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一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路

摘要

本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路,其中,包括:一输出控制支路,连接于一电压输入端和一电压输出端之间,以控制电压输入端的电压输入至电压输出端;一泄放支路,连接于电压输出端和地之间;一检测支路,连接于电压输出端和泄放支路之间,以检测电压输出端的输出电压;泄放支路用于提供一条输出到地的低阻通路,当输出电压出现尖峰脉冲时泄放支路打开,将输出电流中的瞬态尖峰电流泄放至地。有益效果:通过泄放支路将电压输出端的瞬态尖峰电流泄放至地,从而抑制电压输出端的电压上跳,达到增强LDO瞬态响应的目的,且通过设置输出控制支路,将输出极点移至高频处,提升LDO的频率稳定性,且结构简单、响应速度快,无需外接特定的电容及额外的外接电容引脚,可缩小芯片面积。

著录项

  • 公开/公告号CN112527044A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海维安半导体有限公司;

    申请/专利号CN202011394727.4

  • 发明设计人 姚和平;汪西虎;唐威;苏海伟;

    申请日2020-12-02

  • 分类号G05F1/571(20060101);G05F1/46(20060101);G05F1/575(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人党蕾

  • 地址 201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

  • 入库时间 2023-06-19 10:19:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-15

    授权

    发明专利权授予

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