连接超导芯片的空气桥和制备有空气桥的超导芯片的方法

摘要

一种空气桥(113)，其在超导芯片上实施连接。其包括在第一超导区域(104)和第二超导区域(105)之间的超导材料的条带。所述条带的第一端包括第一平面端部(301)，其附接到并且平行于所述第一超导区域(104)，并且所述条带的第二端包括相应的第二平面端部(302)。中间部(303)位于第一平面端部(301)和第二平面端部(302)之间，)形成远离由第一超导区域(104)和第二超导区域(105)的表面限定的平面的弯曲。第一分离线(304)和第二分离线(305)将端部(301，302)与中间部(303)分离。所述第一分离线(304)和第二分离线(305)的至少一个不指向为横向跨越所述条带。

说明书

技术领域

总体而言，本发明涉及超导芯片硬件的技术。特别地，本发明涉及在芯片上的导电区域之间形成导电(超导)的接触。

背景技术

超导芯片被用于各种应用中，例如量子计算。通常涉及电信号的非常高的频率，如在几GHz的量级，这让具有良好且伸展的接地平面成为重要的。接地平面表现为在基板的一个或多个表面上的相对较大的、基本连续的导电材料片。邻近的接地平面可以通过信号传输线或其他不连续处而彼此分离，这使得不确定在不连续处两侧上的接地平面的电势是否真的相同。所述不连续处可能会引起不期望的现象，例如在接地平面中的所谓的槽线模式(slot line mode)。

除了接地平面外，可能在芯片上还存在其他这样的位置：在两个导电区域之间必须确保良好的电连接，所述两个导电区域在芯片上通过不连续处而彼此分开。这种其他位置的示例是，信号传导传输线必须穿过谐振器或另外的信号传导传输线的地方，或谐振器或信号传导传输线的某一点必须局部连接到地的地方。

在分离的不连续处上形成电连接的传统方式是线联接。线联接机器使用热能和/或超声能量，以在细金属线的一端和第一导电区域之间形成冶金焊接。线通过周围的自由空间延伸到第二导电区域，其中在切割线的松散端之前进行类似的附接。

尽管线联接是众所周知且广泛使用的技术，但是它具有缺点，特别是当旨在小型化和对噪音和干扰具有高抗性时。并非不常见的是，具有六个单独的量子比特的量子计算芯片可能具有超过150条的联接线。量子计算芯片的设计者当前旨在增加芯片上的量子比特的数量，这预计会进一步增加导电区域之间所需连接的数量。尽管一些联接线可以在芯片的边缘处的导电区域和附接有芯片的电路板上的邻近导电区域之间延伸，但是还存在大量的芯片上位置，在这里线联接的缺点成为问题。

发明内容

目的是提供一种结构方案，其用于以可扩展的架构在超导芯片上的邻近的导电区域之间形成导电连接。另一个目的是该结构方案在芯片上仅保留很小的空间。另一个目的是让这种导电连接的制造容易且可靠。还有另一个目的是让这种导电连接尽可能无损，并且尽可能抵抗噪音和干扰影响。

本发明的目的通过利用薄膜沉积方法实现，以让微观上小的、条带状的空气桥跨越不连续处。可以让空气桥的悬挂部分的端部不同于直线界定的形状，以提高结构稳定性。

根据第一方面，空气桥设置用于在超导芯片上形成连接。空气桥包括在第一超导区域和第二超导区域之间的超导材料的条带，所述第二超导区域通过不连续处与所述第一超导区域分离。所述条带的第一端包括第一平面端部，其附接到且平行于所述第一超导区域，并且所述条带的第二端包括第二平面端部，其附接到且平行于所述第二超导区域。所述条带包括在所述第一平面端部和第二平面端部之间的中间部。所述中间部形成弯曲，远离由第一超导区域和第二超导区域限定的平面，在所述中间部和所述平面之间留下了空白空间。第一分离线将第一平面端部与中间部分离，并且第二分离线将第二平面端部与中间部分离。所述第一分离线和第二分离线的至少一个不指向为横向跨越所述条带。

根据一种实施例，条带通过在所述第一端和第二端之间的两个纵向边缘限制，并且所述中间部沿着所述两个纵向边缘之间的中间线从所述第一分离线到所述第二分离线的长度，不同于所述中间部沿着两个纵向边缘的任意一个的长度。这具有的优点是，通过使用相对简单的制造方法，可以让中间部在至少两个不同的方向上表现出弯曲。

