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一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极及制备和应用

摘要

本发明涉及一种具有可控体相和表面氧空位的三氧化钨光电极及其制备并协同调控体相和表面氧空位的方法。采用两步氢火焰高温快速焙烧法可实现在金属W基底原位生长具有高结晶度的WO3薄膜。通过增加第一步的焙烧时间,WO3薄膜体相中的氧空位浓度逐渐降低。通过增加第二步的焙烧时间,可实现在基本不改变体相氧空位浓度的同时,降低WO3薄膜表面的氧空位浓度。不同于已公开报道的先实现电极制备后引入/调控氧空位的思路及对应的方法,该方法可以同时实现WO3电极的制备和氧空位的调控,此外,与其他的氧空位调控方法相比,该方法可以实现WO3光阳极体相和表面氧空位的协同调控,有望进一步提高WO3光阳极的光电催化水氧化活性及稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN112875836A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院大连化学物理研究所;

    申请/专利号CN201911201693.X

  • 发明设计人 李灿;邵晨熠;宗旭;

    申请日2019-11-29

  • 分类号C02F1/72(20060101);C02F1/467(20060101);C02F1/461(20060101);

  • 代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人郑伟健

  • 地址 116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号

  • 入库时间 2023-06-19 11:13:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-11

    授权

    发明专利权授予

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