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单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种单分子层有机半导体层及有机场效应晶体管的制备方法,单分子层有机半导体层的制备方法包括:提供一衬底;配制聚合物溶液;将衬底在聚合物溶液中进行提拉处理,以制备单分子层有机半导体层。单分子层有机半导体层的制备方法操作简单,成本低,可以实现大面积单分子层有机半导体层的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN112951999A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202110284016.X

  • 申请日2021-03-17

  • 分类号H01L51/05(20060101);H01L51/40(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人房德权

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 11:21:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-20

    授权

    发明专利权授予

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