根据一种实施例，第一分离线的两端比第一分离线的中间点更靠近条带的第一端；并且第二分离线的两端比第二分离线的中间点更靠近条带的第二端。所述中间部沿着所述两个纵向边缘之间的所述中间线从所述第一分离线到所述第二分离线的长度，短于所述中间部沿着两个纵向边缘的任意一个的长度。这具有的优点是，通过使用相对简单的制造方法，可以让中间部在至少两个不同的方向上表现出弯曲。

根据一种实施例，超导材料的条带包括在彼此顶部的至少两个材料层，其中已经用不同的薄膜沉积方法沉积了所述材料层。这具有的优点是，可以让空气桥表现出高的结构强度和其他有利的结构特性。

根据一种实施例，所述中间部具有鞍形表面的形状。这具有的优点是，能够利用鞍形表面具有的固有结构稳定特性。

根据一种实施例，所述条带在垂直于所述平面的方向上的厚度是至少1微米。这具有的优点是，比更薄的空气桥明显具有更好的结构稳定性。

根据一种实施例，所述条带从所述第一端到所述第二端的长度在80和120微米之间，包括极限值。这具有的有优点是，可以让空气桥结构配合超导微电子芯片的各个部分。

根据一种实施例，所述条带在横向方向上的宽度在40和80微米之间，包括极限值。这具有的有优点是，可以让空气桥结构配合超导微电子芯片的各个部分。

根据第二方面，设置有超导芯片，其包括基板、第一超导区域和第二超导区域，所述第一超导区域和第二超导区域在所述基板的表面上，所述第二超导区域通过不连续处与所述第一超导区域分离。超导芯片包括上述种类的空气桥，其在所述第一超导区域和第二超导区域之间。

根据一种实施例，超导芯片包括电路元件，电路元件位于所述第一超导区域和第二超导区域之间的不连续处中。所述电路元件可以是例如：在其他电路元件之间的传输线、谐振器、DC通量线、DC电压偏置线、诸如控制总线的RF线、电容耦合器线。这具有的有优点是，对于将电路元件放置在超导芯片上，存在相对自由的可能性，而不必担心如何通过这种电路元件在彼此分离的超导区域之间形成导电连接。

根据第三方面，提供了一种用于产生超导连接的方法，所述超导连接跨越超导芯片的第一超导区域和第二超导区域之间的不连续处。该方法包括使用一种或多种薄膜沉积方法，以在所述第一超导区域和第二超导区域的顶部形成超导材料的条带，并跨越所述不连续处。所述条带的第一端包括第一平面端部，第一平面端部附接到并平行于所述第一超导区域；并且所述条带的第二端包括第二平面端部，第二平面端部附接到并平行于所述第二超导区域。让所述条带包括中间部，所述中间部在所述第一平面端部和第二平面端部之间。所述中间部形成为弯曲的，远离由第一超导区域和第二超导区域的表面限定的平面，在所述中间部和所述平面之间留下空白空间。所述第一平面端部和第二平面端部的至少一个形成为使得将平面端部与中间部分离的相应的分离线不指向为横向跨越所述条带。

根据一种实施例，所述一种或多种薄膜沉积方法之一是溅射。这具有的有优点是，可以相对较快地制备厚度相当大的材料层。

根据一种实施例，该方法包括：在所述条带将被分别附接到所述第一超导区域和第二超导区域的位置，从第一超导区域和第二超导区域的表面移除氧化物；并且使用第一薄膜沉积方法以将第一材料层沉积在所述位置。所述氧化物的移除能够在真空环境中就地执行，并且可以在不损害所述真空环境的真空的情况下，使用所述第一薄膜沉积方法将所述第一材料层沉积在所述位置。这具有的有优点是，能够产生非常良好的导电连接，而不必担心可能引起不期望的导电率损失的任何中间氧化。

根据一种实施例，使用离子研磨执行所述氧化物的移除，并且使用电子束蒸发执行第一材料层在所述位置的沉积。这具有的有优点是，这些方法步骤可以被组合并在同一装置中执行，只要它包括两个过程所需的能力。

