一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法

摘要

一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。

说明书

技术领域

本发明涉及导体异质结纳米管阵列结构材料领域，尤其涉及一种MoS

背景技术

ZnO具有透明性高、电阻率低以及激子束缚能(60eV)比较大等特性，能够广泛应用到短波光电探测器、发光二极管、太阳能电池、光催化剂等众多领域。但是，ZnO材料禁带宽度较大，为3.37eV，在可见光范围内没有光吸收，所以在很多领域的应用受到了限制。

虽然已有文献报道ZnO/MoS

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中的上述问题，提供一种MoS

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种MoS

1)制备MoS

2)在MoS

3)MoS

步骤1)中，所述制备MoS

所述ZnO/MoS

所述ZnO籽晶层为20～50nm，所述Zn(CH

所述水热生长ZnO纳米棒的温度为75～95℃，时间为20～80min；所述ZnO纳米棒退火温度为250～600℃、时间为30～120min。

所述MoO

所述水热生长ZnO/MoS

步骤2)中，所述在MoS

具体地，所述沉积一层ZnO薄膜是将长有MoS

步骤3)中，所述MoS

步骤3)中，所述AgNO

本发明可通过利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等测试手段对制备的MoS

相对于现有技术，本发明技术方案取得的有益效果是：

为扩展对光的吸收范围，本发明将ZnO和窄禁带的半导体材料相结合，而层状结构的MoS

本发明采用低成本的方法制备MoS

附图说明

图1为MoS

图2为实施例1的MoS

图3为实施例1的MoS

图4为实施例1的MoS

图5为实施例2的MoS

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明做进一步详细说明。

如图1所示，本发明提供一种MoS

实施例1

1)清洗FTO基片：将10mm×15mm的FTO基片依次放在去离子水中超声清洗10min，在丙酮中超声10min，在去离子水中超声清洗5min，在乙醇中超声10min，在去离子水中超声清洗5min；上述超声机工作功率100W，频率40kHz。

2)生长ZnO籽晶层：将清洗干净的FTO正面朝上放入ALD的腔体，利用ALD沉积方法在FTO基片上沉积一层厚度为30nm的ZnO薄膜。

3)ZnO纳米棒水热法生长：配置乙酸锌(Zn(CH

4)制备ZnO/MoS

5)制备MoS

6)所得MoS

7)制备MoS

8)所得MoS

9)制备MoS

10)所得MoS

实施例2

1)清洗FTO基片：将10mm×15mm的FTO基片依次放在去离子水中超声清洗10min，在丙酮中超声10min，在去离子水中超声清洗5min，在乙醇中超声10min，在去离子水中超声清洗5min；上述超声机工作功率100W，频率40kHz。

2)生长ZnO籽晶层：将清洗干净的FTO正面朝上放入ALD的腔体，利用ALD沉积法在FTO基片上沉积一层厚度为30nm的ZnO薄膜。

3)ZnO纳米棒水热法生长：配置乙酸锌(Zn(CH

4)制备ZnO/MoS

5)制备MoS

6)制备MoS

7)制备MoS

8)所得MoS

实施例3

1)清洗FTO基片：将10mm×15mm的FTO基片依次放在去离子水中超声清洗10min，在丙酮中超声10min，在去离子水中超声清洗5min，在乙醇中超声10min，在去离子水中超声清洗5min；上述超声机工作功率100W，频率40kHz。

2)生长ZnO籽晶层：将清洗干净的FTO正面朝上放入ALD的腔体，利用ALD沉积法在FTO基片上沉积一层厚度为40nm的ZnO薄膜。

3)ZnO纳米棒水热法生长：配置乙酸锌(Zn(CH

4)制备ZnO/MoS

5)制备MoS

6)制备MoS

7)制备MoS