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具有子鳍电接触的相邻结构的环栅集成电路结构

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摘要

描述了具有子鳍电接触的相邻结构的环栅集成电路结构。例如，集成电路结构包括半导体衬底上的半导体岛。水平纳米线的竖直布置在从半导体衬底伸出的鳍的上面。水平纳米线的竖直布置的沟道区与鳍电隔离。鳍电耦合到半导体岛。栅极堆叠在水平纳米线的竖直布置上方。

公开/公告号CN112992897A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN202011023694.2
发明设计人 B·古哈;W·徐;林崇勋;K·波亚;O·戈隆茨卡;T·加尼;
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申请日2020-09-25
分类号H01L27/088(20060101);H01L29/775(20060101);H01L29/78(20060101);B82Y10/00(20110101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人付曼;姜冰
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 11:27:38

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-01-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 专利申请号:2020110236942 申请日:20200925

实质审查的生效

1. 具有子鳍电接触的相邻结构的环栅集成电路结构 [P] . 中国专利： CN112992897A . 2021-06-18
2. 具有绝缘体上应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构 [P] . 中国专利： CN113851541A . 2021-12-28
3. GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADJACENT STRUCTURES FOR SUB-FIN ELECTRICAL CONTACT [P] . US2021184014A1 . 2021-06-17

机译：具有相邻结构的栅极 - 全部集成电路结构，用于子鳍电接触
4. Integrated circuit structure incorporating multiple gate-all-around field effect transistors having different drive currents and method [P] . 美国专利： US10170484B1 . 2019-01-01

机译：集成了具有不同驱动电流的多个环栅场效应晶体管的集成电路结构和方法
5. GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADJACENT DEEP VIA SUBSTRATE CONTACTS FOR SUB-FIN ELECTRICAL CONTACT [P] . EP3840045A1 . 2021-06-23

机译：门 - 全部围绕具有相邻的深度通过基板触点的深度电连接，用于子鳍电接触