根据一种实施例，该方法包括，在使用第一薄膜沉积方法在所述位置进行所述材料沉积后，使用第二薄膜沉积方法(不同的薄膜沉积方法)将第二材料层沉积在第一层的顶部。这具有的有优点是，可以相对较快地制备大量材料层，即使对于沉积最早的第一材料层来说更快的沉积方法是次优的。

根据一种实施例，所述第一平面端部和第二平面端部的至少一个形成为，使得所述中间部沿着条带的纵向边缘之间的中间线从所述第一分离线到所述第二分离线的长度，不同于所述中间部沿着两个纵向边缘的任意一个的长度。这具有的有优点是，通过使用相对简单的制造方法，可以让中间部在至少两个不同的方向上表现出弯曲。

附图说明

附图包括用于提供对本发明的进一步理解并且构成本说明书的一部分，其示出了本发明的实施例，并且与说明书一起帮助解释本发明的原理。在附图中：

图1示出了在超导芯片的表面上的导电区域之间的空气桥的示例；

图2示出了空气桥的示例实施例；

图3示出了空气桥的示例实施例；

图4示出了空气桥的示例实施例；

图5示出了一种方法；

图6示出了空气桥的示例实施例；

图7示出了空气桥的示例实施例。

具体实施方式

图1是超导芯片的一部分的俯视图。在附图中用倾斜剖面线表示的是相对伸展的超导区域，其附图标记为101到106。这些区域可以是，例如在超导芯片中的接地平面或具有固定电势的其他伸展结构的一部分。超导区域是基本二维的表面区域，其由中间材料层制成、覆盖、和/或具有中间材料层，所述中间材料层在芯片打算使用的温度下能够成为超导的。假设打算将芯片用作量子计算装置的一部分，则它可能打算在1K以下的温度下使用。能够这样使用以在芯片上形成超导区域的材料包括但不限于铝、铌、钽、钛、及其超导合金。

在图1中示出的芯片的一部分中，在超导材料中的不连续处将邻近的超导区域在芯片中彼此分离。电路元件可以位于所述不连续处；在图1中的这种电路元件的示例是其他的电路元件(这种其他的电路元件在图1中未示出)之间的传输线107以及四个谐振器108至111。这种电路元件的其他的示例是DC通量线(flux line)、DC电压偏置线、诸如携带微波信号的控制母线的RF线、和电容耦合器线。

在谐振器的下端是耦合装置，其用于在传输线107和谐振器108至111之间提供信号耦合。在本示例中，耦合装置具有两个相反指向的、T形的材料部分的形状，传输线和谐振器由所述材料制成。

空气桥设置用于在邻近的超导区域之间形成连接，跨越不连续处和位于不连续处中的电路元件。图1中示出了总共16个这种空气桥，空气桥112和113作为示例示出。

图2示出了空气桥112的放大的轴测图，空气桥112在第一超导区域104和第二超导区域105之间形成连接，所述第一超导区域104和第二超导区域105通过不连续处彼此分离。如图2所示，在芯片上的超导区域不需要完全连续：在图2的示例中，第一超导区域104和第二超导区域105的每一个示出为包括开口的规则阵列，所述开口通常称为通量阱(fluxtrap)。它们防止任何不期望的磁场的产生，否则所述磁场可能会由于电流通过相对较大的、连续的、导电的接地平面而产生。开口的尺寸是足够小的，使得在相关频率上，所讨论的超导区域具有基本上类似于连续超导区域的接地作用。图2中也示出了位于不连续处的电路元件111的一部分，所述电路元件111在本示例中是谐振器。

空气桥112包括超导材料的条带，其在第一超导区域104和第二超导区域105之间。“条带”是指构成空气桥112的材料的总体轮廓：它有些细长并且具有基本恒定的厚度，所述厚度相对于其长度和宽度较小。特别地，条带包括超导材料，其用薄膜沉积方法而沉积在第一超导区域104和第二超导区域105顶部。合适的薄膜沉积方法的示例稍后在本文中描述。与线联接相比，薄膜沉积方法的使用具有固有优点，如可以使空气桥112相对较短且刚性、并且可以将其在超导芯片上非常准确地放置到位。

