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半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法

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摘要

本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

著录项

公开/公告号CN101276792B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-13

原文格式PDF
申请/专利权人富士通株式会社;日立电线株式会社;
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申请/专利号CN200810090314.X
发明设计人今西健治;吉川俊英;田中丈士;守谷美彦;乙木洋平;
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申请日2008-03-28
分类号H01L23/00(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人张龙哺
地址日本神奈川县川崎市
入库时间 2022-08-23 09:13:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/00 登记生效日:20160314 变更前: 变更后: 申请日:20080328

专利申请权、专利权的转移
2015-10-07

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20150911 申请日:20080328

专利申请权、专利权的转移
2015-04-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20150312 申请日:20080328

专利申请权、专利权的转移
2013-03-13

授权

授权
2008-11-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-10-01

公开

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