从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法

摘要

本文中所描述的是一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；和从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年9月24日递交的美国申请62/735,377的优先权，所述美国申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本文中的描述总体上涉及一种图案化过程和一种对期望的图案的搜索。更具体地，本文中的描述涉及一种用于确定与期望的图案匹配的场图案或衬底图案内的图案的设备或方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情形下，替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生与IC的单层对应的电路图案，并且这种图案可以被成像至具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至每个目标部分上来照射所述目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由束对图案进行扫描的同时平行于或反向平行于这种方向同步地扫描衬底来照射每个目标部分。

在将电路图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可以经历各种工序，诸如涂底漆、抗蚀剂涂覆和软焙烤。在曝光之后，衬底可能经受其它过程，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤，和转印后的电路图案的测量/检查。工序的这种阵列被用作制造例如IC的装置的单个层的基础。衬底随后可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子植入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有过程都预期最终完成所述器件的单个层。如果在器件中需要若干层，则针对每个层重复整个工序或其变型。最终，在衬底上的每个目标部分中将存在器件。随后通过诸如切块或锯切之类的技术使这些器件彼此分离，由此可以将单独的器件安装在载体上、连接至针脚，等等。

因而，制造诸如半导体器件之类的器件通常涉及使用一定数目的制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子植入来制造和处理这些层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，并且随后将所述器件分离成单独的器件。这种器件制造过程可以被视为图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置进行图案化步骤，诸如光学光刻和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转印至衬底，并且图案化过程通常但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备来蚀刻图案，等等。

发明内容

根据实施例，提供一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括以下步骤用于：获得(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；和经由处理器从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。在实施例中，所述第二特征与所述第一特征相邻。

在实施例中，所述相对位置被限定在所述搜索图案的所述第一特征的元件与所述第二特征的元件之间。

在实施例中，所述元件包括相应特征的边缘和/或顶点。

在实施例中，所述第一搜索条件还包括与所述特征的元件之间的相对位置和/或所述特征的尺寸相关联的公差极限。

在实施例中，所述第一特征和所述第二特征位于相同层上。

在实施例中，所述第一特征和所述第二特征位于不同层上。

在实施例中，所述方法还包括：获得围绕所述搜索图案的边界框以及与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和经由所述处理器，从所述候选图案的第一集合确定满足与所述边界框相关联的所述第二搜索条件的候选图案的第二集合。

在实施例中，所述第二搜索条件包括所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的相对位置。

在实施例中，所述相对位置是所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的距离、和/或角度。

在实施例中，所述第二搜索条件还包括与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限。

在实施例中，所述第二搜索条件与所述搜索图案的最靠近于所述边界框的特征相关联。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数。

在实施例中，其中所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：所述特征的边缘；所述特征的大小；和所述特征的形貌。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：基于所述第二搜索条件来调整围绕所述搜索图案的边界框；和从所述候选图案的第一集合确定满足与调整后的边界框相关联的所述第二搜索条件的所述候选图案的第二集合。

在实施例中，调整所述边界框包括：相对于场图案的特征的大小的增加和/或减小以及所述第二搜索条件，增加和/或减小所述边界框的大小。

在实施例中，所述边界框的大小的增加量和/或减小量在与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

在实施例中，从所印制的衬底的图案的图像和/或所述衬底的模拟图案获得所述图案集合。

在实施例中，从扫描电子显微镜图像获得所述图案集合。

在实施例中，所述搜索图案包括多个特征，其中所述多个特征在所述衬底的相同层上和/或在所述衬底的不同层上。

此外，根据实施例，提供一种从图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)基于与搜索图案的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合的候选图案的第一集合、(ii)围绕所述搜索图案的边界框、和(iii)与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和基于所述第二搜索条件从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合。

在实施例中，所述第二搜索条件是所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的距离、和/或角度。

在实施例中，所述第二搜索条件还包括与介于所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的所述距离和/或所述角度相关联的公差极限。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的所述候选图案的第一集合选择图案子集合。

在实施例中，所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：所述特征的边缘；所述特征的大小；和所述特征的形貌。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：基于所述第二搜索条件来调整围绕所述搜索图案的边界框；和从所述候选图案的第一集合确定满足与调整后的边界框相关联的所述第二搜索条件的所述候选图案的第二集合。

在实施例中，调整所述边界框包括：根据所述场图案的特征的大小和所述第二搜索条件，增加和/或减小所述边界框的大小。

在实施例中，所述边界框的大小的增加量和/或减小量在与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

此外，根据实施例，提供一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法。所述方法包括：获得(i)基于与搜索图案的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合的候选图案的第一集合、(ii)围绕所述搜索图案的边界框、和(iii)与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和基于所述第二搜索条件从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。

在实施例中，所述额外特征与所述搜索图案的特征相邻且在所述边界框内。

在实施例中，所述额外特征与所述搜索图案的特征位于相同层上和/或与所述搜索图案的特征位于不同层上。

在实施例中，所述额外特征不与相对于所述搜索图案的特征或所述边界框的约束相关联。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的所述候选图案的第一集合选择图案子集合。

在实施例中，所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：所述特征的边缘；所述特征的大小；和所述特征的形貌。

此外，根据实施例，提供一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法。所述方法包括：经由接口，在所述搜索图案的第一特征与第二特征之间应用第一条件；经由处理器，基于所述第一约束在图案集合上确定候选图案的第一集合；经由所述接口，绘制围绕所述搜索图案的边界框；经由所述接口，在所述第一特征或所述第二特征与所述边界框之间应用第二条件；以及经由所述处理器基于所述第二条件，从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。

在实施例中，应用所述第一条件包括：选择所述搜索图案的所述第一特征的边缘和所述第二特征的边缘；分配所选择的边缘之间的距离；和/或向所选择的边缘之间的所述距离分配公差极限。

此外，根据实施例，提供一种产生搜索图案数据库的方法。所述方法包括：获得图案集合，所述图案集合中的图案包括多个特征；经由接口，将搜索条件集合应用于所述图案集合以产生搜索图案集合，其中搜索图案与搜索条件相关联；经由处理器，评估在与所述图案集合的一个或更多个特征相关联的一个或更多个搜索条件之间是否存在冲突；以及经由所述处理器储存所述搜索图案集合和不存在冲突的相关联的搜索条件集合。

在实施例中，评估所述冲突包括：识别所述图案集合的具有相同搜索条件的特征；和/或确定所述搜索条件是否超过与所述图案集合中的图案的特征有关的预定阈值；和/或显示所识别的特征以修改所述条件从而消除冲突。

此外，根据实施例，提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施上文所论述的任何方法的步骤。

附图说明

图1示意性地描绘根据实施例的光刻设备。

图2示意性地描绘根据实施例的光刻单元或光刻簇的实施例。

图3A至图3C是根据实施例的与搜索图案相关联的示例图案定义。

图4是根据实施例的从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法的流程图。

图5是根据实施例的用于从图案化过程的图案集合确定候选图案的另一方法的流程图。

图6是根据实施例的用于从图案化过程的图案集合确定候选图案的又一方法的流程图。

图7是根据实施例的用于从图案化过程的图案集合确定候选图案的再一方法的流程图。

图8是根据实施例的用于产生搜索图案的方法的流程图。

图9是根据实施例的具有多个特征的搜索图案的示例。

图10是根据实施例的场图案或所印制的衬底图案的示例。

图11A和图11B是根据实施例的在从图10的场图案确定与图9的搜索图案匹配的候选图案集合时所涉及的中间步骤的结果的快照。

图12图示根据实施例的对图11A和图11B的边界框的示例调整。

图13是根据实施例的其中所述第二候选图案包括额外特征的搜索结果的示例。

图14示意性地描绘根据实施例的扫描电子显微镜(SEM)的实施例。

图15示意性地描绘根据实施例的电子束检查设备的实施例。

图16是根据实施例的示例计算机系统的框图。

图17是根据实施例的另一光刻投影设备的示意图。

图18是根据实施例的图17中的设备的更详细视图。

图19是根据实施例的图17和图18的设备的源收集器模块的更详细视图。

现将参考附图详细地描述实施例，提供所述附图作为说明性示例以便使本领域技术人员能够实践所述实施例。注意，以下图和示例不意味着将范围限于单个实施例，但借助于所描述的或所图示的元件中的一些或全部元件的互换而使其它实施例是可能的。只要方便，将在整个附图中使用相同的附图标号以指代相同或类似部分。在可以使用已知的部件来部分地或完全地实施这些实施例的某些元件的情况下，将仅描述理解所述实施例所必需的这些已知的部件的那些部分，并且将省略这些已知的部件的其它部分的详细描述以免混淆所述实施例的描述。在本说明书中，示出单数部件的实施例不应视是限制性的；而是，除非本文中另有明确陈述，否则范围意图涵盖包括多个相同的部件的其它实施例，并且反之亦然。此外，除非如此明确阐述，否则申请人不意图使本说明书或权利要求中的任何术语被认为是不常见的或特定涵义。此外，范围涵盖本文中通过图示方式而提及的部件的目前和未来已知的等效物。

具体实施方式

在详细地描述实施例之前，呈现可以实施实施例的示例环境是具有指导性的。

图1示意性地描绘光刻设备LA的实施例。所述设备包括：

-照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射、或DUV辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且连接至被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置的第一定位装置PM；

-衬底台(例如，晶片台)WT(例如，WTa、WTb或两者)，所述衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W且被连接至被配置成根据某些参数准确地定位衬底的第二定位装置PW；以及

-投影系统(例如，折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将通过图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯且常常被称作场)上，所述投影系统被支撑在参考框架(RF)上。

如这里描绘的，所述设备属于透射类型(例如，使用透射式掩模)。替代地，所述设备可以属于反射类型(例如，使用如上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射式掩模)。

照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源为准分子激光器时，源和光刻设备可以是分立的实体。在这样的情况下，不将源视为形成光刻设备的部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD将辐射束从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如当源为汞灯时，所述源可以是设备的组成部分。源SO和照射器IL连同束传递系统BD(在需要时)可以被称作辐射系统。

照射器IL可以改变束的强度分布。照射器可以被布置成限制辐射束的径向范围，使得在照射器IL的光瞳平面中的环形区内的强度分布是非零的。另外或替代地，照射器IL可以是可操作的以限制束在光瞳平面中的分布，使得在光瞳平面中的多个等距间隔开的区段中的强度分布是非零的。辐射束在照射器IL的光瞳平面中的强度分布可以被称作照射模式。

因此，照射器IL可以包括被配置成调整束的(角度/空间)强度分布的调整器AM。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ-外部和σ-内部)。照射器IL可以是可操作的以改变束的角分布。例如，照射器可以是可操作的以改变强度分布是非零的光瞳平面中的区段的数目和角度范围。通过调整束在照射器的光瞳平面中的强度分布，可以实现不同的照射模式。例如，通过限制照射器IL的光瞳平面中的强度分布的径向范围和角度范围，强度分布可以具有多极分布，诸如偶极、四极或六极分布。可以例如通过将提供期望的照射模式的光学器件插入至照射器IL中或使用空间光调制器来获得所述照射模式。

照射器IL可以是可操作的以改变束的偏振且可以是可操作的以使用调整器AM来调整偏振。跨越照射器IL的光瞳平面的辐射束的偏振状态可以被称作偏振模式。使用不同的偏振模式可以允许在形成在衬底W上的图像中实现较大的对比度。辐射束可以是非偏振的。替代地，照射器可以被布置成使辐射束线性地偏振。辐射束的偏振方向可以跨越照射器IL的光瞳平面而变化。辐射的偏振方向在照射器IL的光瞳平面中的不同区中可以是不同的。可以依赖于照射模式来选择辐射的偏振状态。对于多极照射模式，辐射束的每个极的偏振通常可以垂直于照射器IL的光瞳平面中的所述极的位置矢量。例如，对于偶极照射模式，辐射可以在大体上垂直于平分偶极的两个相对区段的线的方向上线性地偏振。辐射束可以在两个不同的正交方向中的一个正交方向上偏振，这可以被称作X偏振状态和Y偏振状态。对于四极照射模式，每个极的区段中的辐射可以在大体上垂直于平分所述区段的线的方向上线性地偏振。这种偏振模式可以被称作XY偏振。类似地，对于六极照射模式，每个极的区段中的辐射可以在大体上垂直于平分所述区段的线的方向上线性地偏振。这种偏振模式可以被称作TE偏振。

此外，照射器IL通常包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件，或其任何组合。

因此，照射器提供在横截面中具有期望的均一性和强度分布的调节后的辐射束B。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计和诸如图案形成装置是否保持于真空环境中之类的其它条件的方式支撑图案形成装置。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术以保持图案形成装置。支撑结构可以是例如框架或台，其可以根据需要是固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置。本发明中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都可以被视为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

本发明中所使用的术语“图案形成装置”应被广泛地解释为是指可以用于在衬底的目标部分中赋予图案的任何装置。在实施例中，图案形成装置是可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应注意，例如，如果被赋予至辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则所述图案可能不会准确地对应于衬底的目标部分中的期望的图案。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于在目标部分中产生的器件(诸如，集成电路)中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻术中是众所周知的，并且包括诸如二元、交变相移和衰减相移的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每个小反射镜可以单独地倾斜，以便使入射辐射束在不同方向上反射。被倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

