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二硫化钼/二硒化钼垂直异质结及其制备方法

摘要

本发明公开了一种二硫化钼/二硒化钼垂直异质结及其制备方法,所述方法包括真空条件下,加热高温区的原料I和低温区的原料II,硫化,升温硒化,得到所述二硫化钼/二硒化钼垂直异质结;其中,所述原料I包含钼箔,所述原料II包含硫源和硒源;所述高温区位于所述低温区的气体下游。本发明提出的二硫化钼/二硒化钼垂直异质结的制备方法,通过二步化学气相沉积制备大面积、高质量的二硫化钼/二硒化钼垂直异质结材料,操作简单、可控性高、产物易转移。

著录项

  • 公开/公告号CN113035942A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN201911358089.8

  • 发明设计人 刘伟;蔡倩;

    申请日2019-12-25

  • 分类号H01L29/24(20060101);C23C16/30(20060101);

  • 代理机构11540 北京元周律知识产权代理有限公司;

  • 代理人校丽丽

  • 地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

  • 入库时间 2023-06-19 11:35:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    授权

    发明专利权授予

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