一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法，所述材料为Na掺杂和Pb固溶的SnSe晶体，Sn、Se、Pb和Na的摩尔比为(1‑x‑y):1：y：x；其中，0.015≤x≤0.025，0.05≤y≤0.11。本发明提供的P型SnSe晶体可用于热电制冷材料，室温下，其功率因子PF≥70μWcm‑1K‑2，室温ZT值≥1.2；基于所得SnSe晶体搭建的单臂温差测试平台，可在2A的电流下实现～17.6K的制冷温差。本发明通过改良定向凝固法，利用连续温区缓慢降温生长晶体，得到了较大尺寸的高质量SnSe晶体，且在全温区范围内热电性能优异，在无毒、价格低廉、环境友好、质量轻的新型SnSe晶体材料中实现了较好的热电制冷性能。