背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法

摘要

本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法。一种背场掺杂用硼铝浆，按照质量分数计，所述背场掺杂用硼铝浆包括：35％～55％的硼源，15％～25％的铝源，15％～30％的硅源以及20～40％的有机载体。上述背场掺杂用硼铝浆在掺杂后会在硅衬底上形成铝硅合金，降低了掺杂层与背银电极导出层接触的空洞，降低接触电阻，进而降低了电池的串联电阻，增加了太阳电池的填充因子，提高太阳电池的开路电压，最终提升太阳电池的效率。