使光刻线条变窄的方法及光刻机

摘要

本发明涉及光刻技术领域，具体来说是一种使光刻线条变窄的方法及光刻机，进行至少两次曝光，以在所述的至少两次曝光的重叠部分形成所需的光刻部。本发明同现有技术相比，组合结构简单可行，其优点在于：原创性地设计了使光刻线条变窄的方法，通过至少两次的先后曝光，在曝光的重叠部分形成所需的光刻部，其能够克服现有技术的不足满足纳米级的曝光需求，且有助于降低光刻工艺的成本；还设计了实现掩膜版位移的具体方法和设备结构，实现了纳米级和亚纳米级的掩膜版位移。