抑制晶圆上的缺陷、金属颗粒污染和膜生长的系统和方法

摘要

提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜(包括含金属的膜)当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，并通过光化辐射曝光感兴趣区域。光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应。该方法还包括从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层，从而阻挡金属颗粒和膜的粘附。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月13日提交的美国临时申请号62/760,589的优先权权益，该美国临时申请的全部内容通过援引并入本文。

背景技术

本披露内容涉及半导体晶圆的微制造。对硅晶圆进行加工以制成集成电路和其他半导体器件。半导体制造涉及晶圆的沉积、生长、图案化、去除和清洁的许多不同步骤。添加和去除或部分地去除各种不同的材料，而保留其他材料。各种过程控制试图防止缺陷和污染。

发明内容

在一个方面，本披露内容涉及一种对衬底进行加工的方法。该方法包括：接收衬底，该衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面；用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面；通过光化辐射曝光感兴趣区域，该光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应；以及从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层。

在一个方面，对衬底进行加工的该方法包括：接收衬底，该衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面；用牺牲膜涂覆该前侧表面的目标区，该牺牲膜具有防止特定材料粘附到该目标区的表面；用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，该自组装单层不能粘附到该牺牲膜，该自组装单层为疏水性；以及从该前侧表面的目标区去除该牺牲膜。

在一个方面，对衬底进行加工的该方法包括：接收衬底，该衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面；用牺牲膜涂覆该前侧表面的目标区；用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，该自组装单层为疏水性；以及从该前侧表面的目标区去除该牺牲膜，其中，去除该牺牲膜也去除了附着到该牺牲膜的自组装单层，从而使该目标区没有该自组装单层。

应注意的是，本发明内容部分并未指明本披露内容或要求保护的发明的所有实施例和/或递增的新颖实施方面。相反，本发明内容仅提供了对不同实施例以及与常规技术相比的新颖性对应点的初步讨论。对于本发明和实施例的附加细节和/或可能的观点而言，读者应查阅如以下进一步讨论的本披露内容的具体实施方式部分和相应附图。

附图说明

图1A是示出了根据一个示例的衬底的侧视图的示意图。

图1B是示出了根据一个示例的衬底的俯视图的示意图。

图2是示出了根据一个示例的过程流程的示意图。

图3是示出了根据一个示例的自组装单层(SAM)抑制过程流程的示意图。

图4是根据一个示例的用于抑制衬底上的缺陷、金属颗粒污染和膜生长的方法的流程图。

图5是示出了根据一个示例的用于SAM去除的示例性方法的示意图。

图6是示出了根据一个示例的用于SAM去除的另一示例性方法的示意图。

图7是示出了根据一个示例的用于SAM去除的另一示例性方法的示意图。

图8是示出了根据一个示例的SAM材料的示例性结构的示意图。

图9是示出了根据一个示例的烃链SAM层的示意图。

图10是示出了根据一个示例的氟化链SAM层的示意图。

具体实施方式

现在参考附图，其中在全部几个视图中相同的附图标记表示相同或相应的部分，以下描述涉及一种用于通过使用自组装单层涂层来防止污染的系统和相关联的方法。然而，本文描述的技术提供了能够使用含金属的材料，同时防止来自这些材料的污染、缺陷和不必要的膜生长的涂覆工艺。技术包括将自组装单层(SAM)作为阻挡层选择性地施加和去除。技术可以包括控制SAM沉积的量以及SAM去除的量。

当施加先进的可光图案化的材料和含有金属的蚀刻停止层时，半导体晶圆上的金属污染是特别的挑战。这些含金属的材料可用于在晶圆上产生高图案，并且在光学光刻内启用三维逻辑、极紫外光刻(EUV)和其他先进的图案化方案。然而，由于存在污染的可能性，使用含金属的材料具有挑战性。

存在单模块和多模块方法以通过增材法和减材法两种方法选择性地阻挡金属颗粒和含金属的光材料(例如，光致抗蚀剂，底部抗反射涂层(BARC)，含金属硬掩模(MHM)的材料)的粘附来限制金属污染。该工艺的额外影响是试图提供一种更清洁的边缘工艺，以使用当前可用于生产的常规材料来改善晶圆边缘和背面的缺陷率。

