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一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池

摘要

本发明公开了一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池,属于太阳能电池技术领域,至少包括:S1、采用金属有机化学气相沉积技术在砷化镓衬底上面沉积Ga1‑xInxAs缓冲层;S2、在Ga1‑xInxAs缓冲层上沉积第一子电池;S3、在第一子电池上沉积第一隧穿结;S4、在第一隧穿结上沉积第二子电池;S5、在第二子电池上沉积第二隧穿结;S6、在第二隧穿结上沉积第三子电池;S7、在第三子电池上沉积cap层;S8、器件工序,依次包括:光刻、蒸镀电极、电极加固、蒸镀减反射膜、二次套刻、腐蚀划片。本发明得到的晶体质量好,光电转换效率高,稳定性强,易于制作,并可在作为完整的电池直接使用。

著录项

  • 公开/公告号CN112614914A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011481448.1

  • 发明设计人 唐悦;张启明;张恒;刘如彬;孙强;

    申请日2020-12-15

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0687(20120101);H01L31/0693(20120101);

  • 代理机构12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司;

  • 代理人蒙建军

  • 地址 300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号

  • 入库时间 2023-06-19 10:29:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    授权

    发明专利权授予

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