本发明中所使用的术语“投影系统”应被广泛地解释为涵盖如适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、磁性式、电磁式和静电式光学系统，或其任何组合。本发明中对术语“投影透镜”的任何使用都可以被视为与更上位的术语“投影系统”同义。

投影系统PS具有可以是非均一且可能影响成像至衬底W上的图案的光学传递函数。对于非偏振辐射，这样的效应可以由两个纯量映射相当良好地描述，所述两个纯量映射描述作为射出投影系统PS的辐射的光瞳平面中的位置的函数的所述辐射的透射(变迹)和相对相位(像差)。可以将能够被称作透射映射和相对相位映射的这些纯量映射表达为基底函数的全集的线性组合。特别适宜的集合为泽尼克多项式，所述泽尼克多项式形成在单位圆上定义的正交多项式集合。每个纯量映射的确定可以涉及确定这种展开式中的系数。由于泽尼克多项式在单位圆上正交，因此可以通过依次计算所测量的纯量映射与每个泽尼克多项式的内积且将这种内积除以所述泽尼克多项式的范数的平方来确定泽尼克系数。

透射映射和相对相位映射是依赖于场和系统的。即，通常，每个投影系统PS将针对每个场点(即，针对投影系统的像平面中的每个空间部位)具有不同的泽尼克展开式。可以通过经由投影系统PS投影例如来自投影系统PS的物平面(即，图案形成装置MA的平面)中的类点源的辐射且使用剪切干涉仪测量波前(即，具有相同相位的点的轨迹)来确定投影系统PS在其光瞳平面中的相对相位。剪切干涉仪是共同路径干涉仪，并且因此有利地，无需次级参考束来测量波前。剪切干涉仪可以包括投影系统的像平面(即，衬底台WT)中的衍射光栅(例如二维栅格)，和被布置成检测与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的干涉图案的检测器。干涉图案与辐射的相位与在剪切方向上的光瞳平面中的坐标的导数有关。检测器可以包括诸如电荷耦合装置(CCD)之类的感测元件的阵列。

光刻设备的投影系统PS可能不产生可见条纹，并且因此可以使用相位步进技术(诸如，移动衍射光栅)来增强波前确定的准确度。可以在衍射光栅的平面中且在垂直于测量的扫描方向的方向上执行步进。步进范围可以是一个光栅周期，并且可以使用至少三个(均一地分布)相位步进。因此，例如，可以在y方向上执行三次扫描测量，在x方向上针对不同位置执行每次扫描测量。衍射光栅的这种步进有效地将相位变化转换成强度变化，从而允许确定相位信息。光栅可以在垂直于衍射光栅的方向(z方向)上步进以校准检测器。

可以在两个垂直方向上依序地扫描衍射光栅，所述两个垂直方向可以与投影系统PS的坐标系统的轴线(x和y)重合或可以与这些轴线成角度(诸如45度)。可以在整数个光栅周期(例如，一个光栅周期)内执行扫描。扫描对在一个方向上的相位变化求平均值，从而允许重构在另一方向上的相位变化。这允许将波前确定为两个方向的函数。

可以通过经由投影系统PS投影例如来自投影系统PS的物平面(即，图案形成装置MA的平面)中的类点源的辐射且使用检测器测量与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的辐射强度来确定投影系统PS在其光瞳平面中的透射(变迹)。可以使用与用于测量波前以确定像差的检测器相同的检测器。

投影系统PS可以包括多个光学(例如，透镜)元件，并且还可以包括被配置成调整所述光学元件中的一个或更多个光学元件以便校正像差(跨越整个场的光瞳平面的相位变化)的调整机构AM。为实现这种调整，所述调整机构可以是可操作的以用一种或更多种不同的方式来操控投影系统PS内的一个或更多个光学(例如，透镜)元件。所述投影系统可以具有一坐标系，其中所述投影系统的光轴在z方向上延伸。调整机构可以是可操作的以进行以下各项的任何组合：使一个或更多个光学元件移位；使一个或更多个光学元件倾斜；和/或使一个或更多个光学元件变形。光学元件的移位可以在任何方向(x、y、z或其组合)上进行。光学元件的倾斜通常在垂直于光轴的平面外，通过绕x和/或y方向上的轴线旋转而进行，但对于非旋转对称的非球面光学元件来说可以使用绕z轴的旋转。光学元件的变形可以包括低频形状(例如，像散)和/或高频形状(例如，自由形式非球面)。可以例如通过使用一个或更多个致动器以对光学元件的一侧或更多侧施加力和/或通过使用一个或更多个加热元件以对光学元件的一个或更多个选定区进行加热来执行光学元件的变形。通常，不可能调整投影系统PS以校正变迹(跨越光瞳平面的透射变化)。可以在设计用于光刻设备LA的图案形成装置(例如，掩模)MA时使用投影系统PS的透射映射。使用计算光刻技术，图案形成装置MA可以被设计成至少部分地校正变迹。

光刻设备可以属于具有两个(双平台)或更多个台(例如，两个或更多个衬底台WTa、WTb，两个或更多个图案形成装置台，在无专用于例如促进测量和/或清洁等的衬底的情况下在投影系统下方的衬底台WTa和台WTb)的类型。在这些“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或可以在一个或更多个台上进行预备步骤的同时将一个或更多个其它台用于曝光。例如，可以使用对准传感器AS进行对准测量和/或使用水平传感器(或水准传感器)LS进行水平(高度、倾角等)测量。

光刻设备也可以属于如下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对较高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如图案形成装置与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是众所周知的，用于增加投影系统的数值孔径。本发明中所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。

因此，在光刻设备的操作中，辐射束由照射系统IL调节和提供。辐射束B入射至保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过图案形成装置被图案化。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉装置、线性编码器、2-D编码器或电容式传感器)，衬底台WT可以被准确地移动例如以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确地描绘)可以用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA，例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间。通常，可以借助于形成第一定位装置PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位装置PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器(相对于扫描仪)的情况下，支撑结构MT可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述标记可以位于目标部分之间的空间中(这些标记被称为划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被提供在图案形成装置MA上的情形中，图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。

可以在以下模式中的至少一个模式下使用所描绘的设备：

1.在步进模式下，在使支撑结构MT和衬底台WT保持基本上静止的同时将赋予至辐射束的整个图案一次性投影至目标部分C上(即，单次静态曝光)。随后，使衬底台WT在X和/或Y方向上偏移，使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式下，曝光场的最大大小限制单次静态曝光中成像的目标部分C的大小。

2.在扫描模式下，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WT，同时将赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式下，曝光场的最大大小限制单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一模式下，使支撑结构MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT，同时将赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上。在这种模式下，通常使用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地应用至利用可编程图案形成装置(诸如，上文提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。

也可以采用上文描述的使用模式的组合和/或变形例，或完全不同的使用模式。

虽然在本文中可以具体参考光刻设备在IC的制造中的使用，但是，应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的背景下，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道或涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对被曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在可适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本文中使用的术语衬底也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

在本文中使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5nm至20nm的范围内的波长)以及诸如离子束或电子束之类的粒子束。

图案形成装置上的或由其提供的各种图案可以具有不同的过程窗口，即处理变量的空间(在所述空间下，将在规格内产生图案)。涉及潜在系统性缺陷的图案规格的示例包括对颈缩、线端拉回、线薄化、CD、边缘放置、叠置、抗蚀剂顶部损失、抗蚀剂底切和/或桥接的检查。图案形成装置上或其区域上的所有图案的过程窗口都可以通过合并(例如，叠置)每个单独的图案的处理窗口来获得。所有图案的过程窗口的边界都包含一些单独的图案的过程窗口的边界。换句话说，这些单独的图案限制了所有图案的过程窗口。这些图案可以被称为“热斑”或“过程窗口限制图案(PWLP)”，它们在本文中可互换使用。当控制图案化过程的一部分时，关注热斑是可能且经济的。当所述热斑没有缺陷时，很可能所有图案都没有缺陷。

如图2所示，所述光刻设备LA可以构成光刻单元LC的一部分，并且有时称为光刻元或光刻簇，且还包括用于在衬底上进行一个或更多个曝光前和曝光后过程的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积一个或更多个抗蚀剂层的一个或更多个旋涂器SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的一个或更多个显影剂DE、一个或更多个激冷板CH和/或一个或更多个焙烤板BK。衬底运送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取一个或更多个衬底，在不同的过程设备之间移动衬底，然后将衬底传送到所述光刻设备的进料台LB。这些设备经常被统称为轨道或涂覆显影系统，并且由涂覆显影系统控制单元TCU控制，所述涂覆显影系统控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也通过光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。

为了使由光刻设备曝光的衬底被正确且一致地被曝光，和/或为了监测包括至少一个图案转印步骤(例如，光学光刻步骤)的图案化过程(例如，器件制造过程)，期望检查衬底或其它物体以测量或确定一个或更多个性质，诸如对准、重叠(例如，其可以在重叠层中的结构之间，或在已经例如通过双重图案化过程被分别设置到同一层中的结构之间)、线厚度、临界尺寸(CD)、聚焦偏移、材料性质等。由此，其中定位有光刻单元LC的制造设施也典型地包括量测系统MET，所述量测系统测量已经在所述光刻单元中或在所述光刻单元的其它物体中被处理的所述衬底W中的一些或全部。所述量测系统MET可以是所述光刻单元LC的一部分，例如它可以是所述光刻设备LA(诸如对准传感器AS)的一部分。

一个或更多个所测量的参数可以包括(例如)在图案化衬底中或其上形成的连续层之间的重叠、(例如)在图案化衬底中或其上形成的特征的临界尺寸(CD)(例如临界线宽)、光学光刻步骤的聚焦或聚焦误差、光学光刻步骤的剂量或剂量误差、光学光刻步骤的光学像差等。可以在产品衬底本身的目标上和/或在设置在所述衬底上的专用量测目标上执行所述测量。可以在抗蚀剂的显影之后但在蚀刻之前执行所述测量，或者可以在蚀刻之后执行所述测量。

存在用于对所述图案化过程中形成的结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜、基于图像的测量工具和/或各种专用工具。如上文论述的，快速且非侵入式的专用量测工具是这样一种工具：其中辐射束被引导到衬底表面上的目标上，并且测量散射(衍射/反射)束的属性。通过评估由所述衬底散射的辐射的一个或更多个性质，可以确定所述衬底的一个或更多个性质。这可以被称为基于衍射的量测。所述基于衍射的量测的一种这样的应用是在目标内的特征不对称性的测量中。例如，这可以用作重叠的量度，但是其它应用也是已知的。例如，可以通过比较衍射光谱的相对部分来测量不对称性(例如，比较周期性光栅的衍射光谱中的-1阶和+1阶)。这可以如上文描述的并且如在美国专利申请公开出版物US 2006-066855中所描述的那样完成，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文中。基于衍射的量测的另一应用是在目标内的特征宽度(CD)的测量中。这些技术可以使用下文所描述的设备和方法。

因此，在器件制备过程(例如图案化过程或光刻过程)中，衬底或其它物体可以在所述过程期间或之后经受各种类型的测量。所述测量可以确定特定的衬底是否有缺陷，可以对所述过程中使用的过程和设备建立调整(例如，在所述衬底上对准两个层或者将所述图案形成装置与所述衬底对准)，可以测量所述过程和所述设备的性能，或可以用于其它目的。测量的示例包括光学成像(例如光学显微镜)、非成像光学测量(例如基于衍射的测量，诸如ASML YieldStar量测工具、ASML SMASH量测系统)、机械测量(例如使用触笔、原子力显微镜(AFM)进行绘制)和/或非光学成像(例如扫描电子显微镜(SEM))。如美国专利号6,961,116(其全部内容通过引用并入本文)中所描述的SMASH(智能对准传感器混合)系统采用自参考干涉仪，所述自参考干涉仪产生对准标识的两个重叠且相对旋转的图像，检测光瞳平面中的强度(在所述光瞳平面中，图像的傅里叶变换导致干涉)，并根据两个图像的衍射阶之间的相位差(其表现为干扰后的阶中的强度变化)提取位置信息。

量测结果可以被直接或间接地提供至管理控制系统SCS。如果检测到误差，则可以对后续衬底的曝光进行调整(特别是在检查可以迅速且足够快地完成使得所述批次的一个或更多个其它衬底仍然处于待曝光的情况下)和/或对被曝光的衬底的后续曝光进行调整。此外，已经被曝光的衬底可以被剥离和返工以改善良率，或被废弃，由此避免对已知有缺陷的衬底执行进一步处理。在衬底的仅一些目标部分是有缺陷的情况下，可以仅对良好的那些目标部分执行进一步曝光。

在量测系统MET内，使用量测设备以确定衬底的一个或更多个属性，并且尤其是确定不同衬底的一个或更多个属性如何变化，或同一衬底的不同层的属性如何在不同层间变化。如上文指出的述，所述量测设备可以被集成到光刻设备LA或光刻单元LC中，或可以是独立的装置。

为了能够实现量测，可以在衬底上设置一个或更多个目标。在实施例中，所述目标是专门设计的并且可以包括周期性结构。在实施例中，所述目标是器件图案的一部分，例如所述器件图案的周期性结构。在实施例中，所述器件图案是存储器件的周期性结构(例如双极晶体管(BPT)、共享位总线(BLC)等结构)。

