公开/公告号CN112480604A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN202011283317.2
申请日2020-11-17
分类号C08L63/00(20060101);C08K9/00(20060101);C08K9/02(20060101);C08K7/06(20060101);C08K7/18(20060101);C08K7/00(20060101);C08K3/04(20060101);B32B9/00(20060101);B32B9/04(20060101);B32B33/00(20060101);B32B37/00(20060101);B32B38/00(20060101);D06M10/02(20060101);D06M11/74(20060101);D06M11/83(20060101);B29C70/02(20060101);B29C70/88(20060101);C09K5/14(20060101);D06M101/40(20060101);
代理机构21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2023-06-19 10:13:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-31
授权
发明专利权授予
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 一种行波管,其具有高导热率的热辐射结构
机译: 具有亚芳基和硅氧烷结构的聚合物,一种相同的制备方法,一种粘合剂组合物,一种粘合剂板,一种用于半导体装置的保护材料以及一种半导体装置