一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC-DC转换系统

摘要

本发明属于DC‑DC转换系统技术领域，具体地说，尤其涉及一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC‑DC转换系统，包括电源，所述电源连接有PWM芯片，所述PWM芯片连接有图腾柱电路；所述PWM芯片还连接有控制电路，所述控制电路连接有取样电路，所述取样电路连接有输出电路；所述电源、图腾柱电路与输出电路之间通过MOS管相连，所述MOS管与取样电路和输出电路之间还连接有电阻。本发明解决了DC‑DC转换器静态工作电流大的问题；在控制成本的条件下，本发明比市面上常用的同电压范围的DC‑DC转换器的效率高得多。

说明书

技术领域

本发明属于DC-DC转换系统技术领域，具体地说，尤其涉及一种基于国产 芯片EG7500的低压大电流DC-DC转换系统。

背景技术

DC-DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC-DC转 换器分为三类：升压型DC-DC转换器、降压型DC-DC转换器以及升降压型DC-DC 转换器。根据需求可采用三类控制。PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹 波和噪声。PFM控制型即使长时间使用，尤其小负载时具有耗电小的优点。 PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制，且在重负载时自动转换到PWM控制。 DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。 在电路类型分类上属于斩波电路。

随着科技的发展，DC-DC转换器已经被各行各业广泛运用。国内各单位也对 DC-DC转换器也进行了多种多样的研究，但是在效率这一项上仍然拥有可提升的 空间和方法。在这一宏观背景下，一款纯国产化的低电压、大电流、高效率、 低成本的DC-DC转化系统诞生了。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明提供一种基于国产芯片EG7500的低压大 电流DC-DC转换系统，解决了DC-DC转换器静态工作电流大、转换效率低的问 题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：一种基于国产芯片EG7500的低 压大电流DC-DC转换系统,包括电源，所述电源连接有PWM芯片，所述PWM芯片 连接有图腾柱电路；

所述PWM芯片还连接有控制电路，所述控制电路连接有取样电路，所述取 样电路连接有输出电路；

所述电源、图腾柱电路与输出电路之间通过MOS管相连，所述MOS管与取 样电路和输出电路之间还连接有电阻。

进一步的，所述PWM芯片包括芯片U3，所述芯片U3的第一引脚连接有电阻 R10、电阻R14、电阻R16和滑动电阻R18，所述电阻R10接地；所述芯片U3的 第二引脚连接有电阻R9、电阻R8、电阻R7、电阻R5、电阻R1，所述电阻R9接 地，所述电阻R8连接有电容C11，所述电阻R5和电阻R1之间连接有电压基准 芯片U1，所述电阻R1和电压基准芯片U1之间连接有电容C2，所述电阻R5和 电压基准芯片U1之间连接有电容C5，所述电容C5和电压基准芯片U1同时接地； 所述芯片U3的第三引脚连接于电阻R7和电容C11；所述芯片U3的第四引脚接 地；所述芯片U3的第五引脚连接有电容C13，所述电容C13接地；所述芯片U3 的第六引脚连接有电阻R13，所述电阻R13接地；所述芯片U3的第七引脚接地； 所述芯片U3的第八引脚连接有电阻R20和电阻R21，所述电阻R20、电阻R21 和第八引脚连接于MOS管Q11；所述芯片U3的第九引脚连接有电阻R19；所述 芯片U3的第十一引脚上连接有电阻R38和电阻R39，所述电阻R38、电阻R39 和第十一引脚之间通过MOS管Q19相连，所述电阻R38还连接有电容C37和电容C38，所述MOS管Q19还连接有MOS管Q17，所述MOS管Q17连接有电阻R36， 所述MOS管Q17与电阻R36之间连接有电阻R34，所述电阻R36连接有三极管Q18，所述三极管Q18接地；所述芯片U3的第十二引脚连接有电容C17和电容 C18；所述芯片U3的第十四引脚连接有电容C19和电阻R29，所述电容C19和电 阻R29之间连接有电阻R27；所述芯片U3的第十五引脚连接于电阻R29和电阻 R27；所述芯片U3的第十引脚、第十三引脚、第十六引脚和电阻R19、电容C17、电容C18、电容C19和电阻R29接地。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R4，所述电阻R4上连接有三极管Q1、 三极管Q2、TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5，所述三极管Q1、三极管Q2 又连接有电阻R2，所述TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5既连接于三极管 Q1又连接于电容C15的正极，所述电容C15的负极接地；所述三极管Q2还连接 有电容C9、电容C10和电感L1,所述电容C9和电容C10接地；所述电阻R4的 两端还连接有电容C6。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R6，所述电阻R6上连接有三极管Q3、 三极管Q4、TVS二极管D2、电阻R12和MOS管Q6，所述三极管Q3、三极管Q4 又连接有电阻R3，所述TVS二极管D4、电阻R12和MOS管Q6连接于三极管Q1； 所述电阻R6的两端还连接有电容C8。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R28，所述电阻R28上连接有三极管 Q14、三极管Q15、TVS二极管D6、电阻R37和MOS管Q20，所述三极管Q14、三 极管Q15又连接有电阻R23，所述TVS二极管D6、电阻R37和MOS管Q20连接 于三极管Q14；所述电阻R28的两端还连接有电容C20。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R22，所述电阻R22上连接有三极管 Q9、三极管Q10、TVS二极管D5、电阻R26和MOS管Q16，所述三极管Q9、三极 管Q10相连，所述TVS二极管D5、电阻R26和MOS管Q16连接于三极管Q14并 接地；所述电阻R22的两端还连接有电容C16。