在实施例中，衬底上的目标可以包括一个或更多个1-D周期性结构(例如光栅)，这些周期性结构被印制成使得在显影之后，周期性结构特征由实体抗蚀剂线形成。在实施例中，所述目标可以包括一个或更多个2-D周期性结构(例如光栅)，这些周期性结构被印制成使得在显影之后，一个或更多个周期性结构由抗蚀剂中的实体抗蚀剂柱或通孔构成。栅条、柱或通孔可以可替代地被刻蚀至所述衬底中(例如，蚀刻到所述衬底上的一个或更多个层中)。

技术节点变得更小且设计图案变得更加复杂，因此图案化过程不可避免地在晶片上印制不期望的图案或缺陷。如此，应改善与例如图案化过程的预OPC过程、缺陷检测过程、图案验证过程、重定目标过程等有关的若干过程和图案化选配方案。对于这些改善，可以评估芯片上的数千个图案。利用节点缩放，用以实现设计检验和重定目标的设计规则已变得极度复杂，从而导致用于例如在OPC应用中的改善后的图案可管理性和图案识别的基于图案的规则的出现。

现有图案识别或图案搜索方法使得用户能够将期望的图案限定为他们期望找到的内容的精确副本。可以利用与图案的特征有关的不同数目的自由度(例如形状、大小、边缘粗糙度等)来限定期望的图案，使得可以在全芯片布局中搜索类似的图案。当执行用以扫描设计布局(可互换地称作场图案)的图案搜索以供图案匹配期望的图案(也称作搜索图案)时，一旦现有算法依据待搜索的图案数目突破某一拐点(或阈值)，所述算法即变得过于昂贵。

现有图案匹配方法或算法具有若干限制，包括在限定模糊图案(例如搜索图案)中的过度限制性，其中搜索功能仅检测或扫描全芯片中期望找到的所有内容。期望的搜索图案与场布局图案之间的形貌差异受到过于严格的限制，从而使得用户必需产生额外的图案来补偿搜索图案的定义中的低效率和不灵活性，或开发额外的条件或软件组件来桥接由于与搜索图案的定义有关的限制而造成的搜索结果中的差距。

例如，将用于OPC目的的搜索算法或方法视为过慢，尤其在图案计数增加超出例如数千个且由此限制用户可以在图案库中具有的图案数目时。

本公开提供一种例如在搜索类似的图案时依据较大的灵活性的图案搜索的经改善的搜索能力，即使在大量图案的情况下将形貌定义控制在比其它当前方法更精细的程度(例如不限制特征的精确形状和大小或固定集合)且更快速执行的能力。

图3A至图3C是与搜索图案相关联的示例图案定义(也称作条件或规格)和源于使用当前工具的有关问题。在图3A中，提供基于栅格的搜索，其中相对于栅格限定了与特征(诸如图案(例如E形图案)的301、307、309和311)有关的约束。此外，所述图案具有进一步限制搜索边界的边界301。这种基于栅格的定义不具有对于图案条件上的每边缘控制。例如，不清楚条件“A”是适用于特征309的边缘“E1”或是适用于特征305的边缘“E2”。因此，例如，如果条件“A”指示使边缘移动或位移某一量，则不清楚在搜索过程期间应移动边缘E1或是移动边缘E2。因而，当找到条件“A”或比较所述条件“A”与场图案中的图案时，则所述搜索可能产生不正确的图案。

在图3B中，图案的边缘(例如E1和E2)与图案边界301重合，并且这些边缘不能相对于图案边界301移动，或是相对于图案边界301固定的。移动这些边缘(例如E1和E2)引起图案边界内的形貌变化(例如形状变化)。例如，如果边缘E1移动一定量“C”(示例约束)或边缘E2移动一定量“A”，则图案的形貌改变。这些形貌变化在现有工具中是不可接受的，由此所述搜索可以不被执行或可能产生不正确的搜索结果。然而，本公开允许这些形貌变化，而同时仍找到搜索图案与场图案之间的图案匹配。

在图3C中图示图案定义或约束的另一示例，其中特征311的边缘E4将要在竖直地下游方向上(沿y轴)移位某一定量“A”，使得其变为与特征307的另一平行边缘共线。然而，由于这种约束也会引起形貌变化，因此在现有工具中并未允许这种约束。

本公开论述了用于限定基于搜索条件来确定搜索图案与场图案之间的匹配图案的灵活搜索条件的若干方法。

通常，一种或更多种方法涉及若干步骤或过程。例如，所述方法可以涉及用于建立搜索图案数据库的第一过程。搜索图案数据库的设置涉及将不同条件应用于多个图案，其中所述条件包括例如图案的不同特征之间的相对位置和与所述相对位置相对应的公差带。

在实施例中，所述方法涉及其中可以基于选自搜索图案数据库的搜索图案以及与所述搜索图案相关联的条件来在搜索空间中执行图案搜索的第二过程。在实施例中，可以由用户经由接口限定这种搜索图案。第二过程产生可以基于第二条件集合进一步筛选的第一候选图案。

在实施例中，所述方法涉及其中可以基于第一候选图案和边界框执行另一图案搜索的第三过程。所述搜索导致第二候选图案。因而，搜索空间逐渐减小，使得可以对第二候选图案执行更多的规则检验(例如尺寸、坐标、边缘粗糙度、边缘对边缘放置等)以找到与搜索图案的良好匹配或精确匹配。由于对数目减少的候选图案执行检验，因此以快速且高效的方式(例如使用较少的计算时间和计算资源)获得更准确的搜索结果。

在实施例中，所述方法可以涉及其中可以对第二候选图案执行最终检验的第四过程。所述最终检验可以涉及设计规则检验(例如EPE、CD、形状、或其它几何性质检验)以找到与搜索图案的良好匹配。可以通过允许灵活图案搜索来定位具有额外特征的图案以找到其它额外的图案，由此所述搜索可找到与搜索图案的形貌可能不是精确图案匹配的图案。

在实施例中，本公开的方法描述对于场图案(例如设计布局)内的与搜索图案匹配的图案的搜索。为了提供高效搜索且获得可靠的搜索结果，必须限定适合的搜索条件。所述方法涉及限定以下多个条件，诸如任意两个边缘(包括位于任一图案层处的边缘)之间的可允许位移。所述多个条件可以包括与图案层无关的边缘。也可以相对于图案的边界边缘限定所述多个条件。在(搜索图案的)特征的所有边缘依附于一条件的情况下，可以执行期望的搜索空间内的图案的较快搜索，这是由于结果的量相比于未被约束的搜索将是较少的。因而，在实施例中，可能期望限定针对特征的每个边缘的多个条件，或特征的边缘之间的多个条件。此外，所述方法通过允许多边形和边缘浮动(例如能够在公差极限内移动/重设大小)来提供形貌匹配的增加的灵活性。此外，所述方法根据用户预期匹配的内容(例如所述搜索图案)来实现边界框的动态行为。通常，边界框是在尺寸上固定的构造(即，在形状或大小方面无法被调整或修改)，这种构造限定图案内的不应该存在特征(不同于待搜索的特征)的部位。

在实施例中，可以对衬底或衬底的图像执行对图案的搜索，以找到满足某些搜索准则(诸如特定搜索图案以及与所述特定搜索图案相关联的条件(或约束))的图案。在实施例中，这种搜索涉及特定图案与衬底上的图案的形貌匹配(例如将不同特征之间的相对位置与特征的轮廓匹配)。作为示例，术语“衬底图案”、“场图案”或“搜索空间”可以在本文中能够互换地使用以指代设计图案。然而，本公开不限于设计图案，本领域技术人员可以将类似的搜索方法应用于搜索空间，所述搜索空间包括可以从所印制的衬底的图像获得的衬底上的图案或衬底的模拟图案。在实施例中，特定搜索图案可以包括与例如场图案中的数千个图案(或图案中的特征)进行比较的一个或更多个特征。接着，满足搜索准则的场图案构成候选图案以供进一步搜索，例如以供对与边界框相关联的额外的搜索准则进行图案匹配(稍后在本公开中进行解释)。候选图案可以被能够互换地称作“可行图案”、“搜索结果”、“可行集”或“解空间”。

基于不同的搜索准则的逐步搜索逐渐地缩限所述搜索空间，导致更快地执行搜索方法或算法。例如，所述方法允许N*log(N)的执行时间，而常规方法具有更高执行时间，诸如N

图4是根据实施例的用于从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法400的流程图。所述方法400在过程P42中涉及获得(i)图案化过程的图案集合401、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案402和(iii)包括所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件403。所述第一特征可以存在于所述第二特征附近(例如关注的区内部)。在实施例中，所述第二特征与所述第一特征相邻。

在实施例中，图案集合401是指与图案化过程相对应的图案和使用所述搜索图案来执行搜索的空间。图案集合可被能够互换地称作“搜索空间”或“场图案”。在实施例中，可以将图案集合表示为从所印制的衬底获得的图案的图像和/或衬底上的模拟图案。在实施例中，可以从图案的图像提取图案集合。在实施例中，图案集合以搜索友好格式(诸如字符串或关系数据库表)来表示。在实施例中，从扫描电子显微镜获得与所印制的衬底相对应的图案集合。

搜索图案402可以是旨在与例如衬底图案(例如所印制的图案或模拟图案)匹配的任何关注的图案(例如设计布局或所述设计布局中的设计图案或用户定义的图案)。所述搜索图案402可以包括单个特征(例如接触孔、栅条、线等)或彼此相邻放置的多个特征。在图9中图示所述搜索图案的示例。在实施例中，所述搜索图案402与特定搜索条件(例如搜索条件403)相关联，以使得能够对来自搜索空间(例如所印制的衬底的图像)的潜在匹配候选进行高效筛选。在实施例中，可以将搜索图案402(例如设计布局)储存在数据库中并且根据需求取回所述搜索图案。在实施例中，可以将所述搜索图案402储存和/或提供为呈GDS格式或用于搜索的其它适合的格式。

在实施例中，搜索图案402包括多个特征，其中所述多个特征中的一个或更多个特征位于衬底的相同层上和/或位于衬底的不同层上。在实施例中，第一特征与第二特征位于相同层上。在实施例中，第一特征与第二特征位于不同层上。例如，第一特征(例如接触孔)可以位于衬底的第一层上，并且第二特征(例如另一接触孔或栅条)可以位于衬底的第二层上。因此，本方法允许与衬底的层无关地来匹配图案。

搜索条件403是与搜索图案402的一个或更多个特征相关联的任何条件或约束。例如，搜索条件403是与搜索图案的第一特征、以及邻近于第一特征(即与第一特征相邻)的第二特征相关联的条件。在实施例中，搜索条件包括所述搜索图案的第一特征的元件与第二特征的元件之间的相对位置。在实施例中，所述相对位置可以在水平方向上、在竖直方向上和/或在角方向上。在实施例中，特征的元件包括特征的边缘和/或顶点。在实施例中，特征的边缘可以与一个或更多个约束相关联。例如，第一特征的第一边缘可以与具有第二特征的第一边缘的水平约束相关联，并且第一特征的第一边缘可以与具有第三特征的第一边缘的另一约束相关联。在实施例中，所述搜索条件403可以是第一特征的边缘与第二特征的边缘之间的距离(例如20nm)。

在实施例中，搜索条件403可以是与搜索图案的多个特征相关联的条件集合，例如设计图案的第一特征的边缘和第二特征的边缘。在实施例中，可根据需求从数据库(例如计算机系统100的存储器或能够经由计算机系统100访问或存取的远程服务)储存和取回所述搜索图案402。类似地，所述搜索条件403可以与搜索图案402相关联，并且可以从相同的数据库储存和取回。在实施例中，所述搜索条件可以呈脚本(例如作为python脚本的条件语句)形式，并且实施所述方法400的处理器可以被配置成接收所述脚本。

另外或可替代地，所述搜索条件403包括与特征的元件之间的相对位置和/或特征的尺寸相关联的公差极限。所述公差极限指定在不背离所述设计图案的期望的功能性的情况下允许第一特征相对于第二特征(或其它约束特征)移动多少。特征的移动是指在约束方向(例如水平、竖直、成角度等)上的移动(例如移位或旋转)。例如，第二特征与第一特征的边缘之间的距离在水平方向上可以是20nm±1nm，由此允许边缘相对于彼此移动1nm。

所述方法在过程P44中涉及经由处理器(例如计算机系统100的过程104)从图案集合401确定满足与搜索图案402的第一特征和第二特征相关联的搜索条件的候选图案的第一集合404。

候选图案的第一集合404是图案集合401内的图案(例如衬底图案)，所述图案是与满足第一搜索条件的搜索图案402的形貌匹配。在实施例中，如果满足搜索条件，则将候选图案的第一集合404视为匹配。例如，搜索条件403可以是图案的特征的边缘之间的相对位置。这种候选图案的第一集合404可以具有或可以不具有与搜索图案类似的形状、大小、边缘对边缘、或与其它几何形状有关的匹配。因而，可以对候选图案的第一集合404执行额外的条件检验以找到图案集合401内的匹配图案。候选图案的第一集合404大致将所述搜索空间缩窄至子集合。对于这种子集合，可以执行边界框内的额外的匹配(例如点对点匹配、形状、大小等)以进一步缩窄搜索结果。