条带的第一端包括第一平面部201，其附接到且平行于第一超导区域104。类似地，条带的第二端包括第二平面端部202，其附接到且平行于第二超导区域105。条带包括中间部203，中间部203在第一平面端部201和第二平面端部202之间。中间部203形成弯曲，远离由第一超导区域104和第二超导区域105的表面限定的平面，在中间部203和所述平面之间留下空白空间。这种空白空间将空气桥112与位于不连续处中的电路元件111隔离，所述不连续处将第一超导区域104和第二超导区域105分离。以图2中示出的方式选择笛卡尔坐标系的轴线，由第一超导区域104和第二超导区域105的表面限定的所述平面是xy平面或至少平行于xy平面。

已经发现，像图2中那样形成的空气桥表现出很多有利的特征。通过让薄膜沉积方法产生足够的厚度，可以使得结构坚固；条带在垂直于由第一超导区域104和第二超导区域105的表面限定的平面的方向上的厚度d优选地为至少1微米。在图2中示出的坐标系中，所述垂直方向是z方向。条带状的形状在中间部203中具有弯曲，其合理地抵抗了趋向于让空气桥坍塌的任何力。如果期望的话，通过使其由成堆的不同材料或异质结构组成能够增强条带的机械强度。如果需要的话，在没有损坏下方的电路元件111的情况下，中间部203下方的空白空间使得可以稍后断开空气桥112。

然而，用像图2中那样的空气桥进行的测量已经表示，在一些情况下可能会遇到一些次优性能。这种次优性能的至少一部分可以归咎到空气桥自身的机械振动。

图3示出了用于在超导芯片上形成连接的空气桥113的另一实施例。图3中的很多部分与图2中的对应部分类似，并且用相同的附图标记标记，因此此处不需要再次描述它们。形成空气桥113的条带的第一端包括第一平面端部301，第一平面端部301附接到并平行于第一超导区域104，并且第二端包括第二平面端部302，第二平面端部302附接到并平行于第二超导区域105。条带包括中间部303，中间部303在第一平面端部301和第二平面端部302之间，中间部303形成弯曲，远离于第一超导区域104和第二超导区域105的表面限定的平面，在中间部303和所述平面之间留有空白空间。

与图2的实施例的不同在于，条带的部分301、302、和303形成的方式。第一分离线304将第一平面端部301与中间部303分离。第二分离线305将第二平面端部302与中间部303分离。第一分离线304和第二分离线305的至少一个不指向为正好横向跨越条带。在图3的实施例中，这适用于两条分离线304和305：它们都具有弯曲的形状，该形状不同于图2的实施例中可见的直的、横向的形状。

此处，将被指向为横向跨越条带的线意味着与条带的纵向方向成直角的直线。不指向为正好横向跨越条带的分离线可以是曲线或折线(之字形)，其端部与条带的端部相距相等的距离。此外或可选地，不指向为正好横向跨越条带的分离线可以是这样的定向线：其与条带的纵向方向成不垂直的角度。

已经发现，这样形成分离线304和305使中间部303呈现为在两个方向上有些弯曲的形状，如图3中所示。这用于提供额外的结构稳定性，使得能够很大程度上避免以上参考图2提及的次优性能。

图4示出了分离线的一些可能的形状，分离线将端部与中间部分离。在图4中，每个单个的矩形代表条带形的空气桥的俯视图。在每种情况下，条带由其第一端和第二端之间的两个纵向边缘限制。在大多数情况下，中间部沿着两个纵向边缘之间的中间线(见图4中的虚线)从第一分离线到第二分离线的长度，不同于中间部沿着两个纵向边缘的任意一个的长度。在图4中示出的案例f)中，中间部沿着中间线401从第一分离线到第二分离线的长度，与中间部沿着两个纵向边缘的长度相同，但是在沿着两个纵向边缘之间的任何其他线的长度上存在明显变化。

对于图3的实施例和对于图4的案例a)、b)、c)、和h)，共有的特征是每条分离线的中间朝另一端伸出。换句话说，第一分离线的两端比第一分离线的中间点更靠近条带的第一端，并且第二分离线的两端比第二分离线的中间点更靠近条带的第二端。已经发现，形成分离线的这种方式可以让中间部呈现鞍形表面的形状，如图3中的那样。鞍形表面是沿着不同的相交平面在两个相反的方向上表现出弯曲的表面。例如，在图3中，中间部303在xz平面的横截面示出以下曲线形状：所述曲线形状的中间点离由第一超导区域104和第二超导区域105的表面限定的平面最近。中间部303在yz平面的横截面示出以下曲线形状：所述曲线形状的中间点离所述平面最远。

