公开/公告号CN112921380A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林理工大学;
申请/专利号CN202110075650.2
申请日2021-01-20
分类号C25D11/12(20060101);C25D11/20(20060101);C25D11/24(20060101);G03F1/78(20120101);
代理机构51241 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙);
代理人宋红宾
地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
入库时间 2023-06-19 11:19:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-22
授权
发明专利权授予
机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的方法,用于生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的基质光源单元,光源二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译: 发光二极管,其制造方法,集成发光二极管,其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的基板,光源单元,光源二极管背光源和发光二极管照明设备,发光二极管显示器,电子设备,电子设备及其制造方法
机译: 3使用碳纳米管的三极管电子发射器件,使用该碳纳米管制造相同的平板显示器的方法以及在阳极氧化铝模板中形成碳纳米管的方法