在实施例中，可以用字符串格式表示搜索图案402、第一搜索条件403以及图案集合401中的图案，所述字符串格式允许基于字符串的比较和搜索。这种基于字符串的搜索也减少搜索算法或方法的运行时间。

在实施例中，可以经由解析所述搜索图案和所述候选图案来识别所述搜索图案402和所述候选图案(例如候选图案的第一集合或候选图案的第二集合)的特征。在实施例中，解析是被配置成在相对较大的搜索空间中识别关注的物体(例如特征)的算法。在解析时，可以产生包含与关注的物体有关的信息(诸如部位、大小、形状等)的文件或档案。此外，所解析的信息可以例如经由哈希(hashing)而转换呈字符串。信息的字符串表示使得能够进行信息(例如搜索图案的特征与场图案的特征)之间的较快比较。

所述方法在过程P46中涉及获得围绕所述搜索图案402的边界框406以及与边界框406和搜索图案402的特征相关联的第二搜索条件。在实施例中，可以例如经由绘制工具的用户界面获得边界框406，所述绘制工具允许用户绘制围绕所述搜索图案402的边界(例如成矩形形状)。在实施例中，边界框可以基于所述搜索图案402的最外侧特征的坐标来限定。

在实施例中，边界框406被限定为围绕搜索图案402的封闭边界，以将搜索限制于所述封闭边界内的特征。例如，图9图示围绕所述搜索图案900的特征901、9011、913的边界框920，所述边界框将搜索限制于特征的这种组合。在实施例中，在基于边界框的搜索期间，具有不同于搜索图案的特征(例如901、911和913)的任何额外特征的图案可以被视为非匹配图案，并且由此被忽略。

在实施例中，第二搜索条件是与边界框406(例如920)和搜索图案402的一个或更多个特征(例如901、911和/或913)相关联的任何条件。在实施例中，第二搜索条件与搜索图案402的最靠近边界框406的特征相关联。在实施例中，第二搜索条件包括特征的边缘与边界框的边缘之间的相对位置。在实施例中，相对位置是搜索图案402的特征的边缘与边界框406的边缘之间的距离和/或角度。替代地或另外地，所述第二搜索条件也可以包括与搜索图案402的特征的元件和边界框406之间的相对位置相关联的公差极限。所述公差极限使得能够相对于所述搜索图案的特征的大小来动态调整所述边界框406。因此，即使(搜索空间的)某些特征的大小与搜索图案的特征的大小不完全相同，但仍在所述公差极限内，则也可以找到匹配。

在实施例中，例如，在过程P47中，边界框406可以被配置成基于相对于边界框而限定的条件来动态地改变大小和形状。接着，可以基于这种动态地修改后的边界框来执行搜索。例如，第一条件与第一特征和边界框相关联，第二条件与第二特征和边界框相关联。边界框的这种动态行为在针对不完全地匹配例如所述搜索图案402的大小和形状的图案的搜索方面提供了增加的灵活性(相比于固定的边界框)。

在实施例中，可以相对于与边界框406相关联的条件执行更灵活的搜索。在这样的灵活搜索中，可以将具有不同于搜索图案的特征的额外特征的图案识别为匹配图案，即使搜索图案与衬底图案的形貌由于额外特征而不同。在实施例中，具有这些额外特征的图案可以表示故障或缺陷，并且这种图案可以例如在故障识别或分类方面受到关注。相对于图13图示和论述这种搜索的示例结果。

所述方法在过程P48中涉及经由处理器(例如计算机系统100的过程104)从候选图案的第一集合404确定满足与边界框406相关联的第二搜索条件的候选图案的第二集合408。

在实施例中，确定候选图案的第二集合408涉及比较所述搜索图案402的特征的一个或更多个参数与图案集合401的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于比较，从排除具有形貌失配的图案的候选图案的第一集合404选择图案子集合。形貌失配是指具有不具备与搜索图案中的特征类似的形状或精确的形状(即完全相同的形状)的特征的图案。例如，可以排除在搜索图案的两个特征之间具有额外特征的图案，这是因为所述额外特征会改变所述搜索图案的形貌。

在实施例中，一个或更多个参数包括以下中的至少一个：特征的边缘、特征的大小、和特征的形貌。例如，参数可以是几何参数(诸如搜索图案的特征的边缘的长度、特征的边缘粗糙度、特征的CD等)，可以比较搜索图案的所述几何参数和与场图案的特征相对应的参数。比较可以涉及计算两个特征的参数之间的差，和确定所述差是否突破(例如大于或小于)阈值。响应于所述差没有突破所述阈值，则据称找到了搜索图案与场图案之间的匹配，否则未找到匹配。

如先前提及的，边界框406可以具有动态行为，其中可以修改/调整所述边界框406的大小和/或形状。在实施例中，确定候选图案的第二集合408还包括：基于第二搜索条件的特征的大小来调整围绕搜索图案402的边界框406，并且从来自图案集合401的候选图案的第一集合404来确定满足与调整后的边界框相关联的第二搜索条件的候选图案的第二集合408。在实施例中，边界框的调整受与第一搜索条件、第二搜索条件和/或特征的参数相关联的公差极限限制。

在实施例中，调整边界框406包括：相对于场图案的特征的大小，增加和/或减小边界框的大小。在实施例中，边界框的大小的增加量和/或减小量是在与所述特征的元件和边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

此外，如先前提及的，搜索图案402可以包括多个特征。所述多个特征可以在衬底的相同层上或在衬底的不同层上。在实施例中，当执行搜索图案与场图案之间的比较(例如在边界框内)时，在可以将特征之间的空间视为空的时，仅比较所述搜索图案的特征。如此，当在搜索图案402的特征之间存在额外特征时，则可以将场图案的所述部分视为与搜索图案失配或不匹配。

图5是用于确定匹配图案的方法的另一示例流程图。所述方法500在过程P52中获得(i)基于与搜索图案(例如402)的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合(例如401)的候选图案的第一集合502、(ii)围绕搜索图案的边界框503和(iii)与边界框和搜索图案的特征相关联的第二搜索条件504。

在实施例中，获得候选图案的第一集合502涉及将处理器(例如104)配置成用以接收所述图案502。在实施例中，可以在不同处理器上以与相对于方法400的过程P44所论述的类似的方式产生候选图案的第一集合502，并且经由网络将候选图案的第一集合502传输至过程(例如104)。此外，如上文所论述的，可以在过程P46中获得边界框503(与边界框406类似)。另外，可以例如经由被配置成用以对搜索图案(例如图9的900)和包围所述搜索图案的边界框503输入约束的接口/界面而获得第二搜索条件504。第二搜索条件504与方法400中所论述的第二搜索条件类似。

此外，所述方法500在过程P52中涉及经由处理器(例如处理器104)基于第二搜索条件从候选图案的第一集合来确定候选图案的第二集合508。在实施例中，过程P52与上文所论述的过程P48类似。相对于稍后在本文中论述的图10至12而图示了这种搜索的示例。

在实施例中，确定候选图案的第二集合508涉及比较搜索图案的特征的一个或更多个参数与图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的候选图案的第一集合502选择图案子集合。在实施例中，如先前在P48中所论述的，所述比较涉及比较以下中的至少一个：特征的边缘、特征的大小、和特征的形貌。在实施例中，对子集合的选择是基于边缘、大小、形貌和/或其它因子之间的这种比较，使得选择了具有与搜索图案类似的特征特性的图案。在实施例中，所选择的图案可以是或可以不是与搜索图案的精确匹配。

图6是用于确定匹配图案的方法600的另一示例流程图。与方法400和方法500类似，所述方法600也涉及基于相应的搜索条件来确定候选图案的第一集合和候选图案的第二集合。另外，所述方法600使得能够搜索具有不同于边界框内的搜索图案的特征的额外特征的图案。如此，所述方法600也可以提供额外的图案作为搜索结果，即使这些图案不是形貌匹配。这种灵活搜索例如对用以允许改善后的光学邻近效应校正(OPC)是极度期望的。

方法600在过程P62中涉及获得(i)基于与搜索图案(例如402)的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合(例如401)的候选图案的第一集合602、(ii)围绕搜索图案的边界框603、和(iii)与边界框和搜索图案的特征相关联的第二搜索条件605。

方法600在过程P64中涉及基于第二搜索条件从候选图案的第一集合602确定候选图案的第二集合608，其中所述候选图案的第二集合608包括具有不被包括在搜索图案中的额外特征的候选图案。相对于稍后在本文中论述的图13而图示了示例搜索结果。

在实施例中，确定候选图案的第二集合涉及比较搜索图案的特征的一个或更多个参数与图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于所述比较，从不排除具有形貌失配的图案的候选图案的第一集合选择图案。因此，所述方法600与方法400和500不同，这是由于其允许用户检测额外的图案。在实施例中，这种方法可以用于缺陷检测和/或预防，其中额外特征可能构成缺陷。

在实施例中，可以将额外特征定义为与搜索图案的特征相邻或接触且在边界框内的任何特征。在实施例中，额外特征与搜索图案的特征位于相同层上或与搜索图案的特征位于不同层上。在实施例中，额外特征不与相对于搜索图案的特征或边界框的约束相关联。因而，根据实施例，搜索结果包括不与搜索条件(例如第一搜索条件或第二搜索条件)相关联的图案。

此外，如先前提及的，搜索图案可以包括多个特征。在实施例中(例如方法400和500)，当执行搜索图案与场图案之间的比较(例如在边界框内)时，在可以将特征之间的空间视为空的时，仅比较搜索图案的特征。如此，当在搜索图案的特征之间存在额外特征时，则可以将场图案的所述部分视为与搜索图案失配或不匹配。然而，在实施例中，所述方法600使得能够识别所述场图案上的具有将作为与搜索图案的匹配的额外特征的部分。本领域技术人员可理解，也可以在其它方法(诸如方法400和500)中且在不限制本公开的范围的情况下实施这种灵活搜索。

图7是用于确定匹配图案的方法700的示例流程图。所述方法700在过程P72中涉及经由用户界面/接口而在搜索图案(例如402)的第一特征与第二特征之间应用第一搜索条件。在实施例中，应用第一搜索条件包括：选择搜索图案的第一特征的边缘和第二特征的边缘；分配所选择的边缘之间的距离；和/或向所选择的边缘之间的所述距离分配公差极限。图9图示了诸如在被分配了距离d1±Δd1的特征901与911的边缘之间应用第一搜索条件的示例，其中Δd1是针对距离d1的公差极限。在另一示例中，在特征911与913之间分配了距离d2±Δd2，其中Δd2是针对距离d2的公差极限。

在实施例中，应用条件涉及将软件中的条件语句限定于搜索图案的不同特征之间。例如，可以将特征的边缘之间的前述距离(d1和d2)表达为条件语句，其还可以用于程序中以确定是满足或是不满足这些条件语句。在实施例中，条件语句可以经由被配置成显示搜索图案、选择搜索图案的特征及其元件、或用以限定条件/约束的其它交互功能性的接口/界面而被限定或转换成基于用户输入的条件语句。在实施例中，也可以经过应用程序编程接口(API)来应用/限定这些条件，所述应用程序编程接口可以是python脚本API。

在实施例中，用户可以选择例如两个边缘且在所选择的边缘之间提供公差极限(即，最小差和最大差)。例如，可以在搜索图案内选择第一特征的第一边缘和第二特征的第一边缘。接着，可以分配边缘之间的距离以及在所选择的边缘之间的距离中的最小可允许变化和最大可允许变化。类似地，可以限定相同特征的两个边缘之间的距离(例如CD)。此外，这些距离和公差极限用作搜索条件，其中扫描所述场图案以搜索满足这种距离和公差极限的图案。

方法700在过程P74中涉及基于第一搜索条件从图案集合确定候选图案的第一集合704。在实施例中，候选图案的第一集合704是先前所论述的候选402、502或602的示例。确定候选图案的第一集合706与方法400的过程P44类似。

此外，所述方法700在过程P76中涉及围绕所述搜索图案绘制边界框706。在实施例中，边界框706为先前所论述的边界框503或603的示例。在图9中图示边界框706的另一示例(诸如920)。在实施例中，可以获得边界框706作为用户输入、计算机程序可读的脚本、或表示信息的其它方式。在实施例中，由用户经由用户接口/界面围绕所述搜索图案绘制所述边界框706。例如，在图9中，用户绘制围绕特征901、911和913的矩形边界框920。这种边界框920提供了用于限定将要被限定的额外限制的结构，以进一步从候选图案的第一集合滤除图案。

方法700在过程P78中涉及在第一特征或第二特征与边界框之间应用第二搜索条件。在实施例中，可以用与在过程P72中论述的第一搜索条件类似的方式应用第二搜索条件。

方法700在过程P80中涉及基于第二搜索条件从候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合750，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。在实施例中，过程P80与先前所论述的过程P64类似。

在实施例中，可以根据下文所论述的方法800来产生用于方法400、500、600和700中的搜索图案，并且将所述搜索图案储存在数据库中以便在执行方法400至700的过程期间例如经由网络、或其它数据获取技术进行存取访问。

