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在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术

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摘要

公开了用于将高带宽存储器设备耦合在硅衬底和封装衬底上的技术。示例包括基于操作模式选择性地激活在高带宽设备的逻辑层的底侧上的输入/输出(I/O)触点或者命令和地址(CA)触点。I/O触点和CA触点用于经由一个或多个数据通道对包括在所述高带宽存储器设备中的一个或多个存储器设备进行存取。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-11-04

专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C 5/02 专利申请号:2020109981200 登记生效日:20221025 变更事项:申请人变更前权利人:英特尔公司变更后权利人:太浩研究有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚变更后权利人:爱尔兰都柏林

专利申请权、专利权的转移

1. 在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术 [P] . 中国专利： CN113096699A . 2021-07-09
2. 制成具有绝缘体上硅衬底的嵌入式存储器设备的方法 [P] . 中国专利： CN107078035B . 2018.12.21
3. Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate [P] . US11056179B2 . 2021-07-06

机译：在硅衬底和封装基板上耦合高带宽存储器件的技术
4. TECHNIQUES TO COUPLE HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE ON SILICON SUBSTRATE AND PACKAGE SUBSTRATE [P] . KR20210089568A . 2021-07-16

机译：在硅衬底和封装基板上耦合高带宽存储器件的技术
5. TECHNIQUES TO COUPLE HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE ON SILICON SUBSTRATE AND PACKAGE SUBSTRATE [P] . US2021335414A1 . 2021-10-28

机译：硅衬底和封装基板上的高带宽存储装置的技术