一种全光谱光电双通道器件及其制备方法和应用

摘要

本发明属于半导体技术领域。一种全光谱光电双通道器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面生长ALN薄膜；在ALN薄膜表面图形化后蒸镀顶电极或阴阳电极；在ALN薄膜和顶电极表面转移一层石墨烯/PMMA复合电极，或在ALN薄膜和阴阳电极表面各转移一层石墨烯/PMMA复合电极，阴阳电极表面的石墨烯/PMMA复合电极间隔设置；将顶电极或阴阳电极表面的PMMA蚀刻去除，即得光电双通道器件。本发明制备方法简单高效，制备而成的双通道器件可同时实现发光特性和光探测特性，器件性能好，光发射范围广，可覆盖紫外到红外波段。