高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管

摘要

本发明涉及高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管。所述制造高电子迁移率晶体管的方法包括以下步骤：以700℃或以上且900℃或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜；以700℃或以上且900℃或以下的第二炉温度且炉压力为1Pa或以下，通过炉中的水分和氧气，在第一SiN膜上形成界面氧化层；以700℃或以上且900℃或以下的第三炉温度，通过低压化学气相沉积法，在界面氧化层上形成第二SiN膜。