在案例g)和h)中，第一分离线的中间比第一分离线的任一端更靠近条带的第一端，并且第二分离线的中间比第二分离线的任一端更靠近条带的第二端。形成分离线的这种方式将趋向于让中间部呈现气泡的形状，再次在两个方向上表现出弯曲，尽管在这种情况下，垂直的横截面示出为在两个方向上类似指向地弯曲，不是像在鞍形表面中那样相反地指向。

在图4中的案例d)是这样的示例：其中分离线之一可以简单地指向为横向跨越条带，而另一分离线不指向为横向跨越条带。这种原则可以推广为覆盖其他分离线的所有可能的形状，而不仅仅是如图4的案例d)那样类似于案例b)。

在图4中的案例h)提醒了，条带的端部不需要是直的和/或垂直于条带的纵向方向。这种原则可以推广到具有所有类型的分离线的条带，而不仅仅是类似于图4中的案例c)的那些。

类似于图2，在图3的实施例中，条带在z方向上的厚度d优选为至少1微米。可以让空气桥更薄，但是以削弱结构稳定性为代价。发现条带的其他的有利尺寸是条带从其第一端到其第二端的长度在80和120微米之间，包括这些极限值；并且所述条带在横向方向上的宽度在40和80微米之间，包括这些极限值。

关于构成空气桥的超导材料的条带，发现有利的是，条带包括在彼此顶部的至少两个材料层。根据一个实施例，所述材料层用不同的薄膜沉积方法沉积。接下来参考图5考虑制备上述种类的空气桥的这个方面或其他的方面。

图5示出了一种方法的五个主要步骤。关于每一步骤，在左侧示出有轴测图，在右侧示出有横截面。在图5的顶部步骤中，虚线画出的并且与左侧结构相交的想象平面示出了右侧截取的横截面的平面。

在图5中示出的第一步骤包括，提供基板501和用图案化的光刻胶覆盖其表面502。此处，正如在所有其他的实施例中，基板501可以是任何合适的材料，其用作超导芯片的结构支撑层。基板材料的示例包括但不限于，硅、砷化镓和蓝宝石。

用光刻胶502覆盖的表面在其上包括第一超导区域和第二超导区域，所述第一超导区域和第二超导区域与空气桥连接，但是第一超导区域和第二超导区域没有在图5中单独示出。在光刻胶中的图案包括两个开口503和504，所述开口位于条带的第一平面端部和第二平面端部将被放置在完成的空气桥中的位置。光刻胶件505完整地留在开口503和504之间：所述光刻胶件将最终限定在空气桥的中间部下方的空白空间。

在图5中的第一步骤示出了，开口503和504的彼此面对的那些边缘不是直的，或者至少不遵循跨越连接两个开口的中心点的想象直线的直接横向路径。在本实施例中，所述边缘都具有宽的V形，其中V的中间角彼此面对。这种方法步骤对限定在条带的平面端部和中间部之间的分离线的形状具有重要的影响，因为所述分离线将遵循开口的这些边缘的路线。

附图涉及了一定的简化，其中所有的材料层通过严格的平面切面限制：实际上，在光刻胶中将开口503和504形成为使得它们相互面对边缘的中间点更靠近彼此，这倾向于使得在开口之间的完整的光刻胶件505在其最窄的部分更薄。这将有助于形成中间部具有鞍形表面形状的空气桥。

在图5中示出的第二步骤包括，使用一种或多种薄膜沉积方法以沉积材料层511。材料层511的一部分最终在图案化的光刻胶上形成超导材料的条带。很多薄膜沉积方法这样的固有能力：跨越下层基板的所有几何形状，制备厚度基本平均的保形材料层。这在图5的第二步骤中右侧的横截面中示意性示出。同样在轴测附图中可以注意到，在下层图案化的光刻胶中开口503和504的位置处，凹槽513和514出现在材料层511的可见表面上。

可以用单一的薄膜沉积方法制备整个材料层511。然而，发现有利的是，至少在一些案例中利用几个不同的薄膜沉积方法。溅射作为这种方法之一是有利的，因为它可以有利地涉及沉积材料层的厚度的快速增长率。

