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一种Ag量子点修饰的高熵氧化物光催化剂制备方法

摘要

本发明公开了一种Ag量子点修饰的高熵氧化物Ag‑(CoMgNiZnCu)O光催化剂的制备方法,是基于(CoMgNiZnCu)O高熵纳米粒子表面上沉积Ag量子点的制备方法,利用原位光还原法制备Ag‑(CoMgNiZnCu)O异质结,由于(CoMgNiZnCu)O高熵纳米粒子具有相对较低的空穴迁移率,导致电子空穴复合几率明显增加,从而降低了材料的催化效率,为此在其表面上沉积Ag量子点可以增大比表面积,有利于电子空穴对的分离,从而有效提升有机污染物罗丹明B的降解效率,其降解率可高达98.6%。本发明实现了可见光‑电‑化学催化之间的高效转换,在有机废水处理领域有广阔的应用前景,且制备工艺简单,适合工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN113181922A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌航空大学;

    申请/专利号CN202110501167.6

  • 申请日2021-05-08

  • 分类号B01J23/80(20060101);B01J23/89(20060101);C02F1/30(20060101);C02F101/30(20060101);

  • 代理机构36111 南昌洪达专利事务所;

  • 代理人刘凌峰

  • 地址 330063 江西省南昌市丰和南大道696号

  • 入库时间 2023-06-19 12:04:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J23/80 专利申请号:2021105011676 申请公布日:20210730

    发明专利申请公布后的驳回

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