公开/公告号CN112799329A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 珠海市一微半导体有限公司;
申请/专利号CN202110054035.3
申请日2021-01-15
分类号G05B19/042(20060101);
代理机构
代理人
地址 519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-514(集中办公区)
入库时间 2023-06-19 11:00:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
授权
发明专利权授予
机译: 数字总线异构网络访问控制具有每个第一分组和第二分组形成的第一分组的访问级别,并且具有相关联的相同访问级别插入级别的第二分组访问字段
机译: 用于访问RAM存储器,特别是SRAM存储器的电路具有时钟脉冲屏蔽单元,用于根据施加到其的使能信号来抑制对存储器的访问。
机译: 具有多个可与时钟同步操作的SRAM的半导体存储器件,允许同时访问多个数据