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一种高石墨化且富含介孔的纳米碳洋葱的制备方法

摘要

本发明涉及一种高石墨化且富含介孔的纳米碳洋葱的制备方法。本发明提出了一种采用学气相沉积方法先制备实心纳米碳球,再通过放电等离子烧结过程强化碳球石墨结构,最后通过刻蚀方法去除碳球中无定形碳从而得到一种多介孔的、高石墨化纳米碳洋葱。该方法具有简便、易扩大、绿色环保等优点。且所得这种新型结构的纳米碳材料具有良好的电学和力学性能,具有巨大的潜在应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN112758915A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 温州大学;

    申请/专利号CN202011606132.0

  • 申请日2020-12-30

  • 分类号C01B32/18(20170101);C01B32/205(20170101);

  • 代理机构33258 温州名创知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱海晓

  • 地址 325035 浙江省温州市瓯海区茶山高教园区

  • 入库时间 2023-06-19 10:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-22

    授权

    发明专利权授予

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