图8是用于产生搜索图案数据库的方法的示例流程图。所述方法在过程P82中涉及获得图案集合802。在实施例中，图案集合802中的图案包括多个特征。在实施例中，图案集合802包括多个图案，例如第一图案具有第一多个特征且第二图案具有第二多个特征。图案集合802可以是设计图案、用户定义的图案、或任何其它图案，诸如在过程中频繁出现的图案或较不频繁出现的图案，比如缺陷。

此外，过程P84涉及将条件集合803(也称作约束)应用于图案集合以产生搜索图案集合，其中搜索图案是图案集合802内的与搜索条件相关联的图案。在实施例中，可以用与在方法700的过程P72中所论述的方式类似的方式应用条件803。在实施例中，所述条件集合803包括多个条件803。例如，第一条件集合与图案集合802中的第一图案相关联，第二条件集合与图案集合802中的第二图案相关联，依此类推。如此，存在这样的可能性：一个或更多个条件803可以是相似的或不同的，从而导致冲突。

在分配条件之后，过程P86涉及评估在不同图案之间相关联的一个或更多个搜索条件之间是否存在冲突。例如，第一搜索图案的一个或更多个特征与第二搜索图案的一个或更多个特征之间的冲突。这种冲突检验确保了存在跨越不同图案上的恒定且独特的条件。本领域技术人员可以理解，并非图案集合中的每个图案都可以被印制于衬底上，如此，并非图案集合802中的所有图案都可以在衬底图案(或场图案)中找到。

在实施例中，评估所述冲突包括：识别具有相同搜索条件的一个或更多个特征或识别所述搜索条件是否超过图案集合中的图案的预定阈值；和显示具有冲突条件的所识别的特征。

此外，过程P88涉及产生且储存搜索图案集合和不存在冲突的相关联的搜索条件集合。这种搜索图案集合构成搜索图案的数据库。可以从数据库选择和取回一个或更多个图案以对场图案执行搜索。

图9是具有多个特征901、911、913的搜索图案900的示例。如先前提及的，特征可以位于衬底的相同层上或不同层上且不限制本公开的范围。在实施例中，特征可以位于衬底的第一层上和/或第二层上。例如，第一层包括第一特征901，并且第二层包括第一特征911和第二特征911。在实施例中，第一约束或第一条件集合可以包括特征901、911与913之间的一个或更多个距离。例如，距离d1和d2可以是特征之间的第一条件或约束集合。另外，可以向一个或更多个距离分配公差极限，诸如Δd1和Δd2。此外，第一条件集合可以包括特征的CD，诸如特征913的CD是48nm；另外，也可以分配诸如±5nm的公差极限。在实施例中，可以将具有第一条件集合的这种搜索图案储存在数据库中，并且可根据需求针对数据库选择这种搜索图案。

在实施例中，所述搜索图案可以由边界框920包围。边界框920可以被绘制成使得边界框920封闭特征901、911和913。在实施例中，每层可以限定边界框。此外，可以相对于边界框920限定第二条件或约束集合。取决于第二条件集合，可以自动调整边界框以在大小(诸如长度(例如沿x方向或水平方向)和/或高度(例如沿y方向或竖直方向))方面进行增加或减小。在实施例中，如果不存在向高度或长度分配的约束，则可以自动将边界框调整至合理大小，例如最初绘制的大小的1.2倍、1.5倍、2倍等。

在实施例中，可以执行另一处理以将与以上图案(例如大小、部位、条件等)有关的信息转换成机器可读格式，诸如条件语句、python脚本等。这种机器可读格式使得能够搜索、比较、匹配和/或确定搜索空间内的相关匹配图案，诸如场图案1000(在图10中)。在实施例中，搜索图案900和场图案1000是用于解释本公开的构思的图案的示例性可视表示。图案900和1000的格式不限制本公开的范围。

图10是场图案1000或所印制的衬底图案的示例。场图案1000包括形成在第一层上的多个特征，诸如具有子特征1021、1022、1023、1025、1026和1027的特征1020。在实施例中，场图案可以是以图像(例如SEM图像)形式或以表示衬底上的图案的另一数据格式(例如字符串)而获得的衬底图案。

在实施例中，可以基于图9中所限定的第一条件集合来确定第一候选集合。例如，处理器可以被配置(如方法400至700中所论述的)成用以搜索与搜索图案类似的图案，尤其具有特征901、911和913同时也满足第一条件集合的图案。接着，提取满足这种第一条件集合的场图案，从而将搜索空间减小至例如区1005。在实施例中，虽然相比于搜索图案的特征913，特征1021、1022、1023、1025、1026、1027具有不同大小，但这种场图案依据例如相对于相邻图案的相对位置和相对应的公差极限等来满足第一条件集合。

如相对于图11A、11B、12和13所论述的，一旦获得第一图案集合，就可以基于边界框和第二约束集合来确定第二图案集合。步骤/过程的以下描述仅是示例性的且不限制本公开的范围。本领域普通技术人员可以修改步骤(例如如方法400至700中所论述的)，以获得候选图案的第二集合。

图11A和图11B是从场图案确定与搜索图案匹配的候选图案的第二集合中所涉及的中间步骤的结果的快照。在实施例中，可以围绕场图案中的类似于搜索图案的一个或更多个图案产生边界框。在实施例中，围绕图案1013、1030和1021产生第一边界框1101。围绕图案1013、1030和1022产生第二边界框1102。围绕图案1013、1030和1023产生第三边界框1103。

将一个或更多个图案识别为如先前所论述的第一图案集合。在边界框内，可以建立独特的即唯一的映射，其中将搜索图案中的每个特征(或多边形形状)映射至场图案(或多边形形状)。边界框可以与图9中所限定的边界框相同、或可以不与图9中所限定的边界框相同。例如，将特征901、911和913映射至1013、1030和1021(或1022，和1023)。

这些边界框(以及第二条件集合)进一步减小搜索空间，因为从场图案评估了相对较少数目的物体，由此在搜索、匹配和比较操作期间改善了计算时间。这减小了搜索空间，使过程高效，尤其在考虑到可能存在数百万的待评估的图案的情况下。因此，本方法利用较少数目的计算资源较快地执行图案搜索。

边界框1101、1102和1103可以具有相同的大小或不同的大小。在实施例中，边界框彼此分离且不交叠。在图11A中，边界框1101、1102和1103具有类似的大小和形状，但边界框1101、1102和1103并没有分别绕诸如1021、1022和1023之类的场图案为中心。在实施例中，不调节/约束所述边界框的高度，由此边界框的高度可以与图9中所限定的高度不同。在后续过程中，可以基于第二条件/约束集合来调整这些边界框，这些条件/约束被限定在搜索图案的特征与图9中的边界框900之间。

在实施例中，过程(例如方法400至700的P48、P54、P64或P80)可以被配置成围绕候选图案的第一集合中的场图案而锚定所述边界框1101、1102和1103。锚定是指相对于场图案中的图案针对边界框建立参考位置。例如，图11B图示相对于作为参考点或设定点的图案1021、1022和1023的中心来锚定所述边界框。如图11B所示，一旦建立锚定，就相对于这种参考位置使边界框1101、1102和1003移位以提供搜索空间，从而可以针对所述搜索空间执行对场图案中的图案的进一步筛选。

边界框1101、1102和1103(在图11A和图11B中)不与高度(或y方向)约束相关联，因此这些框在y方向上不受约束，但可以取决于场图案内的图案的大小而在x方向(或水平方向)上受到限制或调节。此外，可以将第二约束集合应用于边界框以进一步减小场图案的搜索空间。例如，可以重新设定所述边界框的大小，并且可以执行其它评估以确定是否满足相对于搜索图案的特征的第二条件。

图12图示了对图11A和图11B的边界框的示例调整。在图12中，边界框1201、1202和1203分别是边界框1101、1102和1103的重设大小的版本。在实施例中，可以根据在方法400至700中所论述的过程来执行调整。在实施例中，对边界框的调整可以基于边界框内的特征的大小、和/或第二条件(例如特征的边缘与边界框之间的距离)。例如，特征1021、1022和1023具有不同的大小(例如CD值分别是45nm、48nm和64nm)。因此，分别根据图案1021、1022和1023的大小来调整边界框1201、1202和1203。另外地(或替代地)，调整可以基于约束。例如，可以基于(图9中所限定的)搜索图案900的特征(例如901和913)之间的距离d3和d4(以及它们的相对应的公差极限)来调整第一边界框1201。调整可以涉及对边界框的宽度和/或高度的调整。类似地，可以基于(图9中所限定的)搜索图案900的特征(例如901和913)之间的距离d5和d6(以及它们的相对应的公差极限)来调整第二边界框1202。类似地，可以基于(图9中所限定的)搜索图案900的特征(例如901和913)之间的距离d7和d8(以及它们的相对应的公差极限)来调整第三边界框1203。在以上示例中，一旦调整，则边界框1201、1202和1203分别具有不同的大小，例如130nm、134nm和150nm，并且每个边界框的高度相同。本领域技术人员可以理解，本公开不限于以上示例，或可以确定基于第二条件或第一条件的前述调整和任何其它调整。

在实施例中，边界内的一些场图案可以不满足所述第二条件(例如距离、公差、特征大小等)，在这种情况下，将这些图案视为非匹配图案且从搜索空间将其滤除。

图13是其中第二候选图案在边界框内包括额外特征(即，不同于所述搜索图案的图案)的搜索结果的示例。如在方法800的过程P80中所论述的，可以获得这些结果。在实施例中，边界框内的特征可以不与所述搜索图案的特征精确地映射。例如，可以不将分别在边界框1301、1302和1303内的额外特征1311、1312和1313映射至所述搜索图案的特征(例如901、911和913)。所述额外特征位于不同特征之间的空的空间内，并且与对应于搜索图案的一个或更多个特征相邻。相较于例如边界框1101至1103，边界框1301、1302和1303具有允许这种灵活搜索来定位额外图案的额外性质。因而，取决于边界框的动态行为，可以获得不同的搜索结果。

以上方法具有若干优点且提供优于现有技术的改善。例如，在实施例中，一种方法允许用户限定搜索条件以包括与(衬底的)层无关的边缘。此外，边界条件可以被限定于所述搜索图案中的任何边缘与所述图案的边界框之间。与边界框有关的条件被限定成使得边界框(或甚至特征)可以相对于仍保持固定在适当位置的参考而成长/变大或收缩某一量。例如，边界框可以水平地成长或水平地收缩。另外，允许边界框(或边界框内的特征)在设置的公差极限内移位。因而，所述方法通过在特征的边缘与边界框之间应用适合的条件来允许每边缘控制。例如，边界框不仅应相对于特征大小成长/变大20nm，而且也应相对于特征的最靠近于边界框的边缘移位10nm。设计者极度地期望这种灵活性，以基于上文所论述的搜索结果经由选配方案或OPC变化来改善所述图案化过程。

搜索诸如设计布局或所印制的衬底之类的搜索空间内的期望的图案的以上方法可以具有若干应用，包括预OPC步骤中的重定目标、验证过程、缺陷识别和预防，或其中期望印制具有特定规格的图案的其它应用。

在实施例中，以上方法可以用于重定目标过程，所述重定目标过程是预OPC步骤。通常，重定目标过程涉及调整在设计布局中的图案的边缘以考虑在图案化过程中的抗蚀剂、蚀刻和/或其它过程变化。例如，相比于目标规格，正方形或接触孔的大小可以增加，可以将线制造得稍微较宽等。在实施例中，重定目标过程是全局过程，其中如果找到符合具体条件(比如宽度、空间、y nm宽度(例如y＝15nm、20nm、30nm……)、y nm空间(例如y＝5nm、7nm、10nm……)等)的某些边缘，则可能期望将这些特征元件(例如边缘)移动某一量(例如在公差极限内)，使得更准确地(例如更接近于目标规格)印制期望的图案。在实施例中，边缘的这种移动可以是基于台的，这在设计中涉及大量的两个维度(例如在x方向和y方向上的距离/宽度/高度)。移动边缘的规则可以呈变成复杂的多维台的台形式，并且当前方法使得能够以并行方式高效地执行和检验多个台中的规则。在设计图案或衬底图案的极度复杂区域中，可能无法正确地应用重定目标(例如对边缘的调整)。然而，需要花费大量的精力来使必须对具有复杂图案的特定局部区域进行拟合的重定目标的选配方案重新变得合格、或更新所述重定目标的选配方案。利用本方法，可以搜索特定图案(例如搜索图案900)以定位重定目标误差的区域。本方法允许以用户能够以在下一设计或不同设计上找到与重定目标有关的图案的方式使特定图案模糊(例如在公差极限内改变特征关系/位置)。当在下一设计中找到所述图案时，可以执行“传递穿过”操作。传递穿过操作涉及将图案(例如重定目标的图案/经修改)储存于不同层上，例如可以将图案储存为用于搜索目的的第一层的一部分，并且第二层可以包括在限定重定目标的选配方案之后的最终解决方案。在实施例中，使用模糊图案的搜索可以涉及识别重定目标的部位，并且接着在匹配的部位处，对匹配结果(即，匹配的部位处的图案)进行额外的后处理。在实施例中，额外的处理可以涉及例如应用具体重定目标的边缘或偏置边缘，和/或利用传递穿过层(例如第一层)的图案来遮挡图案。因而，所述方法有助于更佳地覆盖当前场图案，并且适当地将用户引导至所述重定目标的选配方案发生失效处的图案及其部位。

