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公开/公告号CN112951999A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202110284016.X
发明设计人 林雪梅;李蒙蒙;卢年端;李泠;刘明;
申请日2021-03-17
分类号H01L51/05(20060101);H01L51/40(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 11:21:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-20
授权
发明专利权授予
机译: 由有机半导体层上的层材料制备层的方法,该方法可用于由导电聚合物生产具有顶部接触结构的有机场效应晶体管
机译: 大量处理分子自组装单分子层的工艺-作为制备有机场效应晶体管的栅极电介质-
机译: 具有改善有机半导体和栅绝缘层的界面性能的自组装单分子层组合物,以及使用该方法制造薄膜晶体管的方法
机译:在金属氧化物上的多功能膦酸自组装单分子层,作为电介质,界面改性层和半导体,用于低压高性能有机场效应晶体管
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯的有机半导体异质结构作为电荷传输层和陷阱层的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:紫外线固化的金属氧化物上的膦酸自组装单分子层,用作低压有机场效应晶体管的栅极电介质
机译:界面混合层对金属 - 有机半导体薄膜 - 数值研究的界面混合层对金属 - 有机半导体薄膜的影响 - 用晶格Boltzmann方法
机译:用于有机场效应晶体管和有机光伏器件的基于并苯的有机半导体的结构-功能关系
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:自组装单分子层的电荷陷阱是有机场效应晶体管阈值电压漂移的根源
机译:自组装单分子层在银和金上的比较:混合单分子层