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公开/公告号CN112731775A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;
申请/专利号CN202110011356.5
发明设计人 程宇;纪明岐;朱至渊;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群;
申请日2021-01-06
分类号G03F7/20(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人焦健
地址 上海市浦东新区新吴区新洲路30号
入库时间 2023-06-19 10:48:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-04
授权
发明专利权授予
机译: 用于反转光刻图案和包括高深宽比结构的半导体器件的技术
机译: 在纯还原等离子体中去除高深宽比光刻胶的方法
机译:通过多步等离子刻蚀和角落光刻技术对高深宽比结构进行晶圆级3D成型
机译:使用泄漏介电光刻胶快速制造具有高深宽比的电动流体微/纳米结构
机译:球形光刻和金属辅助化学刻蚀制备高深宽比硅纳米结构及其润湿性
机译:利用x射线光刻技术制备无缺陷的高深宽比SU-8抗蚀剂结构的技术
机译:高深宽比硬质X射线防区板的制备和表征与超纳米晶金刚石模具。
机译:改变高深宽比结构的表面形态的不同方法
机译:具有超对数树宽的图形中优化问题的改进近似算法
机译:在图形处理单元上实现宽基线匹配算法