一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法

摘要

本发明公开了一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法，包括以下步骤：在磁性多层膜自旋阀样品表面镀一层Al薄膜作为激发层，以飞秒激光作为测量光源，激光脉冲打在Al激发层，测量自旋阀在反平行态（AP）的电压(VAP)与平行态时(P)的电压(VP)；通过仿真软件，利用有限元法模拟激光在样品中的热传导过程，计算得到自旋阀上下表面的温度差（ΔTsv）；根据公式ΔSsv=(VAP‑VP)/ΔTsv，计算得到自旋相关的塞贝克系数。本发明的测量手段更加简单快捷，并且避免了其他次生效应的产生，测量更加准确。