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公开/公告号CN112563421A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202011432717.5
发明设计人 于军胜;郑丁;侯思辉;吴梦鸽;
申请日2020-12-09
分类号H01L51/44(20060101);H01L51/48(20060101);
代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;
代理人谢建
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 10:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-31
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L51/44 专利申请号:2020114327175 申请公布日:20210326
发明专利申请公布后的驳回
机译: 具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
机译: 基于二氧化硅的纳米粒子支持层钙钛矿太阳能电池的制备方法
机译: 一种具有至少一个接触孔的钝化层的制备方法
机译:使用硫掺杂石墨氮化物改性的基于SnO_2的电子传输层,增强了高效钙钛矿太阳能电池的电荷传输和界面钝化
机译:PEIE-2D MOF界面改性层的钙钛矿太阳能电池中TiO2电子传输层的无损钝化
机译:通用钝化策略对高效钙钛矿太阳能电池的碱处理空穴传输层/钙钛矿界面
机译:使用不同厚度的A1_2O_3作为界面钝化层的基于原子层沉积HfO_2的InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:对具有薄界面钝化层的III-V衬底上基于二氧化ha的MOSCAP和MOSFET的研究
机译:氟碳分子朝向高效稳定的倒置平面钙钛矿太阳能电池的协同界面层优化和表面钝化
机译:苯基31-丁酸作为高效稳定的钙钛矿太阳能电池的界面钝化层
机译:少数载流子器件包括钝化层,该钝化层包括第13族元素和硫族化物成分