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公开/公告号CN112851365A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中材高新氮化物陶瓷有限公司;
申请/专利号CN202110140908.2
发明设计人 张伟儒;张晶;孙峰;董廷霞;李泽坤;李洪浩;徐金梦;荆赫;吕沛远;
申请日2021-02-02
分类号C04B35/584(20060101);C04B35/64(20060101);
代理机构11569 北京高沃律师事务所;
代理人赵晓琳
地址 255000 山东省淄博市高新区开发区北路9号
入库时间 2023-06-19 11:09:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-29
授权
发明专利权授予
机译: 氮化硅基导电陶瓷
机译: 氮化物用硅基质,氮化物表皮基质和氮化物半导体表皮制备方法
机译: 一种在基材上涂覆基材的方法,一种贮存稳定的组合物和一种可固化的复相涂料。
机译:氮化硅基导电陶瓷。第1部分。影响研究
机译:一种简单的有机叠氮化物的制备方法-立体隐蔽的苯乙烯基叠氮化物(T)BU(3)SNN(3)和(T)BU(2)SN(N-3)2的合成和结构[德国]
机译:氮化硅基陶瓷的晶界相还原和刀具特性
机译:一种新型纤维光栅制备方法:用相屏蔽技术绘制塔式光栅的单脉冲激光器
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:分离NF-E2相关因子2(Nrf2)这是一种与β-珠蛋白基因座控制区域的串联NF-E2 / AP1重复序列结合的NF-E2类碱性亮氨酸拉链转录激活因子。
机译:氮化铝和氧化钇为添加剂的液相烧结碳化硅基陶瓷的氧化研究。
机译:β - 氮化硅晶须/氮化硅基复合材料的力学性能。