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一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途

摘要

本发明公开了一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途。该化合物分子式为Li18Cu3B12O30,属于三斜晶系,空间群为P‑1,晶胞参数为:a=4.8132(17)Å,b=9.228(4)Å,c=13.911(5)Å,V=592.0(4),α=104.144(9)°,β=96.052(12)°,γ=94.757(6)°,莫氏硬度为2.5‑3.1。该化合物为非一致熔融化合物,采用助熔剂法生长该化合物的单晶体,晶体尺寸具有厘米级的大尺寸。通过助熔剂法生长的Li18Cu3B12O30晶体作为制备非线性光学器件的用途。

著录项

  • 公开/公告号CN112553689A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 枣庄学院;

    申请/专利号CN202011361677.X

  • 申请日2020-11-27

  • 分类号C30B29/22(20060101);C30B15/00(20060101);H01S3/109(20060101);G02F1/355(20060101);

  • 代理机构37282 枣庄小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑素娟

  • 地址 277100 山东省枣庄市市中区北安西路

  • 入库时间 2023-06-19 10:25:58

说明书

技术领域

本发明涉及一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途,属于晶体材料技术领域。

背景技术

目前常用的紫外深紫外非线性变频晶体主要包括BBO, LBO(LiB

通过非线性变频晶体的谐波原理来产生紫外或深紫外激光,是目前全固态激光器的主要工作方式之一。变频晶体是全固态激光器的核心材料,它决定着全固态激光器的输出波长及光学质量。

因此,近20年来,寻找新型无毒非线性光学晶体材料一直是国际上的研究热点之一。在探索新材料时,不仅注重晶体的物理化学和光学性能,而且越来越重视如何降低晶体的制备成本,以便获得价格低廉的高质量大尺寸晶体。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物及其制备方法与用途,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的本发明采用以下技术方案:

一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物,其分子式为Li

一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物的制备方法,包括如下步骤:

1)、按照化学计量比Li:B:Cu=6:4:1配料,采用固相合成法在450-600

2)、将硼酸铜锂和助熔剂按摩尔比1 : 0.5-1.5进行配料,其中助熔剂为含锂或含铜氧化物、氢氧化物或碳酸盐,在马弗炉中以750-850

3)、将步骤1)制备的混合熔液缓慢降温至500-540

4)、然后在熔体表面或熔体中生长晶体:以顶部籽晶法为例,将籽晶从晶体生长炉顶部下入炉内,使籽晶与熔体表面接触或没入熔体中,缓慢降温至饱和温度,以50-150rpm的转速旋转籽晶和/或坩埚;

5)、待晶体生长到所需尺度后,使晶体脱离熔体液面,以10-50度/小时的速率降到室温,然后从炉膛中取出晶体。

优选的,步骤1)所述硼酸铜锂化合物为同当量比的含锂、含铜和含硼的化合物。

优选的,其中含锂的化合物为Li

优选的,步骤1)中助熔剂含锂或含铜氧化物、氢氧化物或碳酸盐。

一种低对称大晶胞非线性晶体硼酸铜锂化合物在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器的应用。

所述倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器包含至少一束入射电磁辐射通过至少一块非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。

本发明的硼酸铜锂晶体,制备过程中,提供采用助熔剂法制备硼酸铜锂晶体的方法,是采用化合物硼酸铜锂中加入助熔剂进行晶体生长,能过该方法获得的晶体具有厘米级的尺寸;该晶体具有生长速度快,非层向生长,无毒,尺寸大,透光波段宽,不潮解,易加工等优点,适合紫外光波段激光变频的需要,可用于制作非线性光学为器件。

本发明在原则上,可以通过常规化学合成法制备,优选固相反应法,即将含有Li,Cu和B摩尔比为6:1:4的化合物原料混合后,加热进行固相反应,可得到化学式为Li

制备硼酸铜锂(Li

(1) 9Li

(2) 9Li

(3) 18LiOH+12H

(4) 18LiNO

与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明所述的硼酸铜锂作为制备非线性光学器件,包括制作倍频发生器、上或下频率转换器和光参量振荡器。所述的用硼酸铜锂晶体制作的非线性器件包含将透过至少一束入射基波光产生至少一束频率不同于入射光的相干光。

本发明所述制备方法与现有应用于紫外、深紫外光波段变频的非线性光学晶体制备技术相比较,晶体无层向生长特性、生长速度快、成本低、易获得厘米级晶体等优点。

附图说明

图1为本发明硼酸铜锂的粉末X射线衍射谱。

图2为本发明硼酸铜锂的单晶结构图。

图3为本发明硼酸铜锂的晶体照片。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的阐述。

实施例1

合成硼酸铜锂(Li

采用固相合成法在480

将Li

在含有助熔剂的高温熔液中生长厘米级硼酸铜锂(Li

将单相硼酸铜锂(Li

将籽晶从炉顶小孔导入铂金坩埚,使籽晶与熔液界面接触,以0.15

实施例2

反应式9Li

将单相硼酸铜锂(Li

将籽晶从炉顶小孔导入铂金坩埚,使籽晶与熔液界面接触,以0.3

实施例3

反应式18LiOH+12H

将单相硼酸铜锂(Li

将籽晶从炉顶小孔导入铂金坩埚,使籽晶与熔液界面接触,以0.2

实施例4

反应式18LiNO

将单相硼酸铜锂(Li

将籽晶从炉顶小孔导入铂金坩埚,使籽晶与熔液界面接触,以0.25

以上所述为本发明较佳实施例,对于本领域的普通技术人员而言,根据本发明的教导,在不脱离本发明的原理与精神的情况下,对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本发明的保护范围之内。

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