半导体结构的制造方法及两种半导体结构

摘要

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和两种半导体结构，制造方法包括：提供基底以及硅层，且所述基底暴露出所述硅层顶面；沉积处理，在所述硅层上形成合金层，所述沉积处理在含氮氛围下进行，且所述含氮氛围中的氮原子浓度随沉积处理时间的增加而增加；对所述合金层以及所述硅层进行退火处理。本发明实施例中，氮原子浓度增加能够控制合金层的硅化反应，从而避免线宽效应，并降低半导体结构的电阻。