一种二维纳米SnSe₂晶体材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种二维纳米SnSe₂晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe₂晶体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成SnSe₂，并通过沉积载气带入下游温区，在衬底上沉积成为二维纳米SnSe₂晶体材料。利用本发明方法，制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米SnSe₂晶体材料，厚度为3～10个原子层(1～3层SnSe₂的厚度)，在电子器件的应用中具有广阔前景。