在实施例中，本公开的方法可以用于图案验证。通常，执行过程模拟来预测诸如OPC图案之类的图案或衬底上的图案，接着相对于期望的图案或设计布局上的图案执行验证以识别具有缺陷的图案。

对预测到的有缺陷的图案的进一步验证可以经由量测工具(例如SEM)在所印制的衬底上执行。所述量测工具可能找到或可能找不到这些缺陷，或找到在验证过程中所识别的图案的范围之外的其它缺陷。在验证过程中遗漏某些缺陷可能存在问题，这是由于这些遗漏的缺陷可能被印制于衬底上，并且可能无法覆盖在模拟和验证过程期间所使用的过程模型。在实施例中，可能期望调整过程参数或过程流程，但不必改变过程模型或改变过程选配方案。由于这种调整对于得到不同的模型选配方案既耗时又费力。因此从量测工具(例如SEM图像)识别的有缺陷的图案可以被图案化(例如将它们转换成搜索图案)。在(由来自所述量测工具的数据所识别的)有缺陷的图案的图案化期间，可以通过增加条件(例如相对位置、公差极限等)来调适有缺陷的图案，并且可以将这种图案用作搜索图案。可以将这种额外的搜索图案包括在验证过程中，并且验证过程可以被补充有额外的图案搜索。

在实施例中，本方法可以用于缺陷预防。在生产厂(fab)中的图案化过程期间，可以对晶片执行两种类型的检查。首先，经由检查工具(例如SEM)在数据库或晶片管芯中的受引导检查，所述受引导检查用以查找缺陷(例如期望的图案图像与晶片图案图像之间的信号失配)和具有缺陷的标记图案或部位。这种标记通常是关于预测在下一管芯上或下一晶片上将要发生的事件的良好指示器。因此，虽然这些缺陷图案可能位于基于模拟的图案外部，但验证过程仍将找到这些缺陷图案。虽然这些基于模拟的缺陷图案中的一些是边界(borderline)缺陷或实质性缺陷，但这些基于模拟的缺陷图案中的一些可以是多余(nuisance)或虚假缺陷(例如，40％或50％的所识别缺陷可以是虚假的，或不示出晶片缺陷中的清单(manifest))。因此，本方法可以用于产生对这些有缺陷的图案的搜索，并且进一步使用所述搜索图案来识别晶片上的可能失效的部位。接着，适合的缺陷预防测量诸如OPC，可以采用重定目标。

如先前提及的，常常利用基于光学器件的亚分辨率工具来完成例如半导体晶片的检查(亮场检查)。但在一些情况下，待测量的某些特征太小而不能使用亮场检查来有效地测量。例如，半导体器件的特征中的缺陷的亮场检查可能是具有挑战性的。此外，随着时间推移，正在通过使用图案化过程而制造的特征(例如使用光刻而制造的半导体特征)变得越来越小，并且在许多情况下，特征的密度也增加。因此，使用且期望更高分辨率的检查技术。示例检查技术是电子束检查。电子束检查涉及将电子束聚焦于衬底上的待检查的小斑上。图像通过以下操作形成：在所检查的衬底的区域上在束与衬底之间提供相对移动(在下文中称作扫描电子束)且利用电子检测器收集二次散射电子和/或背散射电子。接着处理所述图像数据以例如识别缺陷。

因此，在实施例中，所述检查设备可以是得到被曝光或转印于衬底上的结构(例如器件(诸如集成电路)的某一结构或全部结构)的图像的电子束检查设备(例如与扫描电子显微镜(SEM)相同或类似)。

图14示意性地描绘电子束检查设备200的实施例。从电子源201发射的初级电子束202由聚光器透镜203汇聚，并且接着传递穿过束偏转器204、E×B偏转器205和物镜206以在焦点处照射衬底台101上的衬底100。

当利用电子束202照射衬底100时，由衬底100产生次级电子或二次电子。所述次级电子由E×B偏转器205偏转且由次级电子检测器207检测。可以通过检测从样本产生的电子且同步地进行以下操作来获得二维电子束图像：例如由束偏转器204来对电子束进行二维扫描或由束偏转器204在X方向或Y方向上重复扫描电子束202，以及由衬底台101在X方向或Y方向中的另一方向上连续移动衬底100。因而，在实施例中，所述电子束检查设备具有由角范围所限定的针对电子束的视场，电子束可以由电子束检查设备提供至所述角范围(例如偏转器204可以提供电子束202穿过的角范围)中。因而，所述视场的空间范围是电子束的所述角范围可以照射到表面上所达的空间范围(其中所述表面可以是静止的或可以相对于所述场移动)。

由模拟/数字(A/D)转换器208将由次级电子检测器207检测到的信号转换成数字信号，并且将所述数字信号发送至图像处理系统300。在实施例中，图像处理系统300可以具有用以储存数字图像中的全部或部分以供处理单元304处理的存储器303。处理单元304(例如专门设计的硬件或硬件与软件的组合或包括软件的计算机可读介质)被配置成将数字图像转换或处理成表示数字图像的数据集。在实施例中，处理单元304被配置或编程以导致执行本文中所描述的方法。此外，图像处理系统300可以具有被配置成将数字图像和相对应的数据集储存在参考数据库中的储存介质301。显示装置302可以与图像处理系统300连接，使得操作者可以借助于图形用户界面进行装备的必要操作。

图15示意性地图示检查设备的另一个实施例。所述系统用于检查样本平台89上的样本90(诸如衬底)且包括带电粒子束产生器81、聚光器透镜模块82、探针形成物镜模块83、带电粒子束偏转模块84、次级带电粒子检测器模块85、和图像形成模块86。

带电粒子束产生器81产生初级带电粒子束91。聚光器透镜模块82汇聚所产生的初级带电粒子束91。探针形成物镜模块83将汇聚后的初级带电粒子束聚焦成带电粒子束探针92。带电粒子束偏转模块84跨越于被紧固在样本平台89上的样本90上的关注的区域的表面上而扫描所形成的带电粒子束探针92。在实施例中，所述带电粒子束产生器81、所述聚光器透镜模块82和所述探针形成物镜模块83或它们的等效设计、替代方案或其任何组合一起形成带电粒子束探针产生器，其产生扫描带电粒子束探针92。

次级带电粒子检测器模块85检测一旦由所述带电粒子束探针92轰击以产生次级带电粒子检测信号94就从样本表面发射的次级带电粒子93(也可以与来自所述样本表面的其它反射或散射带电粒子一起)。所述图像形成模块86(例如计算装置)与所述次级带电粒子检测器模块85耦接以从所述次级带电粒子检测器模块85接收所述次级带电粒子检测信号94并且因此形成至少一个扫描图像。在实施例中，次级带电粒子检测器模块85和图像形成模块86或它们的等效设计、替代方案或其任何组合一起形成图像形成设备，其由从带电粒子束探针92轰击的样本90发射的检测到的次级带电粒子形成扫描图像。

在实施例中，监控模块87被联接至所述图像形成设备的所述图像形成模块86以对所述图案化过程进行监控、控制等等和/或使用从图像形成模块86所接收的所述样本90的扫描图像导出用于图案化过程设计、控制、监控等等的参数。因此，在实施例中，所述监控模块87被配置或编程以导致执行本文中所描述的方法。在实施例中，所述监控模块87包括计算装置。在实施例中，所述监控模块87包括用以提供本文中的功能性并且编码于计算机可读介质上的计算机程序，所述计算机可读介质形成所述监控模块87或被安置于监控模块87内。

在实施例中，如使用探针来检查衬底的图14的电子束检查工具，图15的系统中的电子电流相比于例如诸如图14中描绘的CD SEM显著更大，使得探针斑足够大从而使得检查速度可以较快。然而，由于探针斑较大，因此分辨率可能不与CD SEM的分辨率一样高。在实施例中，在不限制本公开的范围的情况下，上文论述的检查设备(图13或图14中)可以是单束设备或多束设备。

可以处理来自例如图14和/或图15的系统的SEM图像以提取在图像中对表示器件结构的对象的边缘进行描述的轮廓。接着通常在使用者限定的切割线处经由诸如CD之类的指标来量化这些轮廓。因而，通常经由诸如在所提取的轮廓上所测量的边缘间距离(CD)或图像之间的简单像素差之类的指标，来比较和量化器件结构的图像。

根据实施例，提供一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法。所述方法包括用于获得以下的步骤：(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；并且经由处理器从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。

在实施例中，所述相对位置被限定在所述搜索图案的所述第一特征的元件与所述第二特征的元件之间。

在实施例中，所述元件包括相应特征的边缘和/或顶点。

在实施例中，所述第一搜索条件还包括与所述特征的元件之间的相对位置和/或所述特征的尺寸相关联的公差极限。

在实施例中，所述第一特征和所述第二特征位于相同层上。

在实施例中，所述第一特征和所述第二特征位于不同层上。

在实施例中，所述方法还包括：获得围绕所述搜索图案的边界框以及与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和经由所述处理器，从所述候选图案的第一集合确定满足与所述边界框相关联的所述第二搜索条件的候选图案的第二集合。

在实施例中，所述第二搜索条件包括所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的相对位置。

在实施例中，所述相对位置是所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的距离、和/或角度。

在实施例中，所述第二搜索条件还包括与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限。

在实施例中，所述第二搜索条件与所述搜索图案的最靠近于所述边界框的特征相关联。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数。

在实施例中，所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：所述特征的边缘；所述特征的大小；和所述特征的形貌。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：基于所述第二搜索条件来调整围绕所述搜索图案的边界框；和从所述候选图案的第一集合确定满足与调整后的边界框相关联的所述第二搜索条件的所述候选图案的第二集合。

在实施例中，调整所述边界框包括：相对于场图案的特征的大小的增加和/或减小以及所述第二搜索条件，增加和/或减小所述边界框的大小。

在实施例中，边界框的大小的增加量和/或减小量在与搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

在实施例中，从所印制的衬底的图案的图像和/或所述衬底的模拟图案获得所述图案集合。

在实施例中，从扫描电子显微镜图像获得所述图案集合。

在实施例中，所述搜索图案包括多个特征，其中所述多个特征在所述衬底的相同层上和/或在所述衬底的不同层上。

此外，根据实施例，提供一种从图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)基于与搜索图案的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合的候选图案的第一集合、(ii)围绕所述搜索图案的边界框、和(iii)与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和基于所述第二搜索条件从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合。

在实施例中，所述第二搜索条件是所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的距离、和/或角度。

在实施例中，所述第二搜索条件还包括与介于所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的所述距离和/或所述角度相关联的公差极限。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的所述候选图案的第一集合选择图案子集合。

在实施例中，所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：所述特征的边缘；所述特征的大小；和所述特征的形貌。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：基于所述第二搜索条件来调整围绕所述搜索图案的边界框；和从所述候选图案的第一集合确定满足与调整后的边界框相关联的所述第二搜索条件的所述候选图案的第二集合。

在实施例中，调整所述边界框包括：根据所述图案集合的特征的大小和所述第二搜索条件，增加和/或减小所述边界框的大小。

在实施例中，所述边界框的大小的增加量和/或减小量在与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

此外，根据实施例，提供一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：获得(i)基于与搜索图案的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合的候选图案的第一集合、(ii)围绕所述搜索图案的边界框、和(iii)与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和基于所述第二搜索条件从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。

在实施例中，所述额外特征与所述搜索图案的特征相邻且在所述边界框内。

在实施例中，所述额外特征与所述搜索图案的特征位于相同层上和/或与所述搜索图案的特征位于不同层上。

在实施例中，所述额外特征不与相对于所述搜索图案的特征或所述边界框的约束相关联。

在实施例中，确定所述候选图案的第二集合还包括：比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的所述候选图案的第一集合选择图案子集合。

在实施例中，所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：所述特征的边缘；所述特征的大小；和所述特征的形貌。

此外，根据实施例，提供一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：经由接口，在所述搜索图案的第一特征与第二特征之间应用第一条件；经由处理器，基于所述第一约束在图案集合上确定候选图案的第一集合；经由所述接口，绘制围绕所述搜索图案的边界框；经由所述接口，在所述第一特征或所述第二特征与所述边界框之间应用第二条件；以及经由所述处理器基于所述第二条件，从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。

在实施例中，应用所述第一条件包括：选择所述搜索图案的所述第一特征的边缘和所述第二特征的边缘；分配所选择的边缘之间的距离；和/或向所选择的边缘之间的所述距离分配公差极限。

此外，根据实施例，提供一种产生搜索图案数据库的方法，所述方法包括：获得图案集合，所述图案集合中的图案包括多个特征；经由接口，将搜索条件集合应用于所述图案集合以产生搜索图案集合，其中搜索图案与搜索条件相关联；经由处理器，评估在与所述图案集合的一个或更多个特征相关联的一个或更多个搜索条件之间是否存在冲突；以及经由所述处理器储存所述搜索图案集合和不存在冲突的相关联的搜索条件集合。

在实施例中，评估所述冲突包括：识别所述图案集合的具有相同搜索条件的特征；和/或确定所述搜索条件是否超过与所述图案集合中的图案的特征有关的预定阈值；和/或显示所识别的特征以修改所述条件从而消除冲突。

