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一种高饱和磁通密度铁硅磁粉芯的制备方法

摘要

本发明公开了一种高饱和磁通密度铁硅磁粉芯的制备方法,包括以下步骤:合金熔炼、破碎、分筛、表面处理、绝缘包覆、加润滑剂、压制成型、热处理和表面涂层处理;其中,分筛过程中采用‑250目:‑120目:‑60目=4:2:1的质量比进行粉料配比;热处理完成后对磁粉芯表面进行涂层处理。本发明的高饱和磁通密度铁硅磁粉芯的主要成分为二元系铁硅合金并添加0.12‑0.18%的铬和0.02‑0.04%的钡,硅7.2‑7.7%,余量为铁。本发明制备的高饱和磁通密度铁硅磁粉芯,饱和磁通密度可以达到1.8 T以上,而剩余磁化强度仅为0.12‑0.15T,故也可以使磁芯在通电流时不容易饱和,以达到提高磁芯输出功率的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN112517919A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖州浩通电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202011525848.8

  • 发明设计人 蒋庆林;

    申请日2020-12-22

  • 分类号B22F9/08(20060101);B22F1/00(20060101);B22F3/02(20060101);B22F3/24(20060101);B22F1/02(20060101);H01F1/147(20060101);H01F1/26(20060101);H01F41/02(20060101);

  • 代理机构11385 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈明辉

  • 地址 313000 浙江省湖州市南浔区双林镇勤裕村横埭

  • 入库时间 2023-06-19 10:21:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-24

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):B22F 9/08 专利申请号:2020115258488 申请公布日:20210319

    发明专利申请公布后的撤回

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