在一种有利的实施例中，图5中示出的第二步骤包括，在超导材料的条带将被附接到第一超导区域和第二超导区域的位置，从第一超导区域和第二超导区域的表面移除氧化物。这些位置通过在光刻胶502中的开口503和504是可见的和可接近的。随后，使用第一薄膜沉积方法来将第一材料层沉积在所述位置。氧化物的移除可以在真空环境中就地执行。为了防止任何另外的氧化物形成，有利的是，在不损害其间的所述真空环境的真空的情况下，使用所述第一薄膜沉积方法将所述第一材料层沉积在所述位置。可选地，随着将基板快速加载到诸如真空的保护性环境中，可以使用诸如用氢氟酸进行化学腐蚀的非原位方法来移除氧化物。

移除氧化物的一种有利的方法是离子研磨，并且在所述位置沉积第一材料层的一种有利方法是电子束蒸发。所述第一材料层可以例如由铝组成，并且相较于完成条带的最终厚度，其厚度可以相对较小。使用电子束蒸发，可以将例如20纳米厚的铝层沉积为第一层。

第二不同的薄膜沉积方法可以用来将第二材料层沉积在第一层的顶部。选择什么方法和材料可以根据存在何种薄膜沉积系统和它们具有何种特征。材料之一可以具有例如良好的超导特性，而另一材料可以具有良好的结构强度，或可利用将层厚度快速增长到约1微米的期望范围的方法进行沉积。正如先前解释的那样，根据例如涉及的材料的特性和它们在复合结构中的相互作用，可以使用较薄的(或较厚的)材料层形成空气桥。

图5中示出的第三步骤包括，制备另一层图案化的光刻胶521。这次仅在先前步骤中沉积的材料层511的部分被构成条带形的空气桥的光刻胶521覆盖。

在图5中示出的第四步骤中，材料层511没有被最新的光刻胶521覆盖的那部分被移除。最新的光刻胶521保护构成空气桥的材料层511的条带形部分。在光刻胶521的端部和侧部可能形成一些腔体，示出为531和532，但是光刻胶521大部分保护其下方的材料层511的部分。

最终，移除所有剩余的光刻胶。此最后步骤不仅移除在条带顶部的保护性光刻胶521，而且移除仍然被保留在中间部的下方的第一光刻胶的部分505，留下图5的最后步骤中示出的结构。

图6和图7示出了能够在超导芯片中使用空气桥的另外的实施例。在图6的示例中，超导芯片包括基板和在其表面上的第一线形超导区域601，所述超导区域601的一端在图6中可见。线形的超导区域601可以是例如谐振器或信号传导传输线的一部分。第一超导区域601的端部在基板表面上被第二超导区域形式的接地平面602围绕。它通过不连续处603与第一超导区域分离。空气桥604设置在第一超导区域601的端部和接地平面602之间，桥接不连续处603。这是一种示例，说明在任何情况下，空气桥不是必须仅用于连接通过位于不连续处的一些实际电路元件而彼此分离的两个超导区域。空气桥604可以是上文已经描述的任何种类。

图7示出了超导芯片的一部分，所述超导芯片包括基板和在其表面上的第一线形超导区域701。类似于图6，第一线形的超导区域701可以构成例如谐振器或信号传导传输线的一部分。存在第二线形的超导区域702，其也可以是例如谐振器或信号传导传输线的一部分。这两个超导区域的每一个都被相应的接地平面703或704的U形部分围绕。不连续处705和706分别将第一超导区域701与第一U形接地平面部分703分离和将第二超导区域702与第二U形接地平面部分704分离。另外的线形超导区域707在线性的不连续处延伸，所述不连续处将U形的接地平面部分703和704彼此分离。另外的线形超导区域707可以是例如谐振器或信号传导传输线的一部分。

在第一超导区域701和第二超导区域702之间的第一空气桥708跨越分离的不连续处而将其连接到彼此，所述不连续处是U形的接地平面部分703和704的连接部分以及另外的线形的超导区域707。在U形的接地平面部分703和704之间的两个其他的空气桥709和710跨越不连续处将其连接在一起，另外的线形的超导区域707位于所述不连续处中。

对本领与技术人员明显的是，随着技术的进步，可以用各种方式实施本发明的基本理念。本发明及其实施例因此不限于上述的示例，而是，它们可以在权利要求书的范围中变化。