控制边缘和背面缺陷率的常规技术在防止材料累积方面不太有效。例如，产生牺牲层的边缘涂层可能在晶圆上保留缺陷。此外，不太有效的旋涂材料涂层可能导致边缘涂层屏障，这会破坏涂层性能。

图1A是示出了根据一个示例的衬底100的侧视图的示意图。衬底100可以包括前侧表面102(即，工作表面)、背侧表面104和侧边缘表面106。在一个示例中，衬底100是圆盘形的并且相对较薄。图1B中示出了衬底100的俯视图。前侧表面102的边缘区108是从前侧表面的周边朝向前侧表面的中心点延伸预定距离的环形区。预定距离可以在1mm至5mm的范围内。该环形区或第一环形区可以紧邻衬底的周边。该第一环形区具有靠近该衬底的周边的第一外周边和远离该衬底的周边的第一内周边。在一个示例中，边缘区108对应于其中没有构建有源器件的区。

因此，本文的技术包括在半导体衬底(晶圆)的选定部分上形成保护膜的方法。在一个实施例中，将特定的SAM涂覆在衬底上。如本文先前所描述的，该衬底可以包括前侧表面(工作表面)和背侧表面、以及侧边缘表面。通常，这种衬底是圆盘形的并且相对较薄。衬底上形成有初始SAM涂层。该初始SAM涂层可以覆盖所有表面，即，前侧表面、背侧表面和侧表面。这种单体涂层可以例如使用气相沉积或其他沉积技术来施加。通过非限制性示例的方式，沉积条件可以是环境温度至300摄氏度的真空或大气室。取决于所施加涂层的类型和预期应用，沉积条件可以调整到该范围之外。与卤素的反应可以形成HCl(盐酸)，而与OH(羟基)的反应可以形成水。当硅以SiO终止时，附着的水分可以使SiOH的表面稳定。在SAM的初始沉积之后，可以冲洗衬底以去除任何未结合的聚合物或单体材料。

在衬底被完全涂覆的情况下，将光投影到特定目标区域上。例如，通常的衬底可以具有呈圆形且平坦的工作表面(前侧表面)。投影目标区域可以是直径小于该工作表面的外径的圆，从而在该工作表面上留下未曝光于光化辐射的外部环。曝光可以经由基于掩模的投影系统或无掩模的投影系统来执行。然后可以根据所选SAM的组成用溶剂或碱对SAM膜进行显影，或者可以使用光将分子的一部分分馏并在大气压或低压下作为小分子留下。因此，光化曝光可以使SAM分子发生部分光氧化、然后可以使其在极性溶剂中被洗掉。

未曝光于光化辐射的区域可以使完整的SAM保持完好无损并粘附到衬底。这些区域可以包括背侧表面、侧表面、以及前侧表面的外围边缘。因此，这些区域保持为疏水性。取决于特定衬底表面的物理特性，未被SAM覆盖的衬底的部分则可以为亲水性。结果就是：除了工作表面上的感兴趣的有源区域以外，衬底是受保护的。可以保护衬底的剩余表面免受原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)、溶剂润湿、去离子水(DIW)润湿以及聚合物粘附的影响。针对该抑制过程，可以诸如通过不使用臭氧或氧等离子体来优化初始ALD生长。

超疏水性表面保留在衬底前侧表面的极边缘上，但是，可以在加工具有产生缺陷的风险的材料(含有金属的材料或其他污染物)之后去除该保留的层以用于下游加工。可以将存在化学分解区域的表面改性为疏水性或亲水性，以适应直接涂覆来改善粘附，从而代替现有的气相涂底工艺或表面钝化层。可以通过利用“点击化学”反应来产生表面化学反应。

