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公开/公告号CN112746257A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳技术大学;
申请/专利号CN202011535692.1
发明设计人 安红雨;叶志祥;仇明侠;
申请日2020-12-23
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/18(20060101);
代理机构44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人徐凯凯
地址 518118 广东省深圳市坪山区兰田路3002号
入库时间 2023-06-19 10:52:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-11
授权
发明专利权授予
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译: 该有机异质结太阳能电池在包括电活性层并具有垂直的区域中的有机异质结太阳能电池。
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:W / MgO / Ag异质结的D-轨道双退化诱导的巨型垂直磁各向异性
机译:磁隧道结具有近零时刻锰纳米层,具有垂直磁各向异性
机译:具有垂直磁各向异性的自旋阀约瑟夫森结,用于低温记忆
机译:具有异质栅介电结构的Ge / Si异质结Ge / Si异质结栅极-漏极下叠置垂直隧道FET的线性度品质因数,以提高器件可靠性的研究
机译:异质结半导体三极管:一种新的垂直器件。
机译:具有界面垂直磁各向异性的磁隧道结纳米柱的失效分析
机译:增加磁隧道结装置的能效旋转扭矩切换,具有高阶垂直磁各向异性
机译:具有T形发射极金属特征的磷化铟双异质结双极晶体管具有超过200GHz的截止频率