首页> 中国专利> 一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法

一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模方法

摘要

本发明公开了一种基于误差函数精度补偿的GaN HEMT建模修正方法,包括:获取原始经验基模型的所有第一参数值;根据固定值改变第一参数值得到第二参数值;根据第二参数值和第二参数值对应的第一参数值得到若干敏感参数;根据敏感参数得到不同栅压下的敏感参数的参数值;根据栅压和栅压下的敏感参数的参数值得到第一经验基模型;根据第一经验基模型的第二拟合值和实测值得到误差的拟合值;根据误差的拟合值和预设误差阈值得到第二经验基模型。本发明提供了一种针对经验基模型的准确性修正方法,主要提升经验基模型对器件直流的拟合精度,进一步提升经验基模型的大信号拟合精度,并且提升电路设计的效率和准确性。

著录项

  • 公开/公告号CN112733477A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202011626803.X

  • 申请日2020-12-30

  • 分类号G06F30/3308(20200101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘长春

  • 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 10:48:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-11

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号