图2是示出了根据一个示例的过程流程的示意图。在步骤200处，可以在从室温到300℃的温度的真空或大气压下使用气相沉积来施加单体涂层。衬底100具有涂覆在衬底100的前侧表面102上、衬底100的背侧表面104上、以及衬底100的侧边缘表面106上的初始自组装单层(SAM)。在气相SAM附着之后，可以冲洗衬底100，以去除任何未结合的聚合物。步骤202示出了在特定目标区域曝光于光之后的衬底100。然后，如本领域普通技术人员将理解的，膜可以在溶剂或碱中进行显影。这引起SAM分子发生部分光氧化。步骤204示出了在冲洗衬底100以洗去任何极性溶剂之后的衬底。在步骤206处，衬底100具有两个区：第一区208和第二区210。第一区208具有改性的涂层。在第一区208(或曝光区)中，大多数聚合物链被去除，并且剩余组分为亲水性。由于阻挡材料的类型，第二区210中不会发生涂覆或沉积。SAM附着会使得SAM未与烷烃链接触的区域在第二区210中向外延伸。第二区210为疏水性。在第二区210(或非曝光区)上，ALD/CVD沉积、溶剂润湿、DIW润湿和聚合物粘附被抑制。

图3是示出了根据一个示例的SAM抑制过程流程的示意图。可以使用控制旋钮等来控制曝光。控制曝光能够调节SAM损耗，这进而与可控成核抑制或改善的立足点相关。如步骤302至310所示，随着剂量的增加，更多的SAM受到了抑制并且在衬底100的表面上形成了更多的原子层沉积(ALD)分子。

量子效率可能较低，但这提供了一个线性过程窗口，以实现对SAM的受控去除。高剂量/通量可以与沉积工具匹配。取决于单体组成，可以选择各种波长中的任一种。在一个示例中，波长可以在170nm至400nm的范围内。

图4是根据一个示例的用于抑制衬底上的缺陷、金属颗粒污染和膜生长的方法400的流程图。在步骤402处，通过气相沉积将光敏分子附着在衬底100的整个表面，以产生超疏水性表面。例如，可以将某些SAM形成为具有非润湿的表面，以防止液体粘附。此类表面可以描述疏水性。具体地，此类表面可以在排斥水或以其他方式防止水以及某些其他液体(包括一些溶剂)粘附的范围内具有表面接触角。

在步骤404处，将特定能量的光施加到感兴趣区域或目标区域，以将分子从该感兴趣区域或目标区域的表面释放。对应的分子在与投影的光相互作用时分解。

在步骤406处，对感兴趣区域进行进一步加工，如以下进一步描述的。例如，可以将光化学物质或膜(例如，光致抗蚀剂、BARC、有机平坦化层(OPL)、含金属的膜、氧化物、氮化物)施加到分子被去除或断裂的表面上，光化学物质或膜。在分子未被去除的位置处，膜和涂层会受到排斥并且不会粘附。

图5示出了在过程的不同步骤处衬底100的前侧表面和背侧表面。502示出了硅衬底的前侧表面，并且504示出了硅衬底的背侧表面。在一个实施例中，使用允许附着到衬底或晶圆的整个表面的气相沉积工艺以高密度施加包含发色团的如聚四氟乙烯SAM(自组装单层)。506和508分别示出了在SAM沉积之后衬底100的前侧表面和背侧表面。除了需要被保护免受金属和缺陷影响的外围边缘以外，晶圆的前侧表面可以曝光于光化辐射，如本文稍后所述。510和512示出了在曝光之后衬底的前侧表面和背侧表面。将SAM层曝光于辐射使附着在发色团处的其中一部分分子释放而免于粘附到表面，并且可以在真空中将其去除或使其挥发并去除。随后的含金属材料的涂层将不会粘附到晶圆边缘。在旋铸的含金属的材料的情况下，用常规的半导体溶剂或强酸和碱，残留的滴液可以具有很高的去除率而不会损坏晶圆表面。在通过原子层沉积(ALD)沉积的金属膜、氮化物、氧化物等的情况下，表面被钝化，并且在该位置不会发生ALD型反应所需的表面化学物质。示意图514和516示出了在下游加工之后衬底100的前侧表面和背侧表面。