进一步的，所述输出电路包括电容C25、电容C28、电容C31、电容C35和 电容C22，所述电容C25、电容C28、电容C31、电容C35和电容C22的正极分 别连接有电感L2和电感L4，所述电感L4连接有电容C26、电容C29、电容C33、 电容C36、电容C23和电阻R57，所述电感L4与电容C23的正极相连，所述电 容C22的负极和电容C23的负极相连，所述电阻R57连接有输出出线端P2和电 感L3，所述电感L3连接有电容C27、电容C30、电容C34、电阻R54和输出出 线端P1，所述电感L3与电容C27的正极相连，所述电容C27的负极、电容C30 和电容C34接地。

进一步的，所述电阻R57和电阻R54为取样电阻。

本发明的有益效果：

1、本发明解决了DC-DC转换器静态工作电流大的问题；

2、在控制成本的条件下，本发明比市面上常用的同电压范围的DC-DC转换 器的效率高得多。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是本发明的结构示意框图；

图2是本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进一步说明：

如说明书附图中的图1至图2所示，一种基于国产芯片EG7500的低压大电 流DC-DC转换系统,包括电源，所述电源连接有PWM芯片，所述PWM芯片连接有 图腾柱电路；

所述PWM芯片还连接有控制电路，所述控制电路连接有取样电路，所述取 样电路连接有输出电路；

所述电源、图腾柱电路与输出电路之间通过MOS管相连，所述MOS管与取 样电路和输出电路之间还连接有电阻。

进一步的，所述PWM芯片包括芯片U3，所述芯片U3的第一引脚连接有电阻 R10、电阻R14、电阻R16和滑动电阻R18，所述电阻R10接地；所述芯片U3的 第二引脚连接有电阻R9、电阻R8、电阻R7、电阻R5、电阻R1，所述电阻R9接 地，所述电阻R8连接有电容C11，所述电阻R5和电阻R1之间连接有电压基准 芯片U1，所述电阻R1和电压基准芯片U1之间连接有电容C2，所述电阻R5和 电压基准芯片U1之间连接有电容C5，所述电容C5和电压基准芯片U1同时接地； 所述芯片U3的第三引脚连接于电阻R7和电容C11；所述芯片U3的第四引脚接 地；所述芯片U3的第五引脚连接有电容C13，所述电容C13接地；所述芯片U3 的第六引脚连接有电阻R13，所述电阻R13接地；所述芯片U3的第七引脚接地； 所述芯片U3的第八引脚连接有电阻R20和电阻R21，所述电阻R20、电阻R21 和第八引脚连接于MOS管Q11；所述芯片U3的第九引脚连接有电阻R19；所述 芯片U3的第十一引脚上连接有电阻R38和电阻R39，所述电阻R38、电阻R39 和第十一引脚之间通过MOS管Q19相连，所述电阻R38还连接有电容C37和电容C38，所述MOS管Q19还连接有MOS管Q17，所述MOS管Q17连接有电阻R36， 所述MOS管Q17与电阻R36之间连接有电阻R34，所述电阻R36连接有三极管 Q18，所述三极管Q18接地；所述芯片U3的第十二引脚连接有电容C17和电容 C18；所述芯片U3的第十四引脚连接有电容C19和电阻R29，所述电容C19和电 阻R29之间连接有电阻R27；所述芯片U3的第十五引脚连接于电阻R29和电阻 R27；所述芯片U3的第十引脚、第十三引脚、第十六引脚和电阻R19、电容C17、电容C18、电容C19和电阻R29接地。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R4，所述电阻R4上连接有三极管Q1、 三极管Q2、TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5，所述三极管Q1、三极管Q2 又连接有电阻R2，所述TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5既连接于三极管 Q1又连接于电容C15的正极，所述电容C15的负极接地；所述三极管Q2还连接 有电容C9、电容C10和电感L1,所述电容C9和电容C10接地；所述电阻R4的 两端还连接有电容C6。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R6，所述电阻R6上连接有三极管Q3、 三极管Q4、TVS二极管D2、电阻R12和MOS管Q6，所述三极管Q3、三极管Q4 又连接有电阻R3，所述TVS二极管D4、电阻R12和MOS管Q6连接于三极管Q1； 所述电阻R6的两端还连接有电容C8。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R28，所述电阻R28上连接有三极管 Q14、三极管Q15、TVS二极管D6、电阻R37和MOS管Q20，所述三极管Q14、三 极管Q15又连接有电阻R23，所述TVS二极管D6、电阻R37和MOS管Q20连接 于三极管Q14；所述电阻R28的两端还连接有电容C20。

