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一种混合型CMOS-忆阻全加器电路

摘要

本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路,包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3,第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8,第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5。该电路通过调节忆阻器阻态、CMOS管的导通和截止来实现全加运算的功能,电路结构简单,对忆阻数字逻辑电路的研究具有重大意义。

著录项

  • 公开/公告号CN113285705A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN202110456022.9

  • 申请日2021-04-26

  • 分类号H03K19/017(20060101);

  • 代理机构33233 浙江永鼎律师事务所;

  • 代理人陆永强

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区二号路

  • 入库时间 2023-06-19 12:16:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    授权

    发明专利权授予

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