在另一实施例中，使用光投影硬件将光剂量输送到衬底(或晶圆)上的感兴趣区域(例如，衬底的中心区)，以便对自组装单层进行光分解。可以选择的示例材料是365nm发色团硝基苄基基团。在另一示例中，所选择的266nm发色团在晶圆表面上具有Si-O-Si键。将阻挡(疏水性)SAM气相涂覆到整个衬底上，然后从晶圆的正面去除中心部分，从而留下绕晶圆边缘部分的环。随后，可以在晶圆的顶部边缘和底部部分受到保护的情况下执行下游工艺。

随后的含金属材料的涂层将不会粘附到晶圆边缘，因为材料尚在未曝光位置(例如，衬底的边缘)进行改性。在旋铸的含金属的材料的情况下，残留的液滴将很容易地用常规的半导体溶剂冲洗掉。在含金属的膜的情况下，表面被钝化，并且在未曝光区不会发生ALD型反应所需的表面化学物质。

在另一实施例中，本文描述的技术使用光投影硬件将光剂量输送到感兴趣区域，以便解吸感兴趣区域(例如，衬底的中心区)中的整个分子。图6是展示了该技术的示意图。602和604示出了硅衬底的前侧表面和背侧表面。606和608展示了具有气相涂覆的阻挡SAM层的前侧表面和背侧表面。610示出了曝光于266nm光的感兴趣区域或目标区域。612示出了未曝光于266nm光的衬底的背侧表面。随后的含金属的材料的涂层将不会粘附到晶圆边缘，因为该材料尚未从如由614和616示出的未曝光区解吸。在旋铸的含金属的材料的情况下，残留的液滴将很容易地用常规的半导体溶剂冲洗掉，而在含金属的膜的情况下，表面被钝化，并且在未曝光区不会发生ALD型反应所需的表面化学物质。

在另一实施例中，本文描述的技术使用诸如非交联光致抗蚀剂、BARC或薄膜聚合物等材料的牺牲层，以将晶圆的中心部分阻挡到边缘区域。该方法包括：在用阻挡SAM涂覆晶圆之前，首先选择性地沉积或形成牺牲聚合物层。参照图3，牺牲聚合物层形成在衬底的器件区中。该器件区可以是当半导体器件形成时晶圆的工作表面。基本上，圆形区域比衬底的前侧表面的直径略小。牺牲聚合物层的直径可以比衬底的前侧表面的直径小几毫米至几厘米。牺牲聚合物层基本上起到防止疏水性SAM被涂覆在该区域中的作用。

当执行阻挡SAM的气相涂覆沉积时，将单体涂层施加到衬底的所有表面(除了包含牺牲聚合物的区以外)。SAM基本上涂覆在背侧表面上、侧边缘表面上、以及前侧表面的外环上。然后可以去除牺牲聚合物层，从而留下衬底的SAM保护区域(除了有源器件形成区域以外)。

图7是展示了以下描述的技术的步骤的示意图。702和704分别示出了硅衬底的前侧表面和背侧表面。706和708示出了在将牺牲聚合物层沉积或形成在衬底上之后衬底的前侧表面和背侧表面。如图7(706)所示，仅目标区域被牺牲聚合物层覆盖。剩余的未被阻挡的边缘表面(超过145nm，取决于芯片制造商)用如聚四氟乙烯的光响应SAM进行处理，以防止涂层粘附和/或成膜。710和712示出了在用SAM处理之后衬底的前侧表面和背侧表面。然后使用溶剂湿式剥除将晶圆中心部分中的牺牲聚合物去除，从而留下电阻涂层。714示出了在牺牲聚合物层被去除之后衬底的前侧表面。SAM表面处于工作表面的极边缘部分。随后的含金属材料的涂层将不会粘附到晶圆边缘，如718所示。另外，随后的涂层将不会粘附到衬底的背侧表面，如由716和720所示。在旋铸的含金属的材料的情况下，残留的液滴可以很容易地用常规的半导体溶剂冲洗掉。在含金属的膜的情况下，表面被钝化，并且在该位置不会发生ALD型反应所需的表面化学物质。

