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分时钟访问SRAM的控制系统及异构SOC芯片

摘要

本发明公开分时钟访问SRAM的控制系统及异构SOC芯片,所述控制系统分出两个频率合成器,通过逻辑门控制对相应的输出时钟同频同相(同步)访问的方式,实现相继控制第一SRAM颗粒和第二SRAM颗粒的读写操作,使得在向第一SRAM颗粒写入数据的过程中控制第二SRAM颗粒停止读写操作以进入休眠状态,直到填满第一SRAM颗粒或读出第一SRAM颗粒内部所有数据后,再通过逻辑门处理的时钟信号控制第二SRAM颗粒开始读写操作,实现所述控制系统低功耗分时段分内存区域访问处理成批量的传感器数据的技术效果,当运用于多个传感器的定位系统时增强系统的续航能力。

著录项

  • 公开/公告号CN112799329A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 珠海市一微半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110054035.3

  • 发明设计人 肖刚军;赵伟兵;邓文拔;许登科;

    申请日2021-01-15

  • 分类号G05B19/042(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-514(集中办公区)

  • 入库时间 2023-06-19 11:00:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    授权

    发明专利权授予

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