一种可有效减少SiC单晶缺陷的方法及装置

摘要

本发明为一种可有效减少SiC单晶缺陷的方法及装置，属于晶体制备领域，是针对现有SiC在制备过程中原料利用率低的缺陷所提出，其包括：坩埚、籽晶和导流罩，坩埚包括坩埚盖和坩埚主体，在坩埚主体内设有原料区，导流罩通过凸台安装在坩埚主体的内壁上，且位于原料区上方，籽晶固定在坩埚盖内侧，且籽晶位于导流罩顶部开口内，在原料区内填充有两种不同粒径的碳化硅原料一和碳化硅原料二，碳化硅原料一与碳化硅原料二被环形石墨滤网分隔，且碳化硅原料一位于环形石墨滤网内部，碳化硅原料二位于环形石墨滤网外周；在导流罩的外侧设有石墨片，石墨片粘贴在坩埚主体和坩埚盖的内壁上。本发明通过填充不同孔径的碳化硅原料来提高原料利用率。