此外，根据实施例，提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施前述的方法。

图16是图示出可以辅助实施本文中所披露的优化方法和流程的计算机系统100的框图。计算机系统100包括总线102或用于通信信息的其他通信机构、以及与总线102联接以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100还包括主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态储存装置，其联接到总线102，以用于存储待由处理器104执行的信息和指令。主存储器106还可用于在执行待由处理器104执行的指令期间存储临时变量或其他中间信息。计算机系统100还包括与总线102联接的只读存储器(ROM)108或其他静态储存装置，用于存储用于处理器104的静态信息和指令。提供诸如磁盘或光盘之类的储存装置110，并将其联接到总线102以用于储存信息和指令。

计算机系统100可以经由总线102联接到显示器112，诸如用于向计算机用户显示信息的阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器。包括字母数字键和其他键的输入装置114被联接到总线102，以用于将信息和命令选择传递至处理器104。用户输入装置的另一种类型是光标控件116，诸如鼠标、轨迹球或光标方向键，用于将方向信息和命令选择传递给处理器104并且用于控制光标在显示器112上的移动。此输入装置通常在两个轴上具有两个自由度，即第一轴(例如，x)和第二轴(例如，y)，这允许该装置指定平面中的位置。触摸面板(屏幕)显示器也可以用作输入装置。

根据一实施例，可以由计算机系统100响应于处理器104执行被包含于主存储器106中的一个或更多个指令的一个或更多个序列来执行本文中所描述的过程的多个部分。可以从诸如储存装置110之类的另一计算机可读介质将这样的指令读取到主存储器106内。执行被包含在主存储器106中的指令的序列导致处理器104执行本文所述的过程步骤。也可以采用多处理布置中的一个或更多个处理器来执行被包含于主存储器106中的指令的序列。在替代实施例中，可以使用硬连线电路来代替软件指令、或与软件指令结合使用。因而，实施例不限于硬件电路和软件的任何特定组合。

如本文所使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器104提供指令以供执行的任何介质。这种介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如储存装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括构成总线102的线缆。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间所产生的声波或光波。计算机可读介质的常见形式包括，例如，软式磁碟片、挠性磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、打孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或卡匣、以及下文所述的载波、或可供计算机从中读取的任何其他介质。

各种形式的计算机可读介质可以涉及携载一个或更多个指令的一个或更多个序列至处理器104以供执行。例如，所述指令可以最初承载于远程计算机的磁盘上。所述远程计算机可以将所述指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线路发送指令。计算机系统100本地的调制解调器可以在电话线路上接收数据，并且使用红外发射器将数据转换为红外信号。联接到总线102的红外检测器可以接收在红外信号中所携载的数据，并且将数据置于总线102上。总线102将数据携载至主存储器106，处理器104从主存储器106检索并且执行指令。由主存储器106所接收的指令可以可选地在由处理器104执行之前或之后被储存在储存装置110上。

计算机系统100也可包括联接到总线102的通信接口118。通信接口118提供联接到与本地网络122相连接的网络链路120的双向数据通信。例如，通信接口118可以是集成服务数字网络(ISDN)卡或调制解调器，以提供通往对应类型电话线路的数据通信连接。作为另一个示例，通信接口118可以是局域网(LAN)卡，以提供通往兼容LAN的数据通信连接。无线链接也可以被实施。在任何这样的实施方式中，通信接口118发送和接收携带有表示各种类型信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光学信号。

网络链路120通常通过一个或更多个网络提供通往其他数据装置的数据通信。例如，网络链路120可以提供穿过局域网122到主机电脑的连接或到由互联网服务提供商(ISP)126所操作的数据设备的连接。ISP 126继而通过全球封包数据通信网络(现在通常称为“互联网”128)提供数据通信服务。局域网122和互联网128两者都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光学信号。通过各种网络的信号和在网络链路120上并且通过通信接口118的信号(其携带发送给计算机系统100和来自计算机系统100的数字数据)是传输信息的载波的示例形式。

计算机系统100可以通过网络、网络链接120和通信接口118来发送消息并且接收数据，包括程序代码。在互联网的示例中，服务器130可以通过互联网128、ISP 126、局域网122和通信接口118来传输针对应用程序的所请求的代码。根据一个或更多个实施例，一个这种被下载的应用程序提供例如实施例的照射优化。所接收到的代码可以在被接收到时由处理器104执行，和/或被储存在储存装置110或其他非易失性储存装置中，以供稍后执行。以这种方式，计算机系统100可以获得呈载波形式的应用代码。

图17示意性地描绘包括以下各项的另一示例性光刻投影设备LA：

-源收集器模块SO，所述源收集器模块用以提供辐射。

-照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节来自源收集器模块SO的辐射束B(例如EUV辐射)。

-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并且连接到配置成准确地定位该图案形成装置的第一定位器PM；

-衬底台(例如晶片台)WT，构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到配置成准确地定位该衬底的第二定位器PW；和

-投影系统(例如反射型投影系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予幅射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

如这里所描绘的，设备LA属于反射类型(例如采用反射型掩模)。应该注意的是，由于大多数材料在EUV波长范围内具有吸收性，所以图案形成装置可以具有包括例如钼和硅的多层叠层的多层反射器。在一个示例中，多叠层反射器具有钼和硅的40个层对，其中，每一层的厚度为四分之一波长。可以通过X射线光刻术来产生甚至更小的波长。由于大多数材料在EUV和x射线波长下具有吸收性，所以图案形成装置形貌(topography)上的图案化的吸收材料的薄片(例如，多层反射器的顶部上的TaN吸收体)限定在何处特征将印刷(正型抗蚀剂)或不印刷(负型抗蚀剂)。

参考图17，所述照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不一定限于具有在EUV范围内的一种或更多种发射谱线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)的材料转换成等离子体状态。在一种这样的方法(经常被称为激光产生的等离子体(“LPP”))中，可以通过利用激光束来辐射燃料(诸如，具有线发射元素的材料的液滴、流或簇)而产生等离子体。源收集器模块SO可以是包括激光器(图12中未示出)的EUV辐射系统的部件，该激光器用于提供激发燃料的激光束。所得到的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，该输出辐射是使用设置于源收集器模块中的辐射收集器来收集的。例如，当使用CO2激光器来提供用于燃料激发的激光束时，激光器和源收集器模块可以是分立的实体。

在这些情况下，不认为激光器构成光刻设备的一部分，并且辐射束借助于包括例如适当的定向反射镜和/或扩束器的束递送系统而从激光器传递到源收集器模块。在其他情况下，例如，当所述辐射源是放电产生等离子体EUV产生器(经常被称为DPP辐射源)时，所述辐射源可以是源收集器模块的组成部分。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如，琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。照射器可以用于调节辐射束，以便在其横截面中具有所要的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射于被保持于支撑结构(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并且通过该图案形成装置而形成图案。在从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将该束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如，干涉量测装置、线性编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以使不同的目标部定位于辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器PS1可以用以相对于辐射束B的路径来精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。

所描绘设备LA可以在以下模式中的至少一种模式下使用：

1.在步进模式下，在将赋予辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上时，使支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，以便能够曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式下，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上时，同步地扫描支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向。

3.在另一种模式下，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上时，使保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持基本上静止，并且移动或扫描衬底台WT。在这种模式下，通常采用脉冲式辐射源，并且在衬底台WT的每一次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要而更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地应用于使用可编程图案形成装置(诸如，上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

图18更详细地示出了设备LA，该设备包括源收集器模块SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器模块SO构造和布置成可以将真空环境维持在源收集器模块SO的围封结构220中。可以通过放电产生等离子体辐射源而形成EUV辐射发射的等离子体210。可以通过气体或蒸汽(例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽)而产生EUV辐射，其中，产生极热的等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如，通过引起至少部分地电离的等离子体的放电而产生极热的等离子体210。为了有效产生辐射，可能需要为例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他适当的气体或蒸汽。在实施例中，提供受激发的锡(Sn)等离子体，以产生EUV辐射。

由热等离子体210发射的辐射经由定位于源腔室211中的开口中或后方的可选的气体阻挡件或污染物截留器230(在一些情况下，也被称作污染物阻挡件或箔片阱)而从源腔室211传递到收集器腔室212中。污染物截留器230可以包括通道结构。污染物截留器230也可以包括气体阻挡件，或气体阻挡件与通道结构的组合。如本领域中已知的，本文中进一步示出的污染物截留器或污染物阻挡230至少包括通道结构。

收集器腔室211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以由光栅光谱滤光器240反射，然后沿着点划线‘O’所指示的光轴而聚焦在虚源点IF处。虚源点IF通常被称作中间焦点，并且源收集器模块被布置成使得中间焦点IF位于围封结构220中的开口221处或附近。虚源点IF是辐射发射等离子体210的图像。

随后，辐射横穿照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，该琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24被布置成提供在图案形成装置MA处具有期望的角分布的辐射束21，以及在图案形成装置MA处具有期望的均匀性的辐射强度。在辐射束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射之后，形成图案化的束26，并且通过投影系统PS将图案化的束26经由反射元件28、30而成像到由衬底台WT保持的衬底W上。

比图示的更多的元件通常可以设置在照射光学装置单元IL和投影系统PS中。依赖于光刻设备的类型，可以可选地设置光栅光谱滤光器240。另外，可以存在比图中所示的反射镜多的反射镜，例如，在投影系统PS中可以存在比图18所示的反射元件多1至6个的额外反射元件。

如图18中所图示的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套式或巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。所述掠入射反射器253、254和255被设置为围绕光轴O轴向对称，并且这种类型的收集器光学器件CO期望地与放电产生等离子体辐射源组合使用。

替代地，所述源收集器模块SO可以是如图19所示出的LPP辐射系统的部分。激光器LAS被布置成将激光能量淀积至诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)之类的燃料中，从而产生具有数十eV的电子温度的高度离子化的等离子体210。在这些离子的去激发和再结合期间所产生的高能辐射从等离子体发射、由近正入射收集器光学器件CO收集，并且被聚焦至在围封结构220中的开口221上。

可以使用以下方面来进一步描述实施例：

1.一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：

获得(i)图案化过程的图案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索图案、和(iii)包括介于所述搜索图案的所述第一特征与所述第二特征之间的相对位置的第一搜索条件；和

经由处理器从所述图案集合确定满足与所述搜索图案的所述第一特征和所述第二特征相关联的所述第一搜索条件的候选图案的第一集合。

2.根据方面1所述的方法，其中所述相对位置被限定在所述搜索图案的所述第一特征的元件与所述第二特征的元件之间。

3.根据方面2所述的方法，其中所述元件包括相应特征的边缘和/或顶点。

4.根据方面1至3中任一项所述的方法，其中所述第一搜索条件还包括与所述特征的元件之间的相对位置和/或所述特征的尺寸相关联的公差极限。

5.根据方面1至4中任一项所述的方法，其中所述第一特征和所述第二特征位于相同层上。

6.根据方面1至4中任一项所述的方法，其中所述第一特征和所述第二特征位于不同层上。

7.根据方面1至6中任一项所述的方法，所述方法还包括：

获得围绕所述搜索图案的边界框以及与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和

经由所述处理器，从所述候选图案的第一集合确定满足与所述边界框相关联的所述第二搜索条件的候选图案的第二集合。

8.根据方面7所述的方法，其中所述第二搜索条件包括所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的相对位置。

9.根据方面8所述的方法，其中所述相对位置是所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的距离、和/或角度。

10.根据方面7至9中任一项所述的方法，其中所述第二搜索条件还包括与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限。

11.根据方面1至10中任一项所述的方法，其中所述第二搜索条件与所述搜索图案的最靠近于所述边界框的特征相关联。

12.根据方面1至11中任一项所述的方法，其中确定所述候选图案的第二集合还包括：

比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数。

13.根据方面12所述的方法，其中所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：

所述特征的边缘；

所述特征的大小；和

所述特征的形貌。

14.根据方面1至13中任一项所述的方法，其中确定所述候选图案的第二集合还包括：

基于所述第二搜索条件来调整围绕所述搜索图案的边界框；和

从所述候选图案的第一集合确定满足与调整后的边界框相关联的所述第二搜索条件的所述候选图案的第二集合。

15.根据方面14所述的方法，其中调整所述边界框包括：

相对于所述图案集合中的图案的特征的大小的增加和/或减小以及所述第二搜索条件，增加和/或减小所述边界框的大小。

16.根据方面14所述的方法，其中所述边界框的大小的增加量和/或减小量在与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

17.根据方面1至16中任一项所述的方法，其中所述图案集合是设计图案；和/或所印制的衬底的图案的图像；和/或所述衬底的模拟图案。

18.根据方面17所述的方法，其中从扫描电子显微镜图像获得所述图案集合。

19.根据方面18所述的方法，其中所述搜索图案包括多个特征，其中所述多个特征在所述衬底的相同层上和/或在所述衬底的不同层上。

20.根据方面1至19中任一项所述的方法，其中所述第二特征与所述第一特征相邻。

21.一种从图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：

获得(i)基于与搜索图案的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合的候选图案的第一集合、(ii)围绕所述搜索图案的边界框、和(iii)与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和