在可选择的发色团去除或改性之后，若干选项可用于后续加工。一个实施例包括去除分子(SAM)的不粘黏部分，并且然后，使用剩余的材料代替六甲基二硅氮烷(HMDS)化学物质作为增粘剂。给定的不粘黏点击分子可以用不同的末端来代替，以修改表面接触角，从而改善显影剂的底部释放。可以去除曝光区域中硅表面处的整个分子。高度选择性的化学物质(含Si的化学物质、金属氧化物、类TEOS(原硅酸四乙酯))可以被改变以表现为蚀刻硬掩模。而且，在去除涂层阻挡部分之后，分子的晶圆吸附部分可以在365nm下交联以用于高温应用。

注意，可以使用各种材料来执行本文的技术。图8示出了本文可以使用的示例材料。SAM 800是布置在物质的两个相之间的界面处的分子的有组织的组装体。示例SAM 800(或分子)设计可以具有头部802(或头部基团)、可裂解基团804和尾部806(或尾部基团或抑制剂)。头部802朝向界面定位，而尾部806远离界面定位。

头部802可以是任何合适的化学物质，包括三氯-单-羟基-二硫戊环。可裂解基团804可以是基于硝基苄基的，基于羰基的或基于苄基的。可以基于波长选择可裂解基团804。

尾部806可以是相对长的惰性直链烃部分。尾部806包括远离界面取向的完全或部分氟化的烃链。尾部806可以包括2-30个碳长的烷烃。尾部806可以包括额外的分支并且具有不同的形状。

沉积的SAM前体分子的长度可以根据应用而变化，并且可以决定或控制衬底上的网状固体的厚度(高度)。对于一些应用，优选0.5nm至1.5nm的厚度。

图9进一步展示了本文可以使用的示例性分子。分子902和904是烃链。分子902显示了2-硝基苄基，3-(11-巯基十一烷酸酯)，5-十一烷的结构。分子904是2-硝基苄基-(11-三氯甲硅烷基)-十一烷酸酯。

图10进一步展示了本文可以使用的示例性分子。分子1002和1004显示了氟化链的示例。具体地，分子1002是2-硝基苄基，3-(11-氟巯基十一烷酸酯)，5十一烷。分子1004是2-硝基苄基-(11-三氯甲硅烷基)-氟十一烷酸酯。

在一个示例中，可以如下所述地合成2-硝基苄基11-(三氯甲硅烷基)十一烷酸酯。该反应优选在黑暗条件下进行。例如，可以使用铝箔从反应中排除光。

在第一步骤中，将2.0g(9.9mmol)十一碳-10-烯酰氯添加到1.68g(10.9mmol)(2-硝基苯基)甲醇的溶液中。通过将甲醇溶解在0.88ml(10.9mmol)吡啶和40ml二氯甲烷的混合物中获得(2-硝基苯基)甲醇溶液。将反应在环境温度下搅拌48小时，直到观察到完全转化。有机层用3×20mL的5％盐酸溶液萃取，以除去过量的吡啶和20mL的饱和碳酸氢钠溶液，然后经硫酸钠干燥。真空去除溶剂，并随后进行使用环己烷/乙酸乙酯(8:1)柱分离以纯化产物。以理论产率的83％获得了2.63g的白色底物。

在第二步骤中，将1.0g(7.4mmol)的三氯硅烷添加至1.0g(3.1mmol)的(2-硝基苄基十一碳-10-烯酸酯)溶解在5ml二氯甲烷中的溶液中。作为催化剂，使用六氯铂酸。将反应在环境温度下搅拌24小时，直到观察到完全转化。

示例性收率：1.38g白色淡黄色液体(理论收率的97.3％)。

在其他实施例中，可以使用用作疏水性材料和氟化材料的超支化碳材料。

在其他实施例中，可以使用双功能光反应发色团。可以用780nm激光实现双光子去保护，从而提供进行近场感应图案化的通道。

一个实施例包括一种对衬底进行加工的方法。可以将衬底(诸如硅晶圆)接收或转移到加工室中。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。衬底可以包括斜边、缺口等。用自组装单层涂覆前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。自组装单层为疏水性(或至少具有疏水性的初始状态)。注意，对衬底的后续加工及曝光于其他化学物质与物种可以使该初始表面能降级、改变或改性为可以是疏水性更强或更弱的第二表面能。自组装单层可以是氟化材料、超支化含碳材料或其他疏水性材料。

