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一种降低泄漏功率的多阈值CMOS电路

摘要

本发明公开了一种降低泄漏功率的多阈值CMOS电路,包括逻辑电路、NMOS/PMOS管并联电路,所述逻辑电路接入NMOS/PMOS管并联电路,在NMOS/PMOS管并联电路上形成Sleep端口及Bias端口,其不需要任何复杂的控制电路,设计和实现简单,使漏电功率和与数字功率门控电路相关的噪声最小化。

著录项

  • 公开/公告号CN113098467A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202110225825.3

  • 发明设计人 李世彬;黄志茗;蒲熙;庞统猛;

    申请日2021-03-01

  • 分类号H03K17/30(20060101);

  • 代理机构51244 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人贾波;贺立中

  • 地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 11:45:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-26

    授权

    发明专利权授予

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