公开/公告号CN112875836A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院大连化学物理研究所;
申请/专利号CN201911201693.X
申请日2019-11-29
分类号C02F1/72(20060101);C02F1/467(20060101);C02F1/461(20060101);
代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;
代理人郑伟健
地址 116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号
入库时间 2023-06-19 11:13:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-11
授权
发明专利权授予
机译: 具有能够形成增强的裸露区的具有不对称空位浓度分布的理想氧沉淀硅晶片的制备方法
机译: 铋钒酸盐电极富含表面氧空位,其制备方法及其应用
机译: 具有不对称空位浓度分布的理想的氧析出硅片及其制备方法