(20200101);H01L23/48(20060101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘长春

  • 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 12:21:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-21

    授权

    发明专利权授予

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