公开/公告号CN112925735A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202011010899.7
申请日2020-09-23
分类号G06F13/42(20060101);G06F15/78(20060101);G06F30/392(20200101);G06F115/02(20200101);G06F115/08(20200101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘文灿
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 11:19:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F13/42 专利申请号:2020110108997 申请日:20200923
实质审查的生效
机译: 半导体器件和在半导体管芯上形成屏蔽层的方法,该半导体管芯布置在互连结构的空腔中并通过管芯TSV接地
机译: 包括这种互连结构的PAD互连结构,半导体管芯和管芯组件上的支柱以及相关方法
机译: 包括这种互连结构的PAD互连结构,半导体管芯和管芯组件上的支柱以及相关方法