一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、SnO2微米线的生长制备；步骤2、利用步骤1中所得SnO2微米线制备异质结光电探测器。本发明氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器，并测试了其光电性能，该器件具有响应度高、响应速度快、稳定性好，响应光谱宽（响应波长区间：200‑350纳米）等特点，所以本发明设计的PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器件具有重要的研究和应用价值。