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公开/公告号CN112864149A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110024135.1
发明设计人 刘志伟;卿乙宏;张钰鑫;李洁翎;杜飞波;
申请日2021-01-08
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 11:06:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-02
授权
发明专利权授予
机译: 低压触发的SOI-SCR器件及相关的ESD保护电路
机译:-SCR器件,用于低压CMOS技术中的宽带ESD保护
机译:具有低压大电流触发特性的横向SCR器件,用于亚微米CMOS技术中的输出ESD保护
机译:用于深亚微米低压CMOS IC的栅极耦合PTLSCR / NTLSCR ESD保护电路
机译:大电流低压触发SCR器件在嘈杂环境中为CMOS ASIC提供ESD保护
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:用于筛选在田纳西州橡树岭橡树岭保护区对水生生物群产生影响的潜在污染物的毒理学基准。环境恢复计划EsD出版物3940