首页> 中国专利> 人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法

人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法

摘要

本发明涉及一种人工晶体生长的温场调控装置。所述人工晶体生长的温场调控装置包括温场调节单元、控制单元以及电磁屏蔽结构。所述温场调节单元包括盖设在晶体溶液容器上方的保温盖,所述保温盖的侧壁上设置有垂直距离不同的散热窗,每个散热窗上都设有可改变散热窗孔洞大小的调节板;所述控制单元根据当前温度信息、电源功率信息以及晶体直径信息,实时调整各调节板的开合方向及速度,实现晶体生长温场的动态调整;所述电磁屏蔽结构消除电磁场对装置的负面影响。本发明保证了高品质大尺寸人工光电单晶的稳定生长,并显著降低单晶生长的电能消耗,具有很强的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN112795980A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN202011521644.7

  • 申请日2020-12-21

  • 分类号C30B15/20(20060101);

  • 代理机构44425 广州骏思知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴静芝

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2023-06-19 11:00:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-20

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号