法律状态公告日
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法律状态
2022-10-14
著录事项变更 IPC(主分类):G01N21/31 专利申请号:2020115622629 变更事项:申请人 变更前:江苏万宝瑞达高新技术有限公司 变更后:江苏万宝瑞达高新技术有限公司 变更事项:地址 变更前:212132 江苏省镇江市镇江新区大港五峰山路99号 变更后:212132 江苏省镇江市镇江新区大港五峰山路86号
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机译: 一种借助光电池定量增强特别是低光图像的方法,其光密度相应地得到增强
机译: 双低(00)fad3等位基因的等位基因双低等位基因(A)的位点A和C的突变和非突变片段的核苷酸序列形成去饱和酶基因和油菜植物(甘蓝型油菜)的低亚麻酸突变体(LLMut),是同种异体对fad3基因座A和C特异的SNP标记形成去饱和酶基因-冬季油菜植物的双低(00)和低亚麻酸突变体(LLMut),用于扩增fad3基因去饱和酶A和C的引物对的核苷酸序列冬季油菜植物基因,fad3去饱和酶基因的基因座A和C的扩增方法,用于鉴定fad3形式脱氢酶基因的突变和非突变等位基因的引物的核苷酸序列-双低(00 )和基因座A和基因座C中油菜的低亚麻酸突变体(LLMut)的微测序反应,fad3形式脱氢酶基因突变和非突变等位基因的鉴定方法-双低(00)和低亚麻酸突变体(法学硕士
机译: 一种使用磁控溅射制备具有高光密度和低反射率的黑色铝层的方法,使用贵金属涂层来保护和改善这些层的性能以及将其用于阳极的热吸收覆盖的方法