公开/公告号CN112876235A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州金宏气体股份有限公司;
申请/专利号CN202110117198.1
申请日2021-01-28
分类号C04B35/453(20060101);C04B35/622(20060101);C04B41/87(20060101);H01L41/18(20060101);H01L41/187(20060101);H01L41/37(20130101);H01L41/43(20130101);
代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;
代理人孙娜
地址 215000 江苏省苏州市相城区东桥镇安民路6号
入库时间 2023-06-19 11:13:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-28
著录事项变更 IPC(主分类):H01L41/187 专利申请号:2021101171981 变更事项:申请人 变更前:苏州金宏气体股份有限公司 变更后:金宏气体股份有限公司 变更事项:地址 变更前:215000 江苏省苏州市相城区东桥镇安民路6号 变更后:215152 江苏省苏州市相城区黄埭镇潘阳工业园安民路6号
著录事项变更
机译: 基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
机译: 器件半驱动器具有异质结和双通道,其在场效应晶体管中的应用及其在负跨导器件中的应用
机译: 异质结和双通道半导体器件,其在场效应晶体管中的应用,及其在负极性晶体管器件中的应用