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公开/公告号CN112557352A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201910916516.3
发明设计人 刘虹遥;张朝前;路鑫超;孙旭晴;江丽雯;魏茹雪;王畅;
申请日2019-09-26
分类号G01N21/63(20060101);G01N21/01(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人纪志超
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
入库时间 2023-06-19 10:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-16
授权
发明专利权授予
机译: 通过激发辐射产生表面等离激元和表面等离激元极化子的基质,制备该基质的方法以及该基质的用途
机译: 用于通过激发辐射产生表面等离激元和表面等离激元的基底,基底的生产方法以及基底的用途
机译:由于表面等离激元极化子的激发,调制金属膜中的非零阶异常光学透明性:一种解析方法
机译:软x射线条件下Si / MoSi_2多层反射镜上的驻波激发光发射实验:一种解析建模方法
机译:高折射率介质一维金属光栅结构的表面等离激元传感器的表面等离激元激发机理
机译:半导体晶片表面的超分辨率光学缺陷检查通过驻波换档(第21次报告)基本实验装置的基本实验装置,通过高斯滤波器控制点分布函数控制
机译:纳米孔激发表面等离激元极化子,纳米孔阵列激发二维有源光学器件。
机译:带有驻波激发的共振X射线发射
机译:利用氮空位中心激发表面等离激元极化子
机译:衍射光栅中的表面等离激元激发:依赖于沟槽轮廓