通过光化辐射曝光前侧表面的中心区。该中心区的表面积小于前侧表面的表面积。光化辐射引起与中心区内自组装单层发生去保护反应。例如，该自组装单层可以包括对预定光波长具有反应性的发色团或其他添加剂。然后，从前侧表面的中心区去除该自组装单层，而在衬底的剩余表面上保留该自组装单层。换言之，用疏水性膜涂覆整个晶圆，并且然后将该膜选择性地从工作表面的一部分去除，从而在该工作表面的边缘上留下一圈疏水性材料。

在衬底的中心区未覆盖疏水性涂层、而该衬底的剩余部分覆盖有疏水性涂层的情况下，另外的加工可以继续。例如，可以通过旋涂沉积在衬底上沉积含金属的膜。这使得含金属的膜粘附到未覆盖的中心区，而不会粘附(或完全粘附)到涂覆有自组装单层的表面。

在其他实施例中，衬底首先可以使牺牲膜形成在衬底的内部区上，例如，从而使工作表面的周边不会被牺牲膜覆盖。该牺牲膜可以被选择用于可选地防止自组装单层的粘附或接受自组装单层的粘附。如果所使用的给定牺牲膜防止自组装单层的粘附，则可以用涂覆其他表面但不能粘附到该牺牲膜的SAM涂覆整个衬底。然后可以去除该牺牲膜，以露出该工作表面的内部区。替代性地，如果使用的给定牺牲膜接受SAM的粘附，则将疏水性自组装单层涂覆在衬底的所有表面上(包括牺牲膜)。随后，去除牺牲膜或将其从衬底上剥离，这在该过程中去除了粘附到牺牲膜的自组装单层材料。这使得内部区不再被牺牲膜或自组装单层覆盖，而衬底的剩余表面仍被疏水性材料覆盖。

当然，为了清楚起见，已经提出了本文所述的不同步骤的讨论顺序。通常，这些步骤可以以任何合适的顺序执行。另外，尽管可能在本披露内容的不同地方讨论了本文中的每个不同特征、技术、构造等，但是旨在每个概念可以彼此独立地或彼此组合地执行。因此，可以以许多不同的方式来实施和查看本发明。

在前面的描述中，已经阐明了具体细节，诸如处理系统的特定几何形状以及对其中使用的各种部件和工艺的描述。然而，应当理解，本文的技术可以在脱离这些具体细节的其他实施例中实践，并且这些细节是出于解释而非限制的目的。已经参考附图描述了本文披露的实施例。类似地，出于解释的目的，已经提出了具体的数字、材料和配置以便提供透彻的理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践实施例。具有基本相同的功能结构的部件由相似的附图标记表示，并且因此可以省略任何多余的描述。

已经将各种技术描述为多个独立的操作以帮助理解各种实施例。描述的顺序不应当解释为意味着这些操作一定是依赖于顺序的。实际上，这些操作无需按照呈现的顺序执行。可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行所描述的操作。在附加实施例中，可以执行各种附加操作和/或可以省略所描述的操作。

如本文所使用的，“衬底”或“目标衬底”通常是指根据本发明被处理的对象。衬底可以包括器件(特别是半导体或其他电子器件)的任何材料部分或结构，并且可以例如是基础衬底结构(诸如，半导体晶圆、掩膜版)、或基础衬底结构之上或上覆的层(诸如，薄膜)。因此，衬底不限于图案化或未图案化的任何特定基础结构、下层或上覆层，而是设想为包括任何这种层或基础结构、以及层和/或基础结构的任何组合。该描述可以参考特定类型的衬底，但这仅出于说明目的。

本领域技术人员还将理解，在仍然实现本发明的相同目的的同时，可以对上述技术的操作做出许多改变。本披露内容的范围旨在包含这些改变。因此，本发明的实施例的前述描述不旨在是限制性的。相反，对本发明实施例的任何限制在所附权利要求中进行了呈现。