要解决的问题:在不干扰磁性多层膜的磁性的情况下测量X射线磁性圆二色性,并观察层界面附近的磁性或沿膜厚度方向的磁性分布。
解决方案:入射角θ;控制磁性多层膜1中的驻波的电场强度E(a),E(b),使其由以入射角θ入射的X射线5激发。其中,基于磁性多层膜1的层叠结构,通过干涉来提高反射X射线强度,因此在磁性多层膜1的层1a,1b的界面上具有最大强度。然后,将入射的X射线5相对于行进方向切换成顺时针圆偏振和逆时针圆偏振,并测定切换前后的X射线吸收率的差,从而测定出X射线的磁圆二色性。磁性多层膜1。波腹和波的波腹的每个位置由入射角θ控制,并且最大电场强度的位置与要测量的界面一致,从而选择性地进行测量。界面附近的磁特性。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007248311A
专利类型
公开/公告日2007-09-27
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;
申请/专利号JP20060073388
发明设计人 DOI SHUICHI;
申请日2006-03-16
分类号G01N23/20;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:15:00