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提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备

摘要

本申请涉及一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备。提高芯片内器件性能均匀性的方法包括:对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产,多个性能测试监控单元与目标芯片上的多个关键功能模块一一对应;针对每个关键功能模块,通过与关键功能模块对应的性能测试监控单元获得关键功能模块的电性参数;根据多个关键功能模块的电性参数,获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值;针对每个目标位置,通过与目标位置对应的能量补偿值,对目标位置进行曝光能量补偿。提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备能够保证其方法的实施效率,同时,保证了目标芯片内关键器件性能的均匀性提高的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN112563150A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都海光微电子技术有限公司;

    申请/专利号CN202011496931.7

  • 发明设计人 樊强;

    申请日2020-12-17

  • 分类号H01L21/66(20060101);G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人钟扬飞

  • 地址 610000 四川省成都市高新区中国(四川)自由贸易试验区成都天府大道中段1366号2栋天府软件园E5座12层23-32号

  • 入库时间 2023-06-19 10:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-25

    授权

    发明专利权授予

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