公开/公告号CN112564031A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN202011021475.0
发明设计人 A·肯皮蒂亚;
申请日2020-09-25
分类号H02H1/00(20060101);H02H7/20(20060101);G01R31/26(20140101);G01R19/00(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人黄倩
地址 德国诺伊比贝尔格
入库时间 2023-06-19 10:22:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H02H 1/00 专利申请号:2020110214750 申请日:20200925
实质审查的生效
机译: IGBT发射极电流检测,用于早期去饱和检测和短路保护
机译: IGBT发射极电流检测,用于早期去饱和检测和短路保护
机译: 短路保护例如对于MOSFET,在IGBT的情况下在发射极连接处或在电感的MOSFET的源极连接处通过电压抽头提供短路保护