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一种用于ESD保护的低压SCR器件

摘要

本发明属于静电防护技术领域,提供一种用于ESD保护的低压单向/双向SCR器件;相较于传统静电防护器件,本发明采用新型结构设计使得器件的辅助触发通路(正向/反向)包含3个N+/P‑WELL二极管,进而使得器件的直流阻塞能力得到增强,从而获得比传统静电防护器件更低的漏电流、更低的静态功耗、以及更加稳定的寄生电容值,获得更好的静电防护效果;相较于现有用于ESD保护的低功耗双向SCR器件,本发明采用新型结构设计能够避免器件结构中潜在的PNPN串通现象,使得低压双向SCR器件在工作电压为1.5V时不会出现漏电流陡增现象,即本发明器件在1.5V以上、1.8V以下的工作电压时依然能够实现有效的、较低功耗的ESD保护。

著录项

  • 公开/公告号CN112864149A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202110024135.1

  • 申请日2021-01-08

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人甘茂

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 11:06:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-02

    授权

    发明专利权授予

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