进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R22，所述电阻R22上连接有三极管 Q9、三极管Q10、TVS二极管D5、电阻R26和MOS管Q16，所述三极管Q9、三极 管Q10相连，所述TVS二极管D5、电阻R26和MOS管Q16连接于三极管Q14并 接地；所述电阻R22的两端还连接有电容C16。

进一步的，所述输出电路包括电容C25、电容C28、电容C31、电容C35和 电容C22，所述电容C25、电容C28、电容C31、电容C35和电容C22的正极分 别连接有电感L2和电感L4，所述电感L4连接有电容C26、电容C29、电容C33、 电容C36、电容C23和电阻R57，所述电感L4与电容C23的正极相连，所述电 容C22的负极和电容C23的负极相连，所述电阻R57连接有输出出线端P2和电 感L3，所述电感L3连接有电容C27、电容C30、电容C34、电阻R54和输出出 线端P1，所述电感L3与电容C27的正极相连，所述电容C27的负极、电容C30 和电容C34接地。

进一步的，所述电阻R57和电阻R54为取样电阻。

进一步的，所述控制电路为常规控制电路。可以为以下几种：

所述控制电路包括线性稳压器，所述线性稳压器的第一引脚连接有电容C7、 电容C4、电容C3和电容C1的正极，所述电容C1的负极与电容C3接地；所述 线性稳压器的第三引脚连接有电容C12、电容C14，所述电容C7、电容C4、电 容C12、电容C14和线性稳压器的第二引脚接地；所述线性稳压器的第三引脚还 连接有MOS管Q7，所述MOS管Q7上连接有电阻R17并且连接于芯片U3的第十 二引脚，所述电阻R17与MOS管Q7之间连接有电阻R15，所述电阻R17还连接 有三极管Q8，所述三极管Q8连接有二极管D3，所述三极管Q8接地；所述线性 稳压器的第三引脚还连接有MOS管Q12，所述MOS管Q12连接有电阻R24、电阻 R25、电阻R60、电阻R30、电阻R31，所述电阻R24与电阻R25相连，所述电阻 R25连接有三极管Q13，三极管Q13连接有二极管D4，所述三极管Q13与电阻 R60之间连接有发光二极管D12，所述三极管Q13和发光二极管D12接地；所述 线性稳压器的第三引脚还连接有运放甲、电容C21，所述运放甲与电容C21相连， 所述运放甲的第一引脚输出，所述运放甲的第二引脚和第三引脚输入，所述电 阻R31连接有电阻R32，所述电阻R31和电阻R32之间连接于所述运放甲的第三 引脚，所述电阻R32连接有电阻R33，所述电阻R33连接于运放甲的第二引脚， 所述电阻R33和运放甲的第二引脚之间连接有电阻R35，所述电阻R35连接于电 阻R30并且连接有二极管D7，所述二极管D7待机输出。

所述控制电路包括运放乙，所述运放乙的第五引脚和第六引脚输入，第七 引脚输出，所述运放乙的第五引脚连接有电阻R43和电阻R44，所述电阻R43待 机输出，所述运放乙的第六引脚连接有电阻R48和电阻R49，所述电阻R48还连 接有电阻R47，所述电阻R44和电阻R49接地。

所述控制电路包括运放丙和运放丁，所述运放丙的第一引脚输出，第二引 脚和第三引脚输入，所述运放丁的第七引脚输出，第五引脚和第六引脚输入； 所述运放丙连接有电阻R40、电阻R41、电阻R42，所述电阻R41、电阻R42之 间连接于运放丙的第三引脚，所述运放丙的第二引脚连接有电阻R45和电阻R46， 所述电阻R46连接有二极管D10、电阻R58，所述电阻R42、电阻R46和运放丙 接地，所述电阻R58连接于运放丙的第一引脚，所述运放丙的第一引脚还连接 有电阻R59、复位开关S1，所述电阻R59连接有三极管Q21,所述三极管Q21和复位开关S1相连并且均接地；所述运放丁的第五引脚连接有电阻R51、电阻R52、 电阻R53，所述运放丁的第六引脚连接有电阻R55、电阻R56，所述电阻R55、 电阻R56相连且接地。

所述控制电路包括相连接的二极管D8、电容C24、二极管D9、电阻R50， 发光二极管D11，所述二极管D9、电阻R50中间连接有电容C32，所述电容C32 与二极管D8和发光二极管D11相连，所述二极管D8、电容C32和发光二极管 D11接地。

以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明，所属本技术领域的技术 人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代， 只要不偏离发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明 的保护范围。