一种大电压裕度范围的匹配电路偏置方法

摘要

本发明涉及一种大电压裕度范围的匹配电路偏置方法，包括主电路和偏置产生电路，主电路包括晶体管M1和M2，电源Vdd依次通过电阻R、晶体管M2和M1接地；偏置产生电路包括晶体管M3～M6，电源Vdd依次通过电流镜I0、晶体管M4和M3接地，电源Vdd依次通过电流镜I2、晶体管M6和M5接地；在偏置电路中设有电压裕度提升电路，电压裕度提升电路包括电阻Rs和电流源Is，在晶体管M4的漏极与晶体管M3的栅极之间串联电阻Rs，在电阻Rs的上下方向各串联电流源Is，在晶体管M5和M6之间插入晶体管Mx，将Vg2提升IsRs。本发明可以有效提升电流镜电压裕度范围，而更适合于有关大电压裕度范围的应用。