基于所述第二搜索条件从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合。

22.根据方面21所述的方法，其中所述第二搜索条件是所述搜索图案的特征的边缘与所述边界框的边缘之间的距离、和/或角度。

23.根据方面22所述的方法，其中所述第二搜索条件还包括与介于所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的所述距离和/或所述角度相关联的公差极限。

24.根据方面21至23中任一项所述的方法，其中确定所述候选图案的第二集合还包括：

比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和

基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的所述候选图案的第一集合选择图案子集合。

25.根据方面24所述的方法，其中所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：

所述特征的边缘；

所述特征的大小；和

所述特征的形貌。

26.根据方面21至25中任一项所述的方法，其中确定所述候选图案的第二集合还包括：

基于所述第二搜索条件来调整围绕所述搜索图案的边界框；和

从所述候选图案的第一集合确定满足与调整后的边界框相关联的所述第二搜索条件的所述候选图案的第二集合。

27.根据方面26所述的方法，其中调整所述边界框包括：

根据所述图案集合的特征的大小和所述第二搜索条件，增加和/或减小所述边界框的大小。

28.根据方面27所述的方法，其中所述边界框的大小的增加量和/或减小量在与所述搜索图案的特征的元件和所述边界框之间的相对位置相关联的公差极限内。

29.一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：

获得(i)基于与搜索图案的特征相关联的第一搜索条件的来自图案集合的候选图案的第一集合、(ii)围绕所述搜索图案的边界框、和(iii)与所述边界框和所述搜索图案的特征相关联的第二搜索条件；和

基于所述第二搜索条件从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。

30.根据方面29所述的方法，其中所述额外特征与所述搜索图案的特征相邻且在所述边界框内。

31.根据方面29至30中任一项所述的方法，其中所述额外特征与所述搜索图案的特征位于相同层上和/或与所述搜索图案的特征位于不同层上。

32.根据方面29至31中任一项所述的方法，其中所述额外特征不与相对于所述搜索图案的特征或所述边界框的约束相关联。

33.根据方面29至32中任一项所述的方法，其中确定所述候选图案的第二集合还包括：

比较所述搜索图案的特征的一个或更多个参数与所述图案集合的特征的相对应的一个或更多个参数；和

基于所述比较，从排除具有形貌失配的图案的所述候选图案的第一集合选择图案子集合。

34.根据方面33所述的方法，其中所述一个或更多个参数包括以下中的至少一个：

所述特征的边缘；

所述特征的大小；和

所述特征的形貌。

35.一种从图案化过程的图案集合确定候选图案的方法，所述方法包括：

经由接口，在所述搜索图案的第一特征与第二特征之间应用第一条件；

经由处理器，基于所述第一约束在图案集合上确定候选图案的第一集合；

经由所述接口，绘制围绕所述搜索图案的边界框；

经由所述接口，在所述第一特征或所述第二特征与所述边界框之间应用第二条件；以及

经由所述处理器基于所述第二条件，从所述候选图案的第一集合确定候选图案的第二集合，其中所述候选图案的第二集合包括具有不被包括在所述搜索图案中的额外特征的候选图案。

36.根据方面35所述的方法，其中应用所述第一条件包括：

选择所述搜索图案的所述第一特征的边缘和所述第二特征的边缘；

分配所选择的边缘之间的距离；和/或

向所选择的边缘之间的所述距离分配公差极限。

37.一种产生搜索图案数据库的方法，所述方法包括：

获得图案集合，所述图案集合中的图案包括多个特征；

经由接口，将搜索条件集合应用于所述图案集合以产生搜索图案集合，其中搜索图案与搜索条件相关联；

经由处理器，评估在与所述图案集合的一个或更多个特征相关联的一个或更多个搜索条件之间是否存在冲突；以及

经由所述处理器储存所述搜索图案集合和不存在冲突的相关联的搜索条件集合。

38.根据方面37所述的方法，其中评估所述冲突包括：

识别所述图案集合的具有相同搜索条件的特征；和/或

确定所述搜索条件是否超过与所述图案集合中的图案的特征有关的预定阈值；和/或

显示所识别的特征以修改所述条件从而消除冲突。

39.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施根据方面1至38中任一项所述的方法。

本文中所公开的概念可以对用于使次波长特征成像的任何通用成像系统进行模拟或数学建模，并且尤其可以适用于能够产生具有越来越小的大小的波长的新兴成像技术。已经在使用中的新兴技术包括能够通过使用ArF激光器来产生193nm波长且甚至能够通过使用氟激光器来产生157nm波长的DUV(深紫外线)光刻术。此外，EUV光刻术能够通过使用同步加速器或通过用高能电子射到材料(固体或等离子体中任一个)来产生在20nm至5nm的范围内的波长，以便产生这个范围内的光子。

虽然本文中所公开的概念可以用于在诸如硅晶片之类的衬底上成像，但应理解，所公开的概念可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在不同于硅晶片的衬底上成像的那些光刻成像系统。

虽然可以在本文中具体地参考在IC制造中的实施例的使用，但应理解，本文中的实施例可以具有许多其它可能应用。例如，所述实施例可以用于制造集成光学系统、用于磁域存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头、微机械系统(MEM)等中。本领域技术人员应了解，在这些替代应用的内容背景下，可以将本文中对术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用视是分别与更上位的术语“图案形成装置”、“衬底”或“目标部分”同义或可以与其互换。可以在曝光之前或之后在(例如)涂覆显影系统(通常将抗蚀剂层施加至衬底且使曝光后的抗蚀剂显影的工具)或量测工具或检查工具中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文中的公开内容应用于这些和其它衬底处理工具。此外，可以将衬底处理多于一次，例如以便产生例如多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。

在本文献中，如本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有约365nm、约248nm、约193nm、约157nm或约126nm的波长)和极紫外线(EUV)辐射(例如具有在5nm至20nm的范围内的波长)以及粒子束，诸如离子束或电子束。

如本文中所使用的术语“优化(optimizing/optimization)”是指或意味着调整图案化设备(例如光刻设备)、图案化过程等，使得结果和/或过程具有较期望的特性，诸如设计图案投影于衬底上的较高的准确度、较大的过程窗等。因此，如本文中所使用的术语“优化(optimizing/optimization)”是指或意味着识别一个或更多个参数的一个或更多个值的过程，所述一个或更多个值相比于那些一个或更多个参数的一个或更多个值的初始集合提供至少一个相关指标的改善，例如局部最优。“最优”和其它相关术语应相应地来构造。在实施例中，可以迭代地应用优化步骤，以提供一个或更多个指标的进一步改善。

可以以任何便利的形式实施本发明的方面。例如，实施例可以通过一个或更多个适合的计算机程序来实施，所述一个或更多个适合的计算机程序可以在可以是有形载体介质(例如磁盘)或无形载体介质(例如通信信号)的适合的载体介质上进行。可以使用合适的设备来实施本发明的实施例，所述合适的设备可以具体地采取可编程计算机的形式，所述可编程计算机执行被布置以实施如本文中所描述的方法的计算机程序。因此，可以硬件、固件、软件或其任何组合来实施本公开的实施例。本公开的实施例也可以实施为储存在机器可读介质上的指令，所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈可以由机器(例如计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘储存介质；光学储存介质；闪存装置；电、光学、声学或其它形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)；和其它介质。另外，固件、软件、例程、指令可以在本文中描述为执行某些动作。然而，应了解，这些描述仅仅出于方便起见，并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置引起。

在框图中，将所图示的部件描绘为离散的功能区块，但实施例不限于本文中所描述的功能性如所图示那样来组织的系统。由部件中的每个部件提供的功能性可以由软件模块或硬件模块提供，所述模块以与目前所描绘的方式不同的方式组织，例如，可以掺和、结合、复写、分解、分布(例如在数据中心内或在地理上)，或另外以不同的方式组织这种软件或硬件。本文中所描述的功能性可以由执行储存在有形的、非暂时性机器可读介质上的程序代码的一个或更多个计算机的一个或更多个处理器提供。在一些情况下，第三方内容分发网络可以托管经由网络通信的信息中的一些或全部，在这种情况下，在据称供应或以其它方式提供信息(例如内容)的情况下，信息可以通过发送指令以从内容分发网络获取所述信息来提供。

除非另外具体图示，否则如根据论述明白，应了解，在整个本说明书中，利用诸如“处理”、“运算”、“计算”、“确定”等等的术语的论述是指诸如专用计算机或类似的专用电子处理/计算装置之类的具体设备的动作或过程。

读者应了解，本申请描述若干发明。这些发明已经组合成单个文件，而不是将那些发明分离成多个独立的专利申请，这是由于所述发明的相关主题使其在应用程序中有助于经济发展。但不应合并这些发明的不同的优点和方面。在一些情况下，实施例解决本文中提及的所有不足，但应理解，所述发明是独立地有用，并且一些实施例仅解决这些问题的子集或提供其它未被提及的益处，检阅本公开的本领域技术人员将明白所述益处。归因于成本约束，目前可以不主张本文中所公开的一些发明，并且可以在稍后的申请(诸如继续申请或通过修正本技术方案)中主张所述发明。类似地，归因于空间约束，本文献的说明书摘要和发明内容章节都不应视为包含所有这些发明的全面清单或这些发明的所有方面。

应理解，描述和附图并不意图将本公开限制于所公开的特定形式，而是，意图涵盖属于如由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等效物和替代方案。

鉴于这种描述，本领域技术人员将明白本发明的各个方面的修改和替代实施例。因此，这种描述和附图应被构造为仅是说明性的且是出于教导本领域技术人员执行本发明的一般方式的目的。应理解，本文中示出且描述的本发明的形式应视为实施例的示例。元件和材料可替代本文中所图示和描述的元件和材料，可以反转或省略部分和过程，可以独立地利用某些特征，并且可以组合实施例或实施例的特征，所有这些在本领域技术人员在获得本说明书的益处之后都将明白。可以在不背离如在以下权利要求中所描述的本发明的精神和范围的情况下对本文中所描述的元件作出改变。本文中所使用的标题仅出于组织性目的，并且不意图用以限制描述的范围。

如在整个本申请中所使用的，词“可以”是在许可的意义(即，意味着可能)而不是强制性的意义(即，意味着必须)下来使用的。词“包括(include/including/includes)”和类似者意味着包括但不限于。如在整个本申请中所使用的，除非内容另有明确地指示的，否则单数形式“(a/an)”和“所述(the)”包括多个参照物。因此，例如，对“(an)”元件“(a)”元件的参考包括两个或更多个元件的组合，虽然会针对一个或更多个元件使用其它术语和短语，诸如“一个或更多个”。除非另有指示，否则术语“或”是非排它性的，即，涵盖“和”与“或”两者。描述条件关系的术语，例如，“响应于X，而Y”、“在X后，即Y”、“如果X，则Y”、“当X时，Y”和类似者涵盖因果关系，其中前提是必要的因果条件，前提是充分的因果条件，或前提是结果的贡献因果条件，例如，“在条件Y获得后，即出现状态X”对于“仅在Y后，才出现X”和“在Y和Z后，即出现X”是通用的。这些条件关系不限于即刻遵循获得的前提的结果，这是由于一些结果可能延迟，并且在条件语句中，前提连接至其结果，例如，前提与出现结果的可能性相关。除非另有指示，否则多个属性或功能被映射至多个对象(例如执行步骤A、B、C和D的一个或更多个处理器)的陈述涵盖被映射至所有这些对象的所有这些属性或功能和被映射至属性或功能的子集的属性或功能的子集两者(例如所有处理器各自执行步骤A至D，和其中处理器1执行步骤A，处理器2执行步骤B和步骤C的一部分，并且处理器3执行步骤C的一部分和步骤D的情况两者)。此外，除非另外指示，否则一个值或动作“基于”另一条件或值的陈述涵盖条件或值是单独的因子的实例与条件或值是多个因子当中的一个因子的实例两者。除非另有指示，否则某一集合的“每个”实例具有某一性质的陈述不应解读为排除较大集合的一些以其它方式相同或类似的构件不具有所述性质(即，每个不必意味着每一个)的情况。对从范围选择的参考包括范围的端点。

在以上说明书中，流程图中的任何过程、描述或区块应理解为表示程序代码的模块、片段或部分，其包括用于实施所述过程中的具体逻辑功能或步骤的一个或更多个可执行指令，并且替代实施被包括在本进展的示例性实施例的范围内，其中功能可以依赖于所涉及的功能性而不按照所示出或论述的次序执行，包括大致同时或以相反次序执行，如本领域技术人员将理解的。

在某些美国专利、美国专利申请或其它材料(例如论文)已经以引用的方式并入的情况下，这些美国专利、美国专利申请和其它材料的文字仅在这样的材料与本文中所阐述的陈述和附图之间不存在冲突的情况下以引用的方式并入。在存在这样的冲突的情况下，在这些以引用的方式并入的美国专利、美国专利申请和其它材料中的任何这种冲突文字并不明确地以引用的方式并入本文中。

虽然已描述某些实施例，但这些实施例仅作为示例来呈现，并且并不意图限制本公开的范围。实际上，本文中所描述的新颖方法、设备和系统可以以多种其它形式体现；此外，在不背离本公开的精神的情况下，可以对本文中所描述的方法、设备和系统的形式进行各种省略、替代和改变。随附权利要求及其等效物意图涵盖如将属于本公开的范围和精神内的这些形式或修改。