一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置

摘要

本发明公开了一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置，属于电力电子与电力传动技术领域。本发明装置，包括：控制信号延时子电路，所述控制信号延时子电路接入控制信号及电流，并根据控制信号控制电流流入稳态子电路；稳态子电路，所述稳态子电路接入电流后，模拟MOSFET器件的开通及关断过程中漏源极电压及电流的变化，输出断态时漏源极电压及通态时漏源极电流；开通暂态子电路，所述开通态子电路以断态时漏源极电压作为控制对象，模拟MOSFET器件开通过程的漏源极电压；关断暂态子电路，所述关断暂态子电路以通态时漏源极电流作为控制对象，模拟MOSFET器件关断过程的漏源极电流。本发明体现了SIC MOSFET稳态工作特性及开通瞬态特性与关断瞬态特性。