应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法

摘要

本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及半导体光刻工艺，所述掩膜图形包括一图案，所述图案包括间隔排布的透光区和遮光区，所述图案具有由所述透光区的端部及所述遮光区的端部共同形成的边界，在所述边界处，设置有边缘透光区。采用本发明的掩膜图案可在晶圆上形成边缘光滑的图案，所述图案边缘的粗糙度低，满足设计